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1.发明授权Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same 有权具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法公开(公告)号：US07859035B2
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：US11606889
申请日：2006-12-01
申请人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Mostafa Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
发明人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Mostafa Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/94
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.
摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：US20070138940A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：US11543848
申请日：2006-10-06
申请人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , El Mostafa Bourim , Seung-woon Lee , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
发明人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , El Mostafa Bourim , Seung-woon Lee , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
CPC分类号： H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
摘要： Provided are a surface electron emission device and a display device having the same. The surface electron emission device may include a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked, and a nano structure layer formed on the upper electrode.
摘要翻译： 提供一种表面电子发射装置和具有该表面电子发射装置的显示装置。 表面电子发射器件可以包括顺序堆叠的下电极，绝缘层和上电极，以及形成在上电极上的纳米结构层。
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公开(公告)号：US08125021B2
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：US11785478
申请日：2007-04-18
IPC分类号： H01L29/88
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A non-volatile memory device includes a first oxide layer, a second oxide layer and a buffer layer formed on a lower electrode. An upper electrode is formed on the buffer layer. In one example, the lower electrode is composed of at least one of Pt, Ru, Ir, IrOx and an alloy thereof, the second oxide layer is a transition metal oxide, the buffer layer is composed of a p-type oxide and the upper electrode is composed of a material selected from Ni, Co, Cr, W, Cu or an alloy thereof.
摘要翻译： 非易失性存储器件包括形成在下电极上的第一氧化物层，第二氧化物层和缓冲层。 在缓冲层上形成上电极。 在一个示例中，下电极由Pt，Ru，Ir，IrOx及其合金中的至少一种构成，第二氧化物层是过渡金属氧化物，缓冲层由p型氧化物和上部 电极由选自Ni，Co，Cr，W，Cu或其合金的材料构成。
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公开(公告)号：US20070252193A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：US11785478
申请日：2007-04-18
IPC分类号： H01L29/788
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A non-volatile memory device comprises a first oxide layer, a second oxide layer and a buffer layer formed on a lower electrode. An upper electrode is formed on the buffer layer. In one example, the lower electrode is composed of at least one of Pt, Ru, Ir, IrOx and an alloy thereof, the second oxide layer is a transition metal oxide, the buffer layer is composed of a p-type oxide and the upper electrode is composed of a material selected from Ni, Co, Cr, W, Cu or an alloy thereof.
摘要翻译： 非易失性存储器件包括形成在下电极上的第一氧化物层，第二氧化物层和缓冲层。 在缓冲层上形成上电极。 在一个示例中，下电极由Pt，Ru，Ir，IrOx及其合金中的至少一种构成，第二氧化物层是过渡金属氧化物，缓冲层由p型氧化物和上部 电极由选自Ni，Co，Cr，W，Cu或其合金的材料构成。
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5.发明申请Variable resistance random access memory device and a method of fabricating the same 有权可变电阻随机存取存储器件及其制造方法公开(公告)号：US20070295950A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：US11702623
申请日：2007-02-06
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
摘要： Provided is a variable resistance random access memory device having an n+ interfacial layer and a method of fabricating the same. The variable resistance random access memory device may include a lower electrode, an n+ interfacial layer on the lower electrode, a buffer layer on the n+ interfacial layer, an oxide layer on the buffer layer and having a variable resistance characteristic and an upper electrode on the oxide layer.
摘要翻译： 提供了具有n +界面层的可变电阻随机存取存储器件及其制造方法。 可变电阻随机存取存储器件可以包括下电极，下电极上的n +界面层，n +界面层上的缓冲层，缓冲层上的氧化物层和可变电阻特性上的上电极 氧化层。
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6.发明申请Non-volatile variable resistance memory device and method of fabricating the same 有权非易失性可变电阻存储器件及其制造方法公开(公告)号：US20070290186A1
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：US11797519
申请日：2007-05-04
申请人： El Mostafa Bourim , Eun-Hong Lee , Choong-Rae Cho
发明人： El Mostafa Bourim , Eun-Hong Lee , Choong-Rae Cho
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A non-volatile variable resistance memory device and a method of fabricating the same are provided. The non-volatile variable resistance memory device may include a lower electrode, a buffer layer on the lower electrode, an oxide layer on the buffer layer and an upper electrode on the oxide layer. The buffer layer may be composed of an oxide and the oxide layer may have variable resistance characteristics.
摘要翻译： 提供了一种非易失性可变电阻存储器件及其制造方法。 非挥发性可变电阻存储器件可以包括下电极，下电极上的缓冲层，缓冲层上的氧化物层和氧化物层上的上电极。 缓冲层可由氧化物构成，氧化物层可具有可变电阻特性。
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7.发明授权Non-volatile variable resistance memory device and method of fabricating the same 有权非易失性可变电阻存储器件及其制造方法公开(公告)号：US08525142B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US11797519
申请日：2007-05-04
申请人： El Mostafa Bourim , Eun-Hong Lee , Choong-Rae Cho
发明人： El Mostafa Bourim , Eun-Hong Lee , Choong-Rae Cho
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A non-volatile variable resistance memory device and a method of fabricating the same are provided. The non-volatile variable resistance memory device may include a lower electrode, a buffer layer on the lower electrode, an oxide layer on the buffer layer and an upper electrode on the oxide layer. The buffer layer may be composed of an oxide and the oxide layer may have variable resistance characteristics.
摘要翻译： 提供了一种非易失性可变电阻存储器件及其制造方法。 非挥发性可变电阻存储器件可以包括下电极，下电极上的缓冲层，缓冲层上的氧化物层和氧化物层上的上电极。 缓冲层可由氧化物构成，氧化物层可具有可变电阻特性。
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8.发明授权Variable resistance random access memory device and a method of fabricating the same 有权可变电阻随机存取存储器件及其制造方法公开(公告)号：US07498600B2
公开(公告)日：2009-03-03
申请号：US11702623
申请日：2007-02-06
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , Y10S438/90
摘要： Provided is a variable resistance random access memory device having an n+ interfacial layer and a method of fabricating the same. The variable resistance random access memory device may include a lower electrode, an n+ interfacial layer on the lower electrode, a buffer layer on the n+ interfacial layer, an oxide layer on the buffer layer and having a variable resistance characteristic and an upper electrode on the oxide layer.
摘要翻译： 提供了具有n +界面层的可变电阻随机存取存储器件及其制造方法。 可变电阻随机存取存储器件可以包括下电极，下电极上的n +界面层，n +界面层上的缓冲层，缓冲层上的氧化物层和可变电阻特性上的上电极 氧化层。
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9.发明授权Surface electron emission device array and thin film transistor inspection system using the same 有权表面电子发射器件阵列和薄膜晶体管检查系统使用相同公开(公告)号：US07667481B2
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：US11644885
申请日：2006-12-26
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
摘要： A surface electron emission device array and a TFT inspection system for inspecting a TFT array using a surface electron emission device array may be provided. The TFT inspection system may include a surface electron emission device array, which may have a first electrode disposed to face the TFT array in a first direction, a second electrode disposed in a second direction intersecting the first direction in a region corresponding to a region in which the first electrode and a corresponding pixel electrode of the TFT array may be formed, and an insulating layer interposed between the first electrode and the second electrode.
摘要翻译： 可以提供表面电子发射器件阵列和用于使用表面电子发射器件阵列检查TFT阵列的TFT检查系统。 TFT检查系统可以包括表面电子发射器件阵列，其可以具有设置成在第一方向上面对TFT阵列的第一电极，在与第一方向相交的区域中沿与第一方向相交的第二方向上设置的第二电极 可以形成TFT阵列的第一电极和对应的像素电极，以及插入在第一电极和第二电极之间的绝缘层。
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10.发明申请Surface electron emission device array and thin film transistor inspection system using the same 有权表面电子发射器件阵列和薄膜晶体管检查系统使用相同公开(公告)号：US20070164773A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：US11644885
申请日：2006-12-26
CPC分类号： H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
摘要： A surface electron emission device array and a TFT inspection system for inspecting a TFT array using a surface electron emission device array may be provided. The TFT inspection system may include a surface electron emission device array, which may have a first electrode disposed to face the TFT array in a first direction, a second electrode disposed in a second direction intersecting the first direction in a region corresponding to a region in which the first electrode and a corresponding pixel electrode of the TFT array may be formed, and an insulating layer interposed between the first electrode and the second electrode.
摘要翻译： 可以提供表面电子发射器件阵列和用于使用表面电子发射器件阵列检查TFT阵列的TFT检查系统。 TFT检查系统可以包括表面电子发射器件阵列，其可以具有设置成在第一方向上面对TFT阵列的第一电极，在与第一方向相交的区域中沿与第一方向相交的第二方向上设置的第二电极 可以形成TFT阵列的第一电极和对应的像素电极，以及插入在第一电极和第二电极之间的绝缘层。
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