公开(公告)号：US20110313194A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13064896

申请日：2011-04-25

申请人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C07F5/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene, a method of fabricating the same, and a transistor having the graphene are provided, the graphene includes a structure of carbon (C) atoms partially substituted with boron (B) atoms and nitrogen (N) atoms. The graphene has a band gap. The graphene substituted with boron and nitrogen may be used as a channel of a field effect transistor. The graphene may be formed by performing chemical vapor deposition (CVD) method using borazine or ammonia borane as a boron nitride (B—N) precursor.

摘要翻译： 提供石墨烯，其制造方法和具有石墨烯的晶体管，石墨烯包括部分被硼（B）原子和氮（N）原子取代的碳（C）原子的结构。 石墨烯具有带隙。 用硼和氮取代的石墨烯可以用作场效应晶体管的通道。 可以通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼（B-N）前体进行化学气相沉积（CVD）方法来形成石墨烯。

公开(公告)号：US08664439B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13064896

申请日：2011-04-25

申请人： Sung-Hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-Hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C07F5/02

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene, a method of fabricating the same, and a transistor having the graphene are provided, the graphene includes a structure of carbon (C) atoms partially substituted with boron (B) atoms and nitrogen (N) atoms. The graphene has a band gap. The graphene substituted with boron and nitrogen may be used as a channel of a field effect transistor. The graphene may be formed by performing chemical vapor deposition (CVD) method using borazine or ammonia borane as a boron nitride (B—N) precursor.

摘要翻译： 提供石墨烯，其制造方法和具有石墨烯的晶体管，石墨烯包括部分被硼（B）原子和氮（N）原子取代的碳（C）原子的结构。 石墨烯具有带隙。 用硼和氮取代的石墨烯可以用作场效应晶体管的通道。 可以通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼（B-N）前体进行化学气相沉积（CVD）方法来形成石墨烯。

公开(公告)号：US08487356B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13307370

申请日：2011-11-30

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20120075008A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13307370

申请日：2011-11-30

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20110108521A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12923428

申请日：2010-09-21

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

IPC分类号： B44C3/10 ,  B44C1/00 ,  B65H81/00

CPC分类号： C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

摘要： Example embodiments relate to methods of manufacturing and transferring a larger-sized graphene layer. A method of transferring a larger-sized graphene layer may include forming a graphene layer, a protection layer, and an adhesive layer on a substrate and removing the substrate. The graphene layer may be disposed on a transferring substrate by sliding the graphene layer onto the transferring substrate.

摘要翻译： 示例实施例涉及制造和传送较大尺寸石墨烯层的方法。 转移较大尺寸石墨烯层的方法可以包括在基板上形成石墨烯层，保护层和粘合剂层，并去除基板。 石墨烯层可以通过将石墨烯层滑动到转印衬底上而设置在转印衬底上。

公开(公告)号：US20110092054A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12805982

申请日：2010-08-27

申请人： Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684

摘要： Methods of fixing graphene using a laser beam and methods of manufacturing an electronic device are provided, the method of fixing graphene includes fixing a defect of a graphene nanoribbon by irradiating the laser beam onto the graphene nanoribbon.

摘要翻译： 提供了使用激光束固定石墨烯的方法和制造电子器件的方法，固定石墨烯的方法包括通过将激光照射到石墨烯纳米棒上来固定石墨烯纳米纤维的缺陷。

公开(公告)号：US09359211B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/755 ,  B01J37/34

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US08421131B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极，以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US20110149670A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12805909

申请日：2010-08-24

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： G11C11/06 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3903 ,  B32B9/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/161 ,  H01F10/005 ,  H01F10/325 ,  H01F41/306 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/31678

摘要： Provided are a spin valve device including graphene, a method of manufacturing the spin valve device, and a magnetic device including the spin valve device. The spin valve device may include at least one of a graphene sheet or a hexagonal boron nitride (h-BN) sheet between a lower magnetic layer and an upper magnetic layer. The graphene sheet may have a single layer structure or a multilayer structure. The spin valve device may further include a spacer between the lower magnetic layer and the graphene sheet. The spin valve device may further include a spacer between the graphene sheet and the upper magnetic layer.

摘要翻译： 提供了包括石墨烯的自旋阀装置，制造自旋阀装置的方法以及包括自旋阀装置的磁性装置。 自旋阀装置可以包括在下磁性层和上磁性层之间的石墨烯片或六方氮化硼（h-BN）片中的至少一种。 石墨烯片可以具有单层结构或多层结构。 自旋阀装置还可以包括在下磁性层和石墨烯片之间的间隔物。 自旋阀装置还可以包括在石墨烯片和上磁性层之间的间隔物。

公开(公告)号：US20110089995A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12805933

申请日：2010-08-25

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L29/775 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： Provided is a graphene device and a method of manufacturing the same. The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。