公开(公告)号：US09156682B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13480506

申请日：2012-05-25

申请人： Thomas P. Russell ,  Sung Woo Hong ,  Doug Hyun Lee ,  Soojin Park ,  Ting Xu

发明人： Thomas P. Russell ,  Sung Woo Hong ,  Doug Hyun Lee ,  Soojin Park ,  Ting Xu

IPC分类号： B05D3/02 ,  B81C1/00 ,  B05D3/10 ,  B05D5/02

CPC分类号： B05D3/0466 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/10 ,  B05D3/107 ,  B05D5/02 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00055 ,  B81C1/00063 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00079 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24521

摘要： A block copolymer film having a line pattern with a high degree of long-range order is formed by a method that includes forming a block copolymer film on a substrate surface with parallel facets, and annealing the block copolymer film to form an annealed block copolymer film having linear microdomains parallel to the substrate surface and orthogonal to the parallel facets of the substrate. The line-patterned block copolymer films are useful for the fabrication of magnetic storage media, polarizing devices, and arrays of nanowires.

摘要翻译： 通过包括在基板表面上形成具有平行小面的嵌段共聚物膜，并且使嵌段共聚物膜退火以形成退火的嵌段共聚物膜的方法形成具有高程度的高程度的线图案的嵌段共聚物膜 具有平行于衬底表面并且垂直于衬底的平行面的线性微区域。 线图案化的嵌段共聚物膜可用于制造磁存储介质，偏振装置和纳米线阵列。

公开(公告)号：US20120301677A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13480506

申请日：2012-05-25

申请人： Thomas P. Russell ,  Sung Woo Hong ,  Doug Hyun Lee ,  Soojin Park ,  Ting Xu

发明人： Thomas P. Russell ,  Sung Woo Hong ,  Doug Hyun Lee ,  Soojin Park ,  Ting Xu

IPC分类号： B32B3/30 ,  B05D3/02

CPC分类号： B05D3/0466 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/10 ,  B05D3/107 ,  B05D5/02 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00055 ,  B81C1/00063 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00079 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24521

摘要： A block copolymer film having a line pattern with a high degree of long-range order is formed by a method that includes forming a block copolymer film on a substrate surface with parallel facets, and annealing the block copolymer film to form an annealed block copolymer film having linear microdomains parallel to the substrate surface and orthogonal to the parallel facets of the substrate. The line-patterned block copolymer films are useful for the fabrication of magnetic storage media, polarizing devices, and arrays of nanowires.

摘要翻译： 通过包括在基板表面上形成具有平行小面的嵌段共聚物膜，并且使嵌段共聚物膜退火以形成退火的嵌段共聚物膜的方法形成具有高程度的高程度的线图案的嵌段共聚物膜 具有平行于衬底表面并且垂直于衬底的平行面的线性微区域。 线图案化的嵌段共聚物膜可用于制造磁存储介质，偏振装置和纳米线阵列。

公开(公告)号：US20100075116A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12553484

申请日：2009-09-03

申请人： Thomas P. Russell ,  Soojin Park ,  Doug Hyun Lee ,  Ting Xu

发明人： Thomas P. Russell ,  Soojin Park ,  Doug Hyun Lee ,  Ting Xu

IPC分类号： B32B3/00 ,  B05D5/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/249953

摘要： Highly-ordered block copolymer films are prepared by a method that includes forming a polymeric replica of a topographically patterned crystalline surface, forming a block copolymer film on the topographically patterned surface of the polymeric replica, and annealing the block copolymer film. The resulting structures can be used in a variety of different applications, including the fabrication of high density data storage media. The ability to use flexible polymers to form the polymeric replica facilitates industrial-scale processes utilizing the highly-ordered block copolymer films.

摘要翻译： 通过一种方法制备高度有序的嵌段共聚物膜，该方法包括形成地形图案化的结晶表面的聚合物复合物，在聚合物复合体的地形图形表面上形成嵌段共聚物膜，并退火嵌段共聚物膜。 所得到的结构可以用于各种不同的应用，包括制造高密度数据存储介质。 使用柔性聚合物形成聚合物复制品的能力有助于利用高阶嵌段共聚物膜的工业规模工艺。