公开(公告)号：US07817461B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11752397

申请日：2007-05-23

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Yong-su Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Yong-su Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11B5/66 ,  G11C19/0808

摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer including a plurality of magnetic domains, first and second ferromagnetic pinned layers formed on lower and upper surfaces of the magnetic layer, respectively, and having opposite magnetization directions, first and second insulating spacers interposed between the first and second ferromagnetic pinned layers and the magnetic layer, respectively, and an energy supplying unit applying energy to the magnetic layer for a magnetic domain wall movement.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 数据存储装置包括：包含多个磁畴的磁性层，分别形成在磁性层的下表面和上表面上并且具有相反的磁化方向的第一和第二铁磁固定层，第一和第二绝缘垫片插入在第一和 第二铁磁钉扎层和磁性层，以及向磁性层施加能量以供磁畴壁运动的能量供给单元。

公开(公告)号：US20080094760A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11752397

申请日：2007-05-23

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Yong-su Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Yong-su Kim

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11B5/66 ,  G11C19/0808

摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer including a plurality of magnetic domains, first and second ferromagnetic pinned layers formed on lower and upper surfaces of the magnetic layer, respectively, and having opposite magnetization directions, first and second insulating spacers interposed between the first and second ferromagnetic pinned layers and the magnetic layer, respectively, and an energy supplying unit applying energy to the magnetic layer for a magnetic domain wall movement.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 数据存储装置包括：包含多个磁畴的磁性层，分别形成在磁性层的下表面和上表面上并且具有相反的磁化方向的第一和第二铁磁固定层，第一和第二绝缘垫片插入在第一和 第二铁磁钉扎层和磁性层，以及向磁性层施加能量以供磁畴壁运动的能量供给单元。

公开(公告)号：US20080137521A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11984478

申请日：2007-11-19

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11B9/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0841

摘要： A data storage device using magnetic domain wall motion may include a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains. A second magnetic layer may be connected to the first magnetic layer, and a connection layer may be disposed between the first and second magnetic layers. A resistive magnetic layer may be disposed between each of the first and second magnetic layers and the connection layer. Accordingly, when current is supplied to the data storage device to move a magnetic domain wall, the leakage of current in a connection between the magnetic layers may be reduced or prevented, thus conserving power.

摘要翻译： 使用磁畴壁运动的数据存储装置可以包括具有多个磁畴的第一磁性层。 第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以设置在第一和第二磁性层之间。 电阻性磁性层可以设置在第一和第二磁性层和连接层中的每一个之间。 因此，当向数据存储装置提供电流以移动磁畴壁时，可以减少或防止磁层之间的连接中的电流泄漏，从而节省功率。

公开(公告)号：US08559279B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US11984478

申请日：2007-11-19

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11B11/00

CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0841

摘要： A data storage device using magnetic domain wall motion may include a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains. A second magnetic layer may be connected to the first magnetic layer, and a connection layer may be disposed between the first and second magnetic layers. A resistive magnetic layer may be disposed between each of the first and second magnetic layers and the connection layer. Accordingly, when current is supplied to the data storage device to move a magnetic domain wall, the leakage of current in a connection between the magnetic layers may be reduced or prevented, thus conserving power.

摘要翻译： 使用磁畴壁运动的数据存储装置可以包括具有多个磁畴的第一磁性层。 第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以设置在第一和第二磁性层之间。 电阻性磁性层可以设置在第一和第二磁性层和连接层中的每一个之间。 因此，当向数据存储装置提供电流以移动磁畴壁时，可以减少或防止磁层之间的连接中的电流泄漏，从而节省功率。

公开(公告)号：US07961491B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11730121

申请日：2007-03-29

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer which has a plurality of magnetic domains, a current applying unit which applies current for a magnetic domain wall movement to the magnetic layer, and a head for reading and writing, wherein the magnetic layer comprises a plurality of perpendicular magnetic layers formed on a substrate in a plurality of rows and columns, and a horizontal magnetic layer formed on the perpendicular magnetic layers to connect the perpendicular magnetic layers.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 该数据存储装置包括具有多个磁畴的磁性层，向磁性层施加用于磁畴壁运动的电流的电流施加单元和用于读取和写入的磁头，其中该磁性层包括多个 在多个行和列中的基板上形成的垂直磁性层，以及形成在垂直磁性层上以连接垂直磁性层的水平磁性层。

公开(公告)号：US20080100963A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11730121

申请日：2007-03-29

申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

IPC分类号： G11B5/74

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer which has a plurality of magnetic domains, a current applying unit which applies current for a magnetic domain wall movement to the magnetic layer, and a head for reading and writing, wherein the magnetic layer comprises a plurality of perpendicular magnetic layers formed on a substrate in a plurality of rows and columns, and a horizontal magnetic layer formed on the perpendicular magnetic layers to connect the perpendicular magnetic layers.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 该数据存储装置包括具有多个磁畴的磁性层，向磁性层施加用于磁畴壁运动的电流的电流施加单元和用于读取和写入的磁头，其中该磁性层包括多个 在多个行和列中的基板上形成的垂直磁性层，以及形成在垂直磁性层上以连接垂直磁性层的水平磁性层。

公开(公告)号：US08580408B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US11946333

申请日：2007-11-28

申请人： Yong-su Kim ,  Sung-chul Lee

发明人： Yong-su Kim ,  Sung-chul Lee

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808

摘要： An apparatus for moving a magnetic domain wall and a memory device using a magnetic field application unit are provided. The apparatus for moving a magnetic domain wall includes a magnetic layer having a plurality of magnetic domains; current supply units that are disposed on both sides of the magnetic layer and supply current to the magnetic layer; and a magnetic field application unit that is disposed on at least one surface of the magnetic layer and applies a magnetic field to the magnetic layer.

摘要翻译： 提供一种使用磁场施加单元移动磁畴壁和存储装置的装置。 用于移动磁畴壁的装置包括具有多个磁畴的磁性层; 电流供给单元，其设置在磁性层的两侧并向磁性层供给电流; 以及设置在所述磁性层的至少一个表面上并向所述磁性层施加磁场的磁场施加单元。

公开(公告)号：US08848432B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13591809

申请日：2012-08-22

申请人： Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-man Jang ,  Ung-hwan Pi

发明人： Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-man Jang ,  Ung-hwan Pi

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121

摘要： Magnetoresistive elements, and memory devices including the same, include a free layer having a changeable magnetization direction, a pinned layer facing the free layer and having a fixed magnetization direction, and an auxiliary element on a surface of the pinned layer. The auxiliary element has a width smaller than a width of the pinned layer, and a magnetization direction fixed to a direction the same as a direction of the fixed magnetization direction of the pinned layer.

摘要翻译： 磁阻元件和包括它们的存储器件包括具有可变磁化方向的自由层，面向自由层的固定层并且具有固定的磁化方向，以及在被钉扎层的表面上的辅助元件。 辅助元件的宽度小于钉扎层的宽度，并且固定在与被钉扎层的固定磁化方向的方向相同的方向上的磁化方向。

公开(公告)号：US08574730B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12155896

申请日：2008-06-11

申请人： Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Ji-young Bae ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Ji-young Bae ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee

IPC分类号： G11B5/76 ,  G11C19/08 ,  H01L35/04

CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C11/14

摘要： Information storage devices and methods of manufacturing the same are provided. A magnetic track of the information storage device includes a magnetic layer in which at least one magnetic domain forming region and at least one magnetic domain wall forming region are alternately disposed in a lengthwise direction. The at least one magnetic domain forming regions has a different magnetic anisotropic energy relative to the at least one magnetic domain wall forming region. An intermediate layer is formed under the magnetic layer. The intermediate layer includes at least one first material region and at least one second material region. Each of the at least one first material regions and the at least one second material regions corresponds to one of the at least one magnetic domain forming regions and the at least one magnetic domain wall forming regions.

公开(公告)号：US08421545B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US13099684

申请日：2011-05-03

申请人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

发明人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

IPC分类号： H03L7/26 ,  H03B28/00 ,  H01L29/82

CPC分类号： H03B15/006

摘要： Oscillators and methods of operating the same, the oscillators include a pinned layer having a fixed magnetization direction, a first free layer over the pinned layer, and a second free layer over the first free layer. The oscillators are configured to generate a signal using precession of a magnetic moment of at least one of the first and second free layers.

摘要翻译： 振荡器及其操作方法，振荡器包括具有固定磁化方向的钉扎层，被钉扎层上的第一自由层，以及在第一自由层上的第二自由层。 振荡器被配置为使用第一和第二自由层中的至少一个的磁矩的进动来产生信号。