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    Non-Volatile Memory Devices with Discrete Resistive Memory Material Regions and Methods of Fabricating the Same
    1.
    发明申请
    Non-Volatile Memory Devices with Discrete Resistive Memory Material Regions and Methods of Fabricating the Same 审中-公开
    具有离散电阻记忆材料区域的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080128853A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US11939041

    申请日：2007-11-13

    申请人： Suk-hun Choi ,  In-gyu Baek ,  Jun-young Lee ,  Jung-hyeon Kim ,  Chang-ki Hong ,  Yoon-ho Son

    发明人： Suk-hun Choi ,  In-gyu Baek ,  Jun-young Lee ,  Jung-hyeon Kim ,  Chang-ki Hong ,  Yoon-ho Son

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L28/20 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

    摘要： A semiconductor memory device includes a first conductive line on a semiconductor substrate, an interlayer insulating layer on the first conductive line, a second conductive line on the interlayer insulating layer, and a memory cell in an hole through the interlayer insulating layer wherein the first and second conductive lines cross, the memory cell including a discrete resistive memory material region disposed in the hole and electrically connected between the first and second conductive lines. The resistive memory material region may be substantially contained within the hole. In some embodiments, contact between the resistive memory material region and the interlayer insulating layer is substantially limited to sidewalls of the interlayer insulating layer in the hole.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括半导体衬底上的第一导电线，第一导线上的层间绝缘层，层间绝缘层上的第二导线，以及穿过层间绝缘层的孔中的存储单元，其中， 第二导线交叉，存储单元包括设置在孔中并电连接在第一和第二导线之间的分立的电阻性存储器材料区域。 电阻性存储器材料区域可以基本上包含在孔内。 在一些实施例中，电阻性存储器材料区域和层间绝缘层之间的接触基本上限于孔中的层间绝缘层的侧壁。

    Methods of fabricating non-volatile memory devices with discrete resistive memory material regions
    2.
    发明申请
    Methods of fabricating non-volatile memory devices with discrete resistive memory material regions 审中-公开
    使用分立电阻记忆材料区域制造非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20110081762A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：US12880721

    申请日：2010-09-13

    申请人： Suk-hun Choi ,  In-gyu Baek ,  Jun-young Lee ,  Jung-hyeon Kim ,  Chang-ki Hong ,  Yoon-ho Son

    发明人： Suk-hun Choi ,  In-gyu Baek ,  Jun-young Lee ,  Jung-hyeon Kim ,  Chang-ki Hong ,  Yoon-ho Son

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L28/20 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

    摘要： A semiconductor memory device includes a first conductive line on a semiconductor substrate, an interlayer insulating layer on the first conductive line, a second conductive line on the interlayer insulating layer, and a memory cell in an hole through the interlayer insulating layer wherein the first and second conductive lines cross, the memory cell including a discrete resistive memory material region disposed in the hole and electrically connected between the first and second conductive lines. The resistive memory material region may be substantially contained within the hole. In some embodiments, contact between the resistive memory material region and the interlayer insulating layer is substantially limited to sidewalls of the interlayer insulating layer in the hole.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括半导体衬底上的第一导电线，第一导线上的层间绝缘层，层间绝缘层上的第二导线，以及穿过层间绝缘层的孔中的存储单元，其中， 第二导线交叉，存储单元包括设置在孔中并电连接在第一和第二导线之间的分立的电阻性存储器材料区域。 电阻性存储器材料区域可以基本上包含在孔内。 在一些实施例中，电阻性存储器材料区域和层间绝缘层之间的接触基本上限于孔中的层间绝缘层的侧壁。

    Methods of forming metal contact structures and methods of fabricating phase-change memory devices using the same
    5.
    发明授权
    Methods of forming metal contact structures and methods of fabricating phase-change memory devices using the same 有权
    形成金属接触结构的方法和使用其形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07622379B2

    公开(公告)日：2009-11-24

    申请号：US11084505

    申请日：2005-03-18

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Byeong-ok Cho ,  Yoon-ho Son ,  Sang-don Nam

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Byeong-ok Cho ,  Yoon-ho Son ,  Sang-don Nam

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

    摘要： Methods of forming a metal contact structure include forming an interlayer insulating layer on a substrate, etching the interlayer insulating layer to form a hole, depositing a metal layer on the surface of the interlayer insulating layer including inside the hole, planarizing the metal layer to provide a buried portion of the metal layer in the hole and to remove portions of the metal layer outside of the hole, etching-back the buried portion of the metal layer in the hole such that some of the portion of the metal layer within the hole remains and depositing a conductive layer on the surface of the interlayer insulating layer and the portion of the metal layer that remains within the hole. Methods of forming a phase change memory device are also provided.

    摘要翻译： 形成金属接触结构的方法包括在基板上形成层间绝缘层，蚀刻层间绝缘层以形成孔，在包括孔内部的层间绝缘层的表面上沉积金属层，平坦化金属层以提供 在孔中的金属层的掩埋部分并且去除孔的外部的金属层的部分，蚀刻孔中的金属层的掩埋部分，使得孔内的金属层的一些部分保持 以及在所述层间绝缘层的表面和所述金属层中保留在所述孔内的部分的表面上沉积导电层。 还提供了形成相变存储器件的方法。

    Methods of forming ferroelectric capacitors using separate polishing processes
    6.
    发明授权
    Methods of forming ferroelectric capacitors using separate polishing processes 失效
    使用单独的抛光工艺形成铁电电容器的方法

    公开(公告)号：US07078241B2

    公开(公告)日：2006-07-18

    申请号：US10811351

    申请日：2004-03-26

    申请人： Yoon-ho Son ,  Sang-woo Lee

    发明人： Yoon-ho Son ,  Sang-woo Lee

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/31053

    摘要： Ferroelectric memory devices can be formed by polishing an insulating layer on a plurality of ferroelectric capacitors with a silica slurry to reduce a height of the insulating layer above a surface of the plurality of ferroelectric capacitors so that the surface remains covered by a portion of the insulating layer. The insulating layer can be further polished with a ceria slurry to further reduce the height of the insulating layer and to expose a polishing stop layer on the surface of the plurality of ferroelectric capacitors. Related devices are also disclosed.

    摘要翻译： 铁电存储器件可以通过用二氧化硅浆料抛光多个铁电电容器上的绝缘层来形成，以减少绝缘层在多个铁电电容器的表面之上的高度，使得表面保持被绝缘层的一部分覆盖 层。 可以用二氧化铈浆料进一步抛光绝缘层，以进一步降低绝缘层的高度，并在多个铁电电容器的表面上露出抛光停止层。 还公开了相关设备。