公开(公告)号：US07842991B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11798703

申请日：2007-05-16

申请人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

发明人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes at least one switching device and at least one storage node electrically connected to the at least one switching device. The at least one storage node includes a lower electrode, one or more oxygen-deficient metal oxide layers, one or more data storage layers, and an upper electrode. At least one of the one or more metal oxide layers is electrically connected to the lower electrode. At least one of the one or more data storage layers is electrically connected to at least one of the one or more metal oxide layers. The upper electrode is electrically connected to at least one of the one or more data storage layers. A method of manufacturing the nonvolatile memory device includes preparing the at least one switching device and forming the lower electrode, one or more metal oxide layers, one or more data storage layers, and upper electrode.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括至少一个开关器件和至少一个电连接到该至少一个开关器件的存储节点。 所述至少一个存储节点包括下电极，一个或多个缺氧金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。 一个或多个金属氧化物层中的至少一个电连接到下电极。 所述一个或多个数据存储层中的至少一个电连接到所述一个或多个金属氧化物层中的至少一个。 上电极电连接到一个或多个数据存储层中的至少一个。 制造非易失性存储器件的方法包括制备至少一个开关器件并形成下电极，一个或多个金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。

公开(公告)号：US20110059576A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12926042

申请日：2010-10-22

申请人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

发明人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes at least one switching device and at least one storage node electrically connected to the at least one switching device. The at least one storage node includes a lower electrode, one or more oxygen-deficient metal oxide layers, one or more data storage layers, and an upper electrode. At least one of the one or more metal oxide layers is electrically connected to the lower electrode. At least one of the one or more data storage layers is electrically connected to at least one of the one or more metal oxide layers. The upper electrode is electrically connected to at least one of the one or more data storage layers. A method of manufacturing the nonvolatile memory device includes preparing the at least one switching device and forming the lower electrode, one or more metal oxide layers, one or more data storage layers, and upper electrode.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括至少一个开关器件和至少一个电连接到该至少一个开关器件的存储节点。 所述至少一个存储节点包括下电极，一个或多个缺氧金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。 一个或多个金属氧化物层中的至少一个电连接到下电极。 所述一个或多个数据存储层中的至少一个电连接到所述一个或多个金属氧化物层中的至少一个。 上电极电连接到一个或多个数据存储层中的至少一个。 制造非易失性存储器件的方法包括制备至少一个开关器件并形成下电极，一个或多个金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。

公开(公告)号：US07417271B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11655193

申请日：2007-01-19

申请人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

发明人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： An electrode structure having at least two oxide layers that more reliably switch and operate without the use of additional devices and a non-volatile memory device having the same are provided. The electrode structure may include a lower electrode, a first oxide layer formed on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer and an upper electrode formed on the second oxide layer wherein at least one of the first and second oxide layers may be formed of a resistance-varying material. The first oxide layer may be formed of an oxide having a variable oxidation state.

摘要翻译： 提供具有至少两个氧化物层的电极结构，其更可靠地在不使用附加装置的情况下切换和操作，以及具有该氧化物层的非易失性存储装置。 电极结构可以包括下电极，形成在下电极上的第一氧化物层，形成在第一氧化物层上的第二氧化物层和形成在第二氧化物层上的上电极，其中第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个 可以由电阻变化材料形成。 第一氧化物层可以由具有可变氧化态的氧化物形成。

公开(公告)号：US20070267675A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11798703

申请日：2007-05-16

申请人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

发明人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes at least one switching device and at least one storage node electrically connected to the at least one switching device. The at least one storage node includes a lower electrode, one or more oxygen-deficient metal oxide layers, one or more data storage layers, and an upper electrode. At least one of the one or more metal oxide layers is electrically connected to the lower electrode. At least one of the one or more data storage layers is electrically connected to at least one of the one or more metal oxide layers. The upper electrode is electrically connected to at least one of the one or more data storage layers. A method of manufacturing the nonvolatile memory device includes preparing the at least one switching device and forming the lower electrode, one or more metal oxide layers, one or more data storage layers, and upper electrode.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括至少一个开关器件和至少一个电连接到该至少一个开关器件的存储节点。 所述至少一个存储节点包括下电极，一个或多个缺氧金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。 一个或多个金属氧化物层中的至少一个电连接到下电极。 所述一个或多个数据存储层中的至少一个电连接到所述一个或多个金属氧化物层中的至少一个。 上电极电连接到一个或多个数据存储层中的至少一个。 制造非易失性存储器件的方法包括制备至少一个开关器件并形成下电极，一个或多个金属氧化物层，一个或多个数据存储层和上电极。

公开(公告)号：US08043926B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12926042

申请日：2010-10-22

申请人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

发明人： Sung-Il Cho ,  Choong-rae Cho ,  Eun-hong Lee ,  In-kyeong Yoo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device includes at least one switching device and at least one storage node electrically connected to the at least one switching device. The at least one storage node includes a lower electrode, one or more oxygen-deficient metal oxide layers, one or more data storage layers, and an upper electrode. At least one of the one or more metal oxide layers is electrically connected to the lower electrode. At least one of the one or more data storage layers is electrically connected to at least one of the one or more metal oxide layers. The upper electrode is electrically connected to at least one of the one or more data storage layers. A method of manufacturing the nonvolatile memory device includes preparing the at least one switching device and forming the lower electrode, one or more metal oxide layers, one or more data storage layers, and upper electrode.

公开(公告)号：US20070200158A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11655193

申请日：2007-01-19

申请人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

发明人： Stefanovich Genrikh ,  Choong-rae Cho ,  In-kyeong Yoo ,  Eun-hong Lee ,  Sung-Il Cho ,  Chang-wook Moon

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： An electrode structure having at least two oxide layers that more reliably switch and operate without the use of additional devices and a non-volatile memory device having the same are provided. The electrode structure may include a lower electrode, a first oxide layer formed on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer and an upper electrode formed on the second oxide layer wherein at least one of the first and second oxide layers may be formed of a resistance-varying material. The first oxide layer may be formed of an oxide having a variable oxidation state.

摘要翻译： 提供具有至少两个氧化物层的电极结构，其更可靠地在不使用附加装置的情况下切换和操作，以及具有该氧化物层的非易失性存储装置。 电极结构可以包括下电极，形成在下电极上的第一氧化物层，形成在第一氧化物层上的第二氧化物层和形成在第二氧化物层上的上电极，其中第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个 可以由电阻变化材料形成。 第一氧化物层可以由具有可变氧化态的氧化物形成。

公开(公告)号：US07859035B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11606889

申请日：2006-12-01

申请人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

发明人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.

摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。

公开(公告)号：US20070126043A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11606889

申请日：2006-12-01

申请人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

发明人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  In-kyeong Yoo ,  Seung-woon Lee ,  El Bourim ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.

摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。

公开(公告)号：US20070138940A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11543848

申请日：2006-10-06

申请人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Seung-woon Lee ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

发明人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Seung-woon Lee ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

IPC分类号： H01J63/04 ,  H01J1/62

CPC分类号： H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

摘要： Provided are a surface electron emission device and a display device having the same. The surface electron emission device may include a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked, and a nano structure layer formed on the upper electrode.

摘要翻译： 提供一种表面电子发射装置和具有该表面电子发射装置的显示装置。 表面电子发射器件可以包括顺序堆叠的下电极，绝缘层和上电极，以及形成在上电极上的纳米结构层。

公开(公告)号：US20080006907A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11822446

申请日：2007-07-06

申请人： Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho ,  Stefanovich Genrikh

发明人： Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho ,  Stefanovich Genrikh

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory device including a variable resistance material is provided. The non-volatile memory device may include a buffer layer, a variable resistance material layer and/or an upper electrode, for example, sequentially formed on a lower electrode. A schottky barrier may be formed on an interface between the buffer layer and the lower electrode. The variable resistance material layer may be formed with a variable resistance property.

摘要翻译： 提供了包括可变电阻材料的非易失性存储器件。 非易失性存储器件可以包括缓冲层，可变电阻材料层和/或上电极，例如依次形成在下电极上。 可以在缓冲层和下电极之间的界面上形成肖特基势垒。 可变电阻材料层可以形成为具有可变电阻特性。