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1.发明授权Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same 有权具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法公开(公告)号：US07859035B2
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：US11606889
申请日：2006-12-01
申请人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Mostafa Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
发明人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Mostafa Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/94
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.
摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：US20070138940A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：US11543848
申请日：2006-10-06
申请人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , El Mostafa Bourim , Seung-woon Lee , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
发明人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , El Mostafa Bourim , Seung-woon Lee , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
CPC分类号： H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/3125
摘要： Provided are a surface electron emission device and a display device having the same. The surface electron emission device may include a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked, and a nano structure layer formed on the upper electrode.
摘要翻译： 提供一种表面电子发射装置和具有该表面电子发射装置的显示装置。 表面电子发射器件可以包括顺序堆叠的下电极，绝缘层和上电极，以及形成在上电极上的纳米结构层。
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3.发明申请Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same 有权具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法公开(公告)号：US20070126043A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：US11606889
申请日：2006-12-01
申请人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
发明人： Chang-wook Moon , Sang-mock Lee , In-kyeong Yoo , Seung-woon Lee , El Bourim , Eun-hong Lee , Choong-rae Cho
IPC分类号： H01L29/94
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A storage node having a metal-insulator-metal structure, a non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal (MIM) structure and a method of operating the same are provided. The memory device may include a switching element and a storage node connected to the switching element. The storage node may include a first metal layer, a first insulating layer and a second metal layer, sequentially stacked, and a nano-structure layer. The storage node may further include a second insulating layer and a third metal layer. The nano-structure layer, which is used as a carbon nano-structure layer, may include at least one fullerene layer.
摘要翻译： 提供一种具有金属 - 绝缘体 - 金属结构的存储节点，包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）结构的存储节点的非易失性存储器件及其操作方法。 存储器件可以包括连接到开关元件的开关元件和存储节点。 存储节点可以包括依次层叠的第一金属层，第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。 存储节点还可以包括第二绝缘层和第三金属层。 用作碳纳米结构层的纳米结构层可以包括至少一个富勒烯层。
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4.发明申请Electrode structure having at least two oxide layers and non-volatile memory device having the same 有权具有至少两个氧化物层的电极结构和具有其的非易失性存储器件公开(公告)号：US20070200158A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：US11655193
申请日：2007-01-19
申请人： Stefanovich Genrikh , Choong-rae Cho , In-kyeong Yoo , Eun-hong Lee , Sung-Il Cho , Chang-wook Moon
发明人： Stefanovich Genrikh , Choong-rae Cho , In-kyeong Yoo , Eun-hong Lee , Sung-Il Cho , Chang-wook Moon
IPC分类号： H01L29/94
CPC分类号： H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： An electrode structure having at least two oxide layers that more reliably switch and operate without the use of additional devices and a non-volatile memory device having the same are provided. The electrode structure may include a lower electrode, a first oxide layer formed on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer and an upper electrode formed on the second oxide layer wherein at least one of the first and second oxide layers may be formed of a resistance-varying material. The first oxide layer may be formed of an oxide having a variable oxidation state.
摘要翻译： 提供具有至少两个氧化物层的电极结构，其更可靠地在不使用附加装置的情况下切换和操作，以及具有该氧化物层的非易失性存储装置。 电极结构可以包括下电极，形成在下电极上的第一氧化物层，形成在第一氧化物层上的第二氧化物层和形成在第二氧化物层上的上电极，其中第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个 可以由电阻变化材料形成。 第一氧化物层可以由具有可变氧化态的氧化物形成。
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5.发明授权Electrode structure having at least two oxide layers and non-volatile memory device having the same 有权具有至少两个氧化物层的电极结构和具有其的非易失性存储器件公开(公告)号：US07417271B2
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：US11655193
申请日：2007-01-19
申请人： Stefanovich Genrikh , Choong-rae Cho , In-kyeong Yoo , Eun-hong Lee , Sung-Il Cho , Chang-wook Moon
发明人： Stefanovich Genrikh , Choong-rae Cho , In-kyeong Yoo , Eun-hong Lee , Sung-Il Cho , Chang-wook Moon
IPC分类号： H01L31/062
CPC分类号： H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： An electrode structure having at least two oxide layers that more reliably switch and operate without the use of additional devices and a non-volatile memory device having the same are provided. The electrode structure may include a lower electrode, a first oxide layer formed on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer and an upper electrode formed on the second oxide layer wherein at least one of the first and second oxide layers may be formed of a resistance-varying material. The first oxide layer may be formed of an oxide having a variable oxidation state.
摘要翻译： 提供具有至少两个氧化物层的电极结构，其更可靠地在不使用附加装置的情况下切换和操作，以及具有该氧化物层的非易失性存储装置。 电极结构可以包括下电极，形成在下电极上的第一氧化物层，形成在第一氧化物层上的第二氧化物层和形成在第二氧化物层上的上电极，其中第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个 可以由电阻变化材料形成。 第一氧化物层可以由具有可变氧化态的氧化物形成。
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公开(公告)号：US07884410B2
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：US11980346
申请日：2007-10-31
IPC分类号： H01L29/94 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10S438/957 , Y10S438/958 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/943
摘要： Example embodiments may provide nonvolatile memory devices and example methods of fabricating nonvolatile memory devices. Example embodiment nonvolatile memory devices may include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.
摘要翻译： 示例性实施例可以提供非易失性存储器件和制造非易失性存储器件的示例性方法。 示例性实施例非易失性存储器件可以包括电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上的开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。
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7.发明授权Methods of fabricating non-volatile memory devices having carbon nanotube layer and passivation layer 有权制造具有碳纳米管层和钝化层的非易失性存储器件的方法公开(公告)号：US08193030B2
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：US12929122
申请日：2011-01-03
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10S438/957 , Y10S438/958 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/943
摘要： Nonvolatile memory devices may be fabricated to include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.
摘要翻译： 可以制造非易失性存储器件，以在电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上包括开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。
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8.发明申请Methods of fabricating non-volatile memory devices having carbon nanotube layer and passivation layer 有权制造具有碳纳米管层和钝化层的非易失性存储器件的方法公开(公告)号：US20110117735A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：US12929122
申请日：2011-01-03
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10S438/957 , Y10S438/958 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/943
摘要： Nonvolatile memory devices may be fabricated to include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.
摘要翻译： 可以制造非易失性存储器件，以在电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上包括开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。
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公开(公告)号：US20080191261A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：US11980346
申请日：2007-10-31
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10S438/957 , Y10S438/958 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/943
摘要： Example embodiments may provide nonvolatile memory devices and example methods of fabricating nonvolatile memory devices. Example embodiment nonvolatile memory devices may include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.
摘要翻译： 示例性实施例可以提供非易失性存储器件和制造非易失性存储器件的示例性方法。 示例性实施例非易失性存储器件可以包括电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上的开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。
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10.发明申请Emitter for electron-beam projection lithography system, and method of manufacturing and operating the emitter 有权用于电子束投影光刻系统的发射体，以及制造和操作发射极的方法公开(公告)号：US20050077833A1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：US10962467
申请日：2004-10-13
申请人： In-kyeong Yoo , Chang-wook Moon , Chang-hoon Choi
发明人： In-kyeong Yoo , Chang-wook Moon , Chang-hoon Choi
IPC分类号： G03F7/20 , H01J1/312 , H01J9/02 , H01J37/073 , H01J37/305 , H01L21/027 , H01J7/24 , H05B31/26
CPC分类号： H01J37/073 , H01J2237/31779
摘要： An emitter for an electron-beam projection lithography system includes a photoconductor substrate, an insulating layer formed on a front surface of the photoconductor substrate, a gate electrode layer formed on the insulating layer, and a base electrode layer formed on a rear surface of the photoconductor substrate and formed of a transparent conductive material. In operation of the emitter, a voltage is applied between the base electrode and the gate electrode layer, light is projected onto a portion of the photoconductor substrate to convert the portion of the photoconductor substrate into a conductor such that electrons are emitted only from the partial portion where the light is projected. Since the emitter can partially emit electrons, partial correcting, patterning or repairing of a subject electron-resist can be realized.
摘要翻译： 用于电子束投影光刻系统的发射器包括：感光体基板，形成于感光体基板前表面的绝缘层，形成在绝缘层上的栅极电极层，以及形成在绝缘层的背面上的基极层 感光体基板并由透明导电材料形成。 在发射极的工作中，在基极和栅极电极层之间施加电压，光被投射到光电导体基底的一部分上，以将感光体基底的一部分转换为导体，使电子仅从部分 投射光的部分。 由于发射体可以部分地发射电子，所以可以实现对象电子抗蚀剂的部分校正，图案化或修复。
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