公开(公告)号：US08586960B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12142239

申请日：2008-06-19

申请人： Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

发明人： Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/2481 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： An integrated circuit includes a substrate including isolation regions, a first conductive line formed in the substrate between isolation regions, and a vertical diode formed in the substrate. The integrated circuit includes a contact coupled to the vertical diode and a memory element coupled to the contact. The first conductive line provides a portion of the vertical diode.

公开(公告)号：US20090200534A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12027675

申请日：2008-02-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including at least the steps of providing a Si-containing substrate; forming an insulating layer on the Si-containing substrate; forming a via through the insulating layer to expose at least a portion of the Si-containing substrate; forming a seed layer of the exposed portion of the Si containing substrate; forming amorphous Si on at least the seed layer; converting at least a portion of the amorphous Si to provide crystalline Si; and forming a first dopant region abutting a second dopant region in the crystalline Si.

摘要翻译： 本发明在一个实施方案中提供了一种制备PN结的方法，所述方法至少包括提供含Si衬底的步骤; 在含Si衬底上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以露出所述含Si衬底的至少一部分; 形成含Si衬底的暴露部分的种子层; 在至少种子层上形成非晶态Si; 转化至少一部分非晶Si以提供晶体Si; 以及形成邻接所述晶体Si中的第二掺杂区的第一掺杂区。

公开(公告)号：US20090185411A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12017581

申请日：2008-01-22

申请人： Thomas Happ ,  Chung Hon Lam ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

发明人： Thomas Happ ,  Chung Hon Lam ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： The integrated circuit includes a first metal line and a first diode coupled to the first metal line. The integrated circuit includes a first resistivity changing material coupled to the first diode and a second metal line coupled to the first resistivity changing material.

摘要翻译： 集成电路包括耦合到第一金属线的第一金属线和第一二极管。 集成电路包括耦合到第一二极管的第一电阻率变化材料和耦合到第一电阻率变化材料的第二金属线。

公开(公告)号：US07955958B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12027675

申请日：2008-02-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including at least the steps of providing a Si-containing substrate; forming an insulating layer on the Si-containing substrate; forming a via through the insulating layer to expose at least a portion of the Si-containing substrate; forming a seed layer of the exposed portion of the Si containing substrate; forming amorphous Si on at least the seed layer; converting at least a portion of the amorphous Si to provide crystalline Si; and forming a first dopant region abutting a second dopant region in the crystalline Si.

摘要翻译： 本发明在一个实施方案中提供了一种制备PN结的方法，所述方法至少包括提供含Si衬底的步骤; 在含Si衬底上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以暴露所述含Si衬底的至少一部分; 形成含Si衬底的暴露部分的种子层; 在至少种子层上形成非晶态Si; 转化至少一部分非晶Si以提供晶体Si; 以及形成邻接所述晶体Si中的第二掺杂区的第一掺杂区。

公开(公告)号：US20090316473A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12142239

申请日：2008-06-19

申请人： Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

发明人： Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L27/2481 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： An integrated circuit includes a substrate including isolation regions, a first conductive line formed in the substrate between isolation regions, and a vertical diode formed in the substrate. The integrated circuit includes a contact coupled to the vertical diode and a memory element coupled to the contact. The first conductive line provides a portion of the vertical diode.

摘要翻译： 集成电路包括包括隔离区域的衬底，在隔离区域之间的衬底中形成的第一导电线和形成在衬底中的垂直二极管。 集成电路包括耦合到垂直二极管的触点和耦合到触点的存储元件。 第一导线提供垂直二极管的一部分。

公开(公告)号：US08637844B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13097307

申请日：2011-04-29

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including at least the steps of providing a Si-containing substrate; forming an insulating layer on the Si-containing substrate; forming a via through the insulating layer to expose at least a portion of the Si-containing substrate; forming a seed layer of the exposed portion of the Si containing substrate; forming amorphous Si on at least the seed layer; converting at least a portion of the amorphous Si to provide crystalline Si; and forming a first dopant region abutting a second dopant region in the crystalline Si.

摘要翻译： 本发明在一个实施方案中提供了一种制备PN结的方法，所述方法至少包括提供含Si衬底的步骤; 在含Si衬底上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以露出所述含Si衬底的至少一部分; 形成含Si衬底的暴露部分的种子层; 在至少种子层上形成非晶态Si; 转化至少一部分非晶Si以提供晶体Si; 以及形成邻接所述晶体Si中的第二掺杂区的第一掺杂区。

公开(公告)号：US20110198557A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13097307

申请日：2011-04-29

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including at least the steps of providing a Si-containing substrate; forming an insulating layer on the Si-containing substrate; forming a via through the insulating layer to expose at least a portion of the Si-containing substrate; forming a seed layer of the exposed portion of the Si containing substrate; forming amorphous Si on at least the seed layer; converting at least a portion of the amorphous Si to provide crystalline Si; and forming a first dopant region abutting a second dopant region in the crystalline Si.

摘要翻译： 本发明在一个实施方案中提供了一种制备PN结的方法，所述方法至少包括提供含Si衬底的步骤; 在含Si衬底上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以露出所述含Si衬底的至少一部分; 形成含Si衬底的暴露部分的种子层; 在至少种子层上形成非晶态Si; 转化至少一部分非晶Si以提供晶体Si; 以及形成邻接所述晶体Si中的第二掺杂区的第一掺杂区。

公开(公告)号：US20090176354A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US11970100

申请日：2008-01-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including providing a single crystal substrate; forming an insulating layer on the single crystal substrate; forming a via through the insulating layer to provide an exposed portion of the single crystal substrate; forming amorphous Si on at least the exposed portion of the single crystal substrate; converting at least a portion of the amorphous Si into single crystal Si; and forming dopant regions in the single crystal Si. In one embodiment the diode of the present invention is integrated with a memory device.

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供了一种制造PN结的方法，该方法包括提供单晶衬底; 在单晶基板上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以提供所述单晶衬底的暴露部分; 在单晶衬底的至少暴露部分上形成非晶Si; 将至少一部分非晶Si转化为单晶Si; 并在单晶Si中形成掺杂区。 在一个实施例中，本发明的二极管与存储器件集成。

公开(公告)号：US07902051B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11970100

申请日：2008-01-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/331 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including providing a single crystal substrate; forming an insulating layer on the single crystal substrate; forming a via through the insulating layer to provide an exposed portion of the single crystal substrate; forming amorphous Si on at least the exposed portion of the single crystal substrate; converting at least a portion of the amorphous Si into single crystal Si; and forming dopant regions in the single crystal Si. In one embodiment the diode of the present invention is integrated with a memory device.

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供了一种制造PN结的方法，该方法包括提供单晶衬底; 在单晶基板上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以提供所述单晶衬底的暴露部分; 在单晶衬底的至少暴露部分上形成非晶Si; 将至少一部分非晶Si转化为单晶Si; 并在单晶Si中形成掺杂区。 在一个实施例中，本发明的二极管与存储器件集成。

公开(公告)号：US08030634B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12060075

申请日：2008-03-31

申请人： Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang ,  Thomas D. Happ ,  Bipin Rajendran

发明人： Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang ,  Thomas D. Happ ,  Bipin Rajendran

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00

CPC分类号： H01L27/24

摘要： A memory array with self-centered diode access devices results from a process in which diodes are formed in the fill material, each diode having a lightly-doped first layer of the same conductivity type as the conductive lines; a heavily doped second layer of opposite conductivity type; and a conductive cap. Self-aligned, and self-centered spacers in the self-aligned vias define pores that expose the conductive cap. Memory material is deposited within the pores, the memory material making contact with the conductive cap. A top electrode is formed in contact with the memory material.

摘要翻译： 具有自中心二极管接入装置的存储器阵列是由填充材料中形成二极管的过程产生的，每个二极管具有与导电线相同导电类型的轻掺杂第一层; 相反导电类型的重掺杂第二层; 和导电帽。 自对准和自对准的自对准通孔中的间隔物限定暴露导电盖的孔。 记忆材料沉积在孔内，记忆材料与导电帽接触。 形成与记忆材料接触的顶部电极。