公开(公告)号：US20170263795A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：US15601929

申请日：2017-05-22

申请人： SunPower Corporation

发明人： David D. Smith ,  Helen Liu ,  Tim Dennis ,  Jane Manning ,  Hsin-Chiao Luan ,  Ann Waldhauer ,  Genevieve A. Solomon ,  Brenda Pagulayan Malgapu ,  Joseph Ramirez

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/062 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Methods of fabricating emitter regions of solar cells are described. Methods of forming layers on substrates of solar cells, and the resulting solar cells, are also described.

公开(公告)号：US09577120B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US14271122

申请日：2014-05-06

申请人： SunPower Corporation

发明人： Hsin-Chiao Luan ,  Denis De Ceuster

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

摘要： A multilayer anti-reflection structure for a backside contact solar cell. The anti-reflection structure may be formed on a front side of the backside contact solar cell. The anti-reflection structure may include a passivation level, a high optical absorption layer over the passivation level, and a low optical absorption layer over the high optical absorption layer. The passivation level may include silicon dioxide thermally grown on a textured surface of the solar cell substrate, which may be an N-type silicon substrate. The high optical absorption layer may be configured to block at least 10% of UV radiation coming into the substrate. The high optical absorption layer may comprise high-k silicon nitride and the low optical absorption layer may comprise low-k silicon nitride.

摘要翻译： 一种用于背面接触太阳能电池的多层抗反射结构。 防反射结构可以形成在背面接触太阳能电池的前侧。 防反射结构可以包括钝化水平，钝化层上的高光吸收层以及高光吸收层上的低光吸收层。 钝化水平可以包括在太阳能电池基板的纹理表面上热生长的二氧化硅，其可以是N型硅衬底。 高光吸收层可以被配置为阻挡进入衬底的UV辐射的至少10％。 高光吸收层可以包括高k氮化硅，低光吸收层可以包括低k氮化硅。

公开(公告)号：US09556512B2

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：US14023211

申请日：2013-09-10

申请人： SunPower Corporation

发明人： Peter John Cousins ,  Hsin-Chiao Luan ,  Thomas Pass ,  John Ferrer ,  Rex Gallardo ,  Stephen F. Meyer

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/68771

摘要： A system for substrate deposition is disclosed. The system includes a wafer pallet and an anode. The wafer pallet has a bottom and a top. The top of the wafer pallet is configured to hold a substrate wafer. The anode has a substantially fixed position relative to the wafer pallet and is configured to move with the wafer pallet through the deposition chamber. The anode is electrically isolated from the substrate wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于衬底沉积的系统。 该系统包括晶片托盘和阳极。 晶片托盘具有底部和顶部。 晶片托盘的顶部被配置为保持基板晶片。 阳极相对于晶片托盘具有基本上固定的位置，并且被配置为与晶片托盘一起移动通过沉积室。 阳极与衬底晶片电绝缘。