公开(公告)号：US20150184294A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：US14658295

申请日：2015-03-16

申请人： Tokyo Electron Limited

发明人： Hitoshi KATO ,  Kohichi ORITO ,  Hiroyuki KIKUCHI ,  Muneyuki OTANI ,  Takeshi KUMAGAI ,  Kensaku NARUSHIMA ,  Takashi NISHIMORI

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

摘要： A film deposition apparatus rotates a turntable and each gas nozzle relatively to each other at a rotational speed of 100 rpm or higher when depositing a titanium nitride film, to speed up a reaction gas supply cycle or a film deposition cycle of a reaction product. A next film of the reaction product is deposited before the grain size of the reaction product already generated on a substrate surface begins to grow due to crystallization of the already generated reaction product.

摘要翻译： 当沉积氮化钛膜时，成膜装置以100rpm或更高的旋转速度使转台和每个气体喷嘴彼此相对旋转，以加速反应气体供应循环或反应产物的成膜循环。 在已经产生的反应产物的晶粒尺寸由于已经产生的反应产物的结晶开始生长之后，沉积下一个反应产物的膜。