公开(公告)号：US20070188185A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11710543

申请日：2007-02-26

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/1263

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US07310140B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US10877684

申请日：2004-06-25

申请人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Yun-Jung Jee ,  Joung-Soo Kim ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

发明人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Chung-Sam Jun ,  Yun-Jung Jee ,  Joung-Soo Kim ,  Moon-Kyung Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/47 ,  G01N21/55 ,  G01N2021/556

摘要： In a method and an apparatus for inspecting a wafer surface, a wafer is loaded into a chamber. An incident light including a first light for sensing a vertical position of the wafer and a second light for inspecting the wafer surface is irradiated onto the wafer. The first light is reflected on an inspection region or a next inspection region of the wafer and is detected to control a wafer position. The second light is scattered on the inspection region and is detected to inspect the wafer surface of the inspection region. Position information of a wafer is examined and a position of the wafer is adjusted before inspecting a surface of inspection region of a wafer so as to enable accurate inspection of the wafer surface.

摘要翻译： 在用于检查晶片表面的方法和装置中，将晶片装入室中。 将包括用于感测晶片的垂直位置的第一光和用于检查晶片表面的第二光的入射光照射到晶片上。 第一光被反射在晶片的检查区域或下一个检查区域上，并被检测以控制晶片位置。 第二光被分散在检查区域上，并被检测以检查检查区域的晶片表面。 在检查晶片的检查区域的表面之前检查晶片的位置信息并调整晶片的位置，以便能够精确地检查晶片表面。

公开(公告)号：US07186280B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US11175363

申请日：2005-07-07

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/1263 ,  Y10T29/41

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US20060022698A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11175363

申请日：2005-07-07

申请人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

发明人： Tae-Min Eom ,  Chung-Sam Jun ,  Yu-Sin Yang ,  Yun-Jung Jee

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/1263 ,  Y10T29/41

摘要： A method of inspecting a leakage current of a dielectric layer on a substrate including a cell array region having a plurality of cell blocks including a patterned structure, the dielectric layer formed on the patterned structure, and a peripheral circuit region includes depositing a corona ion charge on a cell block selected from the plurality of cell blocks and measuring a variance of a surface voltage caused by a leakage current through the dielectric layer on the selected cell block. The variance of the surface voltage is compared with reference data to determine a leakage current characteristic of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在包括具有包括图案化结构的多个单元块，形成在图案化结构上的电介质层和外围电路区域的单元阵列区域的基板上检查介质层的漏电流的方法，包括沉积电晕离子电荷 在从所述多个单元块中选择的单元块上测量由所选择的单元块上的介电层的漏电流引起的表面电压的方差。 将表面电压的方差与参考数据进行比较，以确定电介质层的漏电流特性。

公开(公告)号：US06927077B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10704753

申请日：2003-11-12

申请人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

发明人： Tae-Min Eom ,  Yu-Sin Yang ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung-Sam Jun

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/303 ,  G01R31/311 ,  H01L21/00 ,  G01N21/00 ,  G01R31/302

CPC分类号： G01R31/303 ,  G01R31/311

摘要： An apparatus for measuring contamination of a semiconductor substrate includes a chuck for loading a substrate, a position detection means for recognizing a front surface of the loaded substrate to obtain position data of a portion of the substrate to be measured, a first driving part for moving the chuck in accordance with the position data to measure a rear portion of the substrate, and a surface measurement means disposed under the chuck for selectively measuring metal contamination of the substrate at the rear portion of the substrate. In operation, the substrate is loaded onto a chuck, position data of a portion of the substrate to be measured is obtained by recognizing patterns formed on the substrate, the substrate is then moved in accordance with the position data to measure a rear portion of the substrate, and metal contamination is selectively measured at the rear portion of the substrate.

摘要翻译： 一种用于测量半导体衬底的污染的装置，包括用于装载衬底的卡盘，位置检测装置，用于识别所加载的衬底的前表面，以获得要测量的衬底的一部分的位置数据，用于移动的第一驱动部件 所述卡盘根据位置数据来测量所述基板的后部;以及表面测量装置，设置在所述卡盘下方，用于选择性地测量所述基板的后部处的所述基板的金属污染。 在操作中，将基板装载到卡盘上，通过识别形成在基板上的图案来获得要测量的基板的一部分的位置数据，然后根据位置数据移动基板，以测量基板的后部 衬底和金属污染物在衬底的后部被选择性地测量。

公开(公告)号：US06869215B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10447104

申请日：2003-05-29

申请人： Yu-Sin Yang ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung Sam Jun ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Tae-Min Eom

发明人： Yu-Sin Yang ,  Sang-Mun Chon ,  Sun-Yong Choi ,  Chung Sam Jun ,  Kwan-Woo Ryu ,  Park-Song Kim ,  Tae-Min Eom

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N25/72 ,  G01K11/00

CPC分类号： G01N25/72

摘要： A method and apparatus for detecting contaminants in an ion-implanted wafer by annealing and activating the ion-implanted wafer by heating or charging or both, and measuring the thermal wave absorbance generated from the activated wafer.

摘要翻译： 一种用于通过加热或充电或两者退火和激活离子注入晶片并测量从活化晶片产生的热波吸收来检测离子注入晶片中的污染物的方法和装置。

公开(公告)号：US20060157694A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11328014

申请日：2006-01-09

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A metal oxide alloy layer comprises a first layer including a first metal oxide and having a first thickness, and a second layer formed on the first layer, the second layer including a second metal oxide and having a second thickness, wherein a value of the first thickness is such that the first metal oxide is allowed to move into the second layer and a value of the second thickness is such that the second metal oxide is allowed to move into the first layer to form a single-layered structure in which the first and second metal oxides are mixed.

摘要翻译： 金属氧化物合金层包括包含第一金属氧化物并且具有第一厚度的第一层，以及形成在第一层上的第二层，第二层包括第二金属氧化物并具有第二厚度，其中第一层 厚度使得第一金属氧化物被允许移动到第二层中，并且第二厚度的值使得允许第二金属氧化物移动到第一层中以形成单层结构，其中第一和第 第二金属氧化物混合。

公开(公告)号：US08138057B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12196566

申请日：2008-08-22

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A metal oxide alloy layer comprises a first layer including a first metal oxide and having a first thickness, and a second layer formed on the first layer, the second layer including a second metal oxide and having a second thickness, wherein a value of the first thickness is such that the first metal oxide is allowed to move into the second layer and a value of the second thickness is such that the second metal oxide is allowed to move into the first layer to form a single-layered structure in which the first and second metal oxides are mixed.

摘要翻译： 金属氧化物合金层包括包含第一金属氧化物并且具有第一厚度的第一层，以及形成在第一层上的第二层，第二层包括第二金属氧化物并具有第二厚度，其中第一层 厚度使得第一金属氧化物被允许移动到第二层中，并且第二厚度的值使得允许第二金属氧化物移动到第一层中以形成单层结构，其中第一和第 第二金属氧化物混合。

公开(公告)号：US07427573B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US11328014

申请日：2006-01-09

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Tae-Min Eom ,  Ji-Hyun Lee

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A metal oxide alloy layer comprises a first layer including a first metal oxide and having a first thickness, and a second layer formed on the first layer, the second layer including a second metal oxide and having a second thickness, wherein a value of the first thickness is such that the first metal oxide is allowed to move into the second layer and a value of the second thickness is such that the second metal oxide is allowed to move into the first layer to form a single-layered structure in which the first and second metal oxides are mixed.

摘要翻译： 金属氧化物合金层包括包含第一金属氧化物并且具有第一厚度的第一层，以及形成在第一层上的第二层，第二层包括第二金属氧化物并具有第二厚度，其中第一层 厚度使得第一金属氧化物被允许移动到第二层中，并且第二厚度的值使得允许第二金属氧化物移动到第一层中以形成单层结构，其中第一和第 第二金属氧化物混合。