公开(公告)号：US07310140B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US10877684

申请日：2004-06-25

申请人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Yun-Jung Jee ,  Joung-Soo Kim ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

发明人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Yun-Jung Jee ,  Joung-Soo Kim ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/47 ,  G01N21/55 ,  G01N2021/556

摘要： In a method and an apparatus for inspecting a wafer surface, a wafer is loaded into a chamber. An incident light including a first light for sensing a vertical position of the wafer and a second light for inspecting the wafer surface is irradiated onto the wafer. The first light is reflected on an inspection region or a next inspection region of the wafer and is detected to control a wafer position. The second light is scattered on the inspection region and is detected to inspect the wafer surface of the inspection region. Position information of a wafer is examined and a position of the wafer is adjusted before inspecting a surface of inspection region of a wafer so as to enable accurate inspection of the wafer surface.

摘要翻译： 在用于检查晶片表面的方法和装置中，将晶片装入室中。 将包括用于感测晶片的垂直位置的第一光和用于检查晶片表面的第二光的入射光照射到晶片上。 第一光被反射在晶片的检查区域或下一个检查区域上，并被检测以控制晶片位置。 第二光被分散在检查区域上，并被检测以检查检查区域的晶片表面。 在检查晶片的检查区域的表面之前检查晶片的位置信息并调整晶片的位置，以便能够精确地检查晶片表面。

公开(公告)号：US07271890B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10903852

申请日：2004-07-30

申请人： Joung-Soo Kim ,  Yu-Sin Yang ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

发明人： Joung-Soo Kim ,  Yu-Sin Yang ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/55

摘要： In a method for inspecting a defect in accordance with one aspect of the present invention, an object is divided into a plurality of regions. Reflectivity of each of the plurality of regions is obtained. Amplification ratio for each region is determined using the reflectivity. A light is irradiated onto the regions. A light reflected from a first region is amplified by a first amplification ratio that is determined for the first region. Moving the irradiated light from the first region to a second region is detected. A light reflected from the second region is amplified by a second amplification ratio that is determined for the second region. The amplified lights from the first region and the second region are analyzed to determine an existence of a defect on the object.

摘要翻译： 在根据本发明的一个方面的用于检查缺陷的方法中，对象被分成多个区域。 获得多个区域中的每一个的反射率。 使用反射率确定每个区域的放大率。 光照射到这些区域上。 从第一区域反射的光被第一区域确定的第一放大率放大。 检测到将照射的光从第一区域移动到第二区域。 从第二区域反射的光被第二区域确定的第二放大率放大。 分析来自第一区域和第二区域的放大的光以确定物体上存在缺陷。

公开(公告)号：US20050094137A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10903852

申请日：2004-07-30

申请人： Joung-Soo Kim ,  Yu-Sin Yang ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

发明人： Joung-Soo Kim ,  Yu-Sin Yang ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/00 ,  G01N21/55 ,  G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/55

摘要： In a method for inspecting a defect in accordance with one aspect of the present invention, an object is divided into a plurality of regions. Reflectivity of each of the plurality of regions is obtained. Amplification ratio for each region is determined using the reflectivity. A light is irradiated onto the regions. A light reflected from a first region is amplified by a first amplification ratio that is determined for the first region. Moving the irradiated light from the first region to a second region is detected. A light reflected from the second region is amplified by a second amplification ratio that is determined for the second region. The amplified lights from the first region and the second region are analyzed to determine an existence of a defect on the object.

摘要翻译： 在根据本发明的一个方面的用于检查缺陷的方法中，对象被分成多个区域。 获得多个区域中的每一个的反射率。 使用反射率确定每个区域的放大率。 光照射到这些区域上。 从第一区域反射的光被第一区域确定的第一放大率放大。 检测到将照射的光从第一区域移动到第二区域。 从第二区域反射的光被第二区域确定的第二放大率放大。 分析来自第一区域和第二区域的放大的光以确定物体上存在缺陷。

公开(公告)号：US06927077B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10704753

申请日：2003-11-12

申请人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

发明人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/303 ,  G01R31/311 ,  H01L21/00 ,  G01N21/00 ,  G01R31/302

CPC分类号： G01R31/303 ,  G01R31/311

摘要： An apparatus for measuring contamination of a semiconductor substrate includes a chuck for loading a substrate, a position detection means for recognizing a front surface of the loaded substrate to obtain position data of a portion of the substrate to be measured, a first driving part for moving the chuck in accordance with the position data to measure a rear portion of the substrate, and a surface measurement means disposed under the chuck for selectively measuring metal contamination of the substrate at the rear portion of the substrate. In operation, the substrate is loaded onto a chuck, position data of a portion of the substrate to be measured is obtained by recognizing patterns formed on the substrate, the substrate is then moved in accordance with the position data to measure a rear portion of the substrate, and metal contamination is selectively measured at the rear portion of the substrate.

摘要翻译： 一种用于测量半导体衬底的污染的装置，包括用于装载衬底的卡盘，位置检测装置，用于识别所加载的衬底的前表面，以获得要测量的衬底的一部分的位置数据，用于移动的第一驱动部件 所述卡盘根据位置数据来测量所述基板的后部;以及表面测量装置，设置在所述卡盘下方，用于选择性地测量所述基板的后部处的所述基板的金属污染。 在操作中，将基板装载到卡盘上，通过识别形成在基板上的图案来获得要测量的基板的一部分的位置数据，然后根据位置数据移动基板，以测量基板的后部 衬底和金属污染物在衬底的后部被选择性地测量。

公开(公告)号：US07433032B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US11253028

申请日：2005-10-17

申请人： Joung-Soo Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang

发明人： Joung-Soo Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang

IPC分类号： G01B15/00 ,  G01N21/00

CPC分类号： G01N21/95607 ,  G01N21/21 ,  G01N21/47

摘要： In a method of inspecting defects, a first actual region of an actual object is inspected based on a first characteristic parameter as an inspection condition. A point where an inspection region of the actual object is changed into a second actual region from the first actual region is determined. The second actual region is then inspected based on a second characteristic parameter as the inspection condition. The first and second parameters may include contrast of a light that is reflected from a reference object, intensity of the light, brightness of the light, a size of a minute structure on the reference object, etc. The characteristic parameters of each reference region on the reference object are set. Thus, the defects may be accurately classified so that a time and a cost for reviewing the defects may be markedly reduced.

摘要翻译： 在检查缺陷的方法中，基于作为检查条件的第一特征参数来检查实际物体的第一实际区域。 确定实际物体的检查区域从第一实际区域变为第二实际区域的点。 然后基于作为检查条件的第二特征参数检查第二实际区域。 第一和第二参数可以包括从参考对象反射的光的对比度，光的强度，光的亮度，参考对象上的微小结构的大小等。每个参考区域的特征参数在 参考对象被设置。 因此，可以将缺陷精确地分类，从而可以显着降低检查缺陷的时间和成本。

公开(公告)号：US20060082766A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11253028

申请日：2005-10-17

申请人： Joung-Soo Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang

发明人： Joung-Soo Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang

IPC分类号： G01N21/88

CPC分类号： G01N21/95607 ,  G01N21/21 ,  G01N21/47

摘要： In a method of inspecting defects, a first actual region of an actual object is inspected based on a first characteristic parameter as an inspection condition. A point where an inspection region of the actual object is changed into a second actual region from the first actual region is determined. The second actual region is then inspected based on a second characteristic parameter as the inspection condition. The first and second parameters may include contrast of a light that is reflected from a reference object, intensity of the light, brightness of the light, a size of a minute structure on the reference object, etc. The characteristic parameters of each reference region on the reference object are set. Thus, the defects may be accurately classified so that a time and a cost for reviewing the defects may be markedly reduced.

摘要翻译： 在检查缺陷的方法中，基于作为检查条件的第一特征参数来检查实际物体的第一实际区域。 确定实际物体的检查区域从第一实际区域变为第二实际区域的点。 然后基于作为检查条件的第二特征参数检查第二实际区域。 第一和第二参数可以包括从参考对象反射的光的对比度，光的强度，光的亮度，参考对象上的微小结构的大小等。每个参考区域的特征参数在 参考对象被设置。 因此，可以将缺陷精确地分类，从而可以显着降低检查缺陷的时间和成本。

公开(公告)号：US20070188185A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11710543

申请日：2007-02-26

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/1263

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US07186280B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US11175363

申请日：2005-07-07

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/1263 ,  Y10T29/41

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US20060022698A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11175363

申请日：2005-07-07

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/1263 ,  Y10T29/41

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US07573568B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US10909238

申请日：2004-07-30

申请人： Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

发明人： Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G03F7/70608 ,  G03F7/70616

摘要： An apparatus for monitoring a photolithography process includes a measurer and a data processor. The measurer measures an optical characteristic of a substrate. The data processor determines defectiveness of the substrate based on the optical the measurer.

摘要翻译： 用于监测光刻工艺的装置包括测量器和数据处理器。 测量器测量衬底的光学特性。 数据处理器基于光学测量器来确定衬底的缺陷。