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    ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SUPER-CONDUCTING NIOBIUM SILICIDE
    1.
    发明申请
    ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SUPER-CONDUCTING NIOBIUM SILICIDE 审中-公开
    超导硅酸钠的原子层沉积

    公开(公告)号：US20120219824A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：US13036952

    申请日：2011-02-28

    申请人： Thomas Prolier ,  Jeffrey Elam ,  Jeffrey Klug ,  Michael J. Pellin

    发明人： Thomas Prolier ,  Jeffrey Elam ,  Jeffrey Klug ,  Michael J. Pellin

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B32B15/00

    CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/42 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12819

    摘要： A method of preparing a superconducting thin film of niobium silicide using atomic layer deposition (ALD) where the superconducting critical temperature of the film is controllable by modulating the thickness of the thin film. The film is formed by exposing a substrate within an ALD reactor to alternating exposures of a niobium halide (NbQx) and a reducing precursor, for example, disilane (Si2H6) or silane (SiH4). A number of ALD cycles are performed to obtain the film thickness and establish the desired superconducting critical temperature between 0.4 K and 3.1 K.

    摘要翻译： 使用原子层沉积（ALD）制备硅化铌超导薄膜的方法，其中膜的超导临界温度可通过调节薄膜的厚度来控制。 通过将ALD反应器内的基板暴露于铌卤化物（NbQ x）和还原性前体例如乙硅烷（Si 2 H 6）或硅烷（SiH 4）的交替曝光来形成膜。 执行多个ALD循环以获得膜厚度并建立在0.4K和3.1K之间的所需超导临界温度。