专利检索 ap:("Thomas E. Erstfeld") AND inv:"Thomas E. Erstfeld" 第 1 页

1.

发明授权
Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a binary alloy as the metallic source 失效
标题翻译：利用二元合金作为金属源的III-V族化合物的外延沉积工艺

公开(公告)号：US4504329A

公开(公告)日：1985-03-12

申请号：US539603

申请日：1983-10-06

申请人： Kenneth P. Quinlan , Thomas E. Erstfeld

发明人： Kenneth P. Quinlan , Thomas E. Erstfeld

IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/14 , H01L21/205 , H01L21/365

CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/14 , C30B29/40

摘要： The present invention provides for the deposition of group III-V ternary epitaxial films onto the surfaces of suitable semiconductor substrates. The deposition is accomplished by a vapor phase epitaxy-hydride technique using a group III binary alloy as a group III metal source and phosphine, arsine or stibine as a group V hydride source.

摘要翻译： 本发明提供III-V族三元外延膜沉积到合适的半导体衬底的表面上。通过使用III族二元合金作为III族金属源和膦，胂或锑碱作为V族氢化物源的气相外延 - 氢化物技术实现沉积。

2.

发明授权
Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a continuous in-situ hydrogen chloride etch 失效
标题翻译：利用连续原位氯化氢蚀刻外延沉积III-V化合物的方法

公开(公告)号：US4488914A

公开(公告)日：1984-12-18

申请号：US437655

申请日：1982-10-29

申请人： Kenneth P. Quinlan , Thomas E. Erstfeld

发明人： Kenneth P. Quinlan , Thomas E. Erstfeld

IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/322

CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L21/02658

摘要： A process for depositing an epitaxial film of a III-V compound onto the surface of a crystallographically compatible substrate which includes contacting said substrate with a vaporous mixture of a group III element and a group V element to effect the deposition of a group III-V compound thereon while simultaneously introducing a flow of hydrogen halide gas during deposition of the group III-V compound.

摘要翻译： 一种用于将III-V族化合物的外延膜沉积到晶体学兼容的衬底的表面上的方法，其包括使所述衬底与III族元素和V族元素的气态混合物接触以实现III-V族在其上，同时在沉积III-V族化合物期间引入卤化氢气体流。

3.

发明授权
Method for the preparation of epitaxial films of mercury cadmium telluride 失效
标题翻译：汞碲化镉外延膜的制备方法

公开(公告)号：US4487640A

公开(公告)日：1984-12-11

申请号：US468781

申请日：1983-02-22

申请人： Thomas E. Erstfeld

发明人： Thomas E. Erstfeld

IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/14 , H01L21/365 , H01L29/221

CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/02 , C30B29/48

摘要： A method for depositing a (Hg,Cd)Te film onto a CdTe substrate by using two separate vaporizeable sources of reactant materials each maintained at separate and distinct temperatures followed by the step of mixing both of each sources with a hydrogen halide gas and passing the resulting mixtures over a CdTe substrate maintained at a lower temperature distinct and different from the temperatures maintained during vaporization of the two distinct vaporizeable sources.

摘要翻译： 一种通过使用两个分离的可蒸发的反应物质源将（Hg，Cd）Te膜沉积到CdTe基板上的方法，每个反应物材料分别保持在独立和不同的温度，随后将每个源与卤化氢气体混合并将保持在较低温度下的CdTe底物上产生的混合物不同于在两个不同的可蒸发源的汽化期间保持的温度。