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    HIGH FIDELITY MULTIPLE RESIST PATTERNING
    1.
    发明申请
    HIGH FIDELITY MULTIPLE RESIST PATTERNING 审中-公开
    高清多重电阻图案

    公开(公告)号：US20080292991A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：US11753443

    申请日：2007-05-24

    申请人： Thomas I. Wallow ,  Ryoung-Han Kim ,  Jongwook Kye

    发明人： Thomas I. Wallow ,  Ryoung-Han Kim ,  Jongwook Kye

    IPC分类号： G03C5/00 ,  H01L21/31

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3086

    摘要： An integrated circuit fabrication process as described herein employs a double photoresist exposure technique. After creation of a first pattern of photoresist features on a wafer, a second photoresist layer is formed over the first pattern of photoresist features. The second photoresist layer is subjected to a reflow step that softens and relaxes the second photoresist material. This reflow step causes the exposed surface of the second photoresist layer to become substantially planar. Thereafter, the second photoresist layer can be exposed and developed to create a second pattern of photoresist features on the wafer. The planar surface of the second photoresist layer, which results from the reflow step, facilitates the creation of accurate, precise, and “high fidelity” photoresist features from the second photoresist material.

    摘要翻译： 本文所述的集成电路制造工艺采用双光致抗蚀剂曝光技术。 在晶片上形成光致抗蚀剂特征的第一图案之后，在光致抗蚀剂特征的第一图案之上形成第二光致抗蚀剂层。 对第二光致抗蚀剂层进行软化和松弛第二光致抗蚀剂材料的回流步骤。 该回流步骤使得第二光致抗蚀剂层的暴露表面变得基本上平坦。 此后，可以对第二光致抗蚀剂层进行曝光和显影以在晶片上产生光致抗蚀剂特征的第二图案。 由回流步骤产生的第二光致抗蚀剂层的平坦表面有助于从第二光致抗蚀剂材料产生准确，精确和“高保真”的光致抗蚀剂特征。

    MULTIPLE EXPOSURE TECHNIQUE USING OPC TO CORRECT DISTORTION
    2.
    发明申请
    MULTIPLE EXPOSURE TECHNIQUE USING OPC TO CORRECT DISTORTION 有权
    使用OPC纠正错误的多次曝光技术

    公开(公告)号：US20090040483A1

    公开(公告)日：2009-02-12

    申请号：US11834979

    申请日：2007-08-07

    申请人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

    发明人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

    IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/68

    CPC分类号： G03B27/42

    摘要： Accurate ultrafine patterns are formed using a multiple exposure technique comprising implementing an OPC procedure to form an exposure reticle to compensate for distortion of an overlying resist pattern caused by an underlying resist pattern. Embodiments include forming a first resist pattern in a first resist layer over a target layer using a first exposure reticle, forming a second exposure reticle by an OPC technique to compensate for distortion of a second resist pattern caused by the underlying first resist pattern, depositing a second resist layer on the first resist pattern, forming the second resist pattern in the second resist layer using the second exposure reticle, the first and second resist patterns constituting a final resist mask, and forming a pattern in the target layer using the final resist mask.

    摘要翻译： 使用多重曝光技术形成精确的超细纹图案，该技术包括实施OPC程序以形成曝光掩模版，以补偿由下面的抗蚀剂图案引起的上覆抗蚀剂图案的变形。 实施例包括使用第一曝光掩模在目标层上在第一抗蚀剂层中形成第一抗蚀剂图案，通过OPC技术形成第二曝光掩模版，以补偿由下面的第一抗蚀剂图案引起的第二抗蚀剂图案的变形， 在第一抗蚀剂图案上的第二抗蚀剂层，使用第二曝光掩模在第二抗蚀剂层中形成第二抗蚀剂图案，第一和第二抗蚀剂图案构成最终抗蚀剂掩模，并且使用最终抗蚀剂掩模在目标层中形成图案 。

    Multiple exposure technique using OPC to correct distortion
    6.
    发明授权
    Multiple exposure technique using OPC to correct distortion 有权
    使用OPC多重曝光技术纠正失真

    公开(公告)号：US07829266B2

    公开(公告)日：2010-11-09

    申请号：US11834979

    申请日：2007-08-07

    申请人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

    发明人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03B27/42

    摘要： Accurate ultrafine patterns are formed using a multiple exposure technique comprising implementing an OPC procedure to form an exposure reticle to compensate for distortion of an overlying resist pattern caused by an underlying resist pattern. Embodiments include forming a first resist pattern in a first resist layer over a target layer using a first exposure reticle, forming a second exposure reticle by an OPC technique to compensate for distortion of a second resist pattern caused by the underlying first resist pattern, depositing a second resist layer on the first resist pattern, forming the second resist pattern in the second resist layer using the second exposure reticle, the first and second resist patterns constituting a final resist mask, and forming a pattern in the target layer using the final resist mask.

    摘要翻译： 使用多重曝光技术形成精确的超细纹图形，其包括实施OPC过程以形成曝光掩模版，以补偿由下面的抗蚀剂图案引起的上覆抗蚀剂图案的变形。 实施例包括使用第一曝光掩模在目标层上在第一抗蚀剂层中形成第一抗蚀剂图案，通过OPC技术形成第二曝光掩模版，以补偿由下面的第一抗蚀剂图案引起的第二抗蚀剂图案的变形， 在第一抗蚀剂图案上的第二抗蚀剂层，使用第二曝光掩模在第二抗蚀剂层中形成第二抗蚀剂图案，第一和第二抗蚀剂图案构成最终抗蚀剂掩模，并且使用最终抗蚀剂掩模在目标层中形成图案 。

    Methods for performing photolithography using BARCs having graded optical properties
    7.
    发明授权
    Methods for performing photolithography using BARCs having graded optical properties 有权
    使用具有渐变光学特性的BARC进行光刻的方法

    公开(公告)号：US08153351B2

    公开(公告)日：2012-04-10

    申请号：US12255514

    申请日：2008-10-21

    申请人： Thomas I. Wallow ,  Jongwook Kye

    发明人： Thomas I. Wallow ,  Jongwook Kye

    IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11

    CPC分类号： G03F7/091

    摘要： Photolithography methods using BARCs having graded optical properties are provided. In an exemplary embodiment, a photolithography method comprises the steps of depositing a BARC overlying a material to be patterned, the BARC having a refractive index and an absorbance. The BARC is modified such that, after the step of modifying, values of the refractive index and the absorbance are graded from first values at a first surface of the BARC to second values at a second surface of the BARC. The step of modifying is performed after the step of depositing.

    摘要翻译： 提供了使用具有渐变光学特性的BARC的光刻方法。 在示例性实施例中，光刻方法包括沉积覆盖待图案化材料的BARC，BARC具有折射率和吸光度的步骤。 修改BARC使得在修改步骤之后，折射率和吸光度的值从BARC的第一表面处的第一值到BARC的第二表面处的第二值分级。 在存放步骤之后执行修改步骤。

    EUV diffractive optical element for semiconductor wafer lithography and method for making same
    8.
    发明申请
    EUV diffractive optical element for semiconductor wafer lithography and method for making same 审中-公开
    用于半导体晶片光刻的EUV衍射光学元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080259458A1

    公开(公告)日：2008-10-23

    申请号：US11788355

    申请日：2007-04-18

    申请人： Bruno M. LaFontaine ,  Ryoung-Han Kim ,  Jongwook Kye

    发明人： Bruno M. LaFontaine ,  Ryoung-Han Kim ,  Jongwook Kye

    IPC分类号： G02B5/18

    CPC分类号： G03F7/70158 ,  G03F7/70091

    摘要： According to one exemplary embodiment, an EUV (extreme ultraviolet) optical element in a light path between an EUV light source and a semiconductor wafer includes a reflective film having a number of bilayers. The reflective film includes a pattern, where the pattern causes a change in incident EUV light from the EUV light source, thereby controlling illumination at a pupil plane of an EUV projection optic to form a printed field on the semiconductor wafer. The EUV optical element can be utilized in an EUV lithographic process to fabricate a semiconductor die.

    摘要翻译： 根据一个示例性实施例，EUV光源和半导体晶片之间的光路中的EUV（极紫外）光学元件包括具有多个双层的反射膜。 反射膜包括图案，其中图案引起来自EUV光源的入射EUV光的变化，由此控制EUV投影光学器件的光瞳面处的照明，以在半导体晶片上形成印刷场。 EUV光学元件可以用于EUV光刻工艺以制造半导体管芯。

    Double sidewall image transfer process
    10.
    发明授权
    Double sidewall image transfer process 有权
    双侧壁图像传输过程

    公开(公告)号：US08889561B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US13709541

    申请日：2012-12-10

    申请人： Youngtag Woo ,  Jongwook Kye ,  Dinesh Somasekhar

    发明人： Youngtag Woo ,  Jongwook Kye ,  Dinesh Somasekhar

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/11 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L27/1108 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/11

    摘要： Methodology enabling a generation of fins having a variable fin pitch less than 40 nm, and the resulting device are disclosed. Embodiments include: forming a hardmask on a substrate; providing first and second mandrels on the hardmask; providing a first spacer on each side of each of the first and second mandrels; removing the first and second mandrels; providing, after removal of the first and second mandrels, a second spacer on each side of each of the first spacers; and removing the first spacers.

    摘要翻译： 公开了能够产生具有可变翅片间距小于40nm的翅片的方法，并且所得到的装置被公开。 实施例包括：在基板上形成硬掩模; 在硬掩模上提供第一和第二心轴; 在每个第一和第二心轴的每一侧上提供第一间隔件; 去除第一和第二心轴; 在移除所述第一和第二心轴之后，在每个所述第一间隔件的每一侧上提供第二间隔件; 并移除第一间隔物。