公开(公告)号：US07742162B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12187868

申请日：2008-08-07

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Ryoji Yoshikawa ,  Osamu Ikenaga

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Ryoji Yoshikawa ,  Osamu Ikenaga

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/95607 ,  G01N2021/8887 ,  G01N2021/95676

摘要： According to a mask defect inspection data generating method, a distance between inspection areas neighboring in a predetermined direction is calculated based on inspection area control information defined in photomask inspection data. It is determined whether or not the calculated distance between inspection areas is less than a predetermined distance. When it is determined that the distance between inspection areas is less than a predetermined distance, the inspection area is combined to produce an optimization inspection area. The produced optimization inspection area information is defined in inspection layout data for making a reference in die-to-database defect inspection.

摘要翻译： 根据掩模缺陷检查数据生成方法，基于光掩模检查数据中定义的检查区域控制信息来计算在预定方向上相邻的检查区域之间的距离。 确定所计算的检查区域之间的距离是否小于预定距离。 当确定检查区域之间的距离小于预定距离时，组合检查区域以产生优化检查区域。 生成的优化检查区域信息在检查布局数据中定义，用于在数据库到数据库缺陷检查中进行参考。

公开(公告)号：US20120049396A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13217698

申请日：2011-08-25

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga ,  Ryoichi Inanami

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga ,  Ryoichi Inanami

IPC分类号： B29C59/02

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： According to one embodiment, a pattern forming method includes transferring a first pattern area of a plurality of pattern areas to a to-be-processed substrate, by using a template on which the plurality of pattern areas, where patterns are formed on a substrate, are disposed, counting up a number of times of transfer of the first pattern area, and storing the number of times of transfer, determining whether the stored number of times of transfer of the pattern of the first pattern area has exceeded a specified number, and executing switching to a second pattern of the plurality of pattern areas when it is determined, at a time of the determining, that the stored number of times of transfer of the pattern of the first pattern area has exceeded the specified number, and transferring the second pattern area to the to-be-processed substrate.

摘要翻译： 根据一个实施例，图案形成方法包括通过使用其上在基板上形成图案的多个图案区域的模板将多个图案区域的第一图案区域转印到待处理基板， 对第一图案区域的传送次数进行计数，并存储传送次数，确定存储的第一图案区域的图案的传送次数是否超过规定数量;以及 当确定时确定存储的第一图案区域的图案的传送次数已经超过指定的数量，并且将第二图案区域的第二图案转移到第二图案区域的第二图案 图案区域到待处理的基板。

公开(公告)号：US08036446B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US11439989

申请日：2006-05-25

申请人： Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

发明人： Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A mask forming method includes preparing design data of mask including pattern regions having identical repetition patterns respectively, generating mask pattern data of mask based on the design data, generating inspection control information for controlling inspection of defect on mask based on the mask pattern data, the information including positional information of the pattern regions and inspection sensitivity information of the repetition pattern, providing the inspection control information to mask pattern data, forming mask pattern of mask based on the mask pattern data, and inspecting the mask pattern based on the mask pattern data comprising inspecting portion in the mask pattern different from the pattern regions by Die-to-Database comparison method, the inspecting the portion including selecting portion corresponding to repetition pattern from the mask pattern based on the positional information, and inspecting the selected portion by Die-to-Die comparison method at an inspection sensitivity corresponding to inspection sensitivity information.

摘要翻译： 掩模形成方法包括：分别准备包括具有相同重复图案的图案区域的掩模的设计数据，基于设计数据生成掩模的掩模图案数据，产生用于基于掩模图案数据控制掩模缺陷检查的检查控制信息， 包括图案区域的位置信息和重复图案的检查灵敏度信息的信息，提供检查控制信息以屏蔽图案数据，基于掩模图案数据形成掩模的掩模图案，以及基于掩模图案数据检查掩模图案 包括通过模 - 数据库比较方法在不同于图案区域的掩模图案中的检查部分，基于位置信息检查包括与掩模图案相对应的重复图案的选择部分的部分，并且通过Die- 灵感的对比比较方法 检测灵敏度对应检测灵敏度信息。

公开(公告)号：US07222327B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10864375

申请日：2004-06-10

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/2061 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31776

摘要： A photo mask includes a mask pattern formed by using a mask exposure pattern to exposure a mask substrate, the mask exposure pattern being formed by adding a proximity effect correction pattern to a design pattern that is a pattern image of design data, the design pattern having a first portion extending in a first direction and a second portion extending in a second direction that is oblique to the first direction, the correction pattern having a first correction portion added to the first portion and a second correction portion added to the second portion, and an edge portion of the second correction portion being shaped to incline to extend in the first direction or a direction orthogonal to the first direction.

摘要翻译： 光掩模包括通过使用掩模曝光图案形成的掩模图案以曝光掩模基板，掩模曝光图案通过将邻近效应校正图案添加到作为设计数据的图案图像的设计图案而形成，该设计图案具有 第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿与第一方向相反的第二方向延伸，校正图案具有添加到第一部分的第一校正部分和添加到第二部分的第二校正部分，以及 第二校正部分的边缘部分成形为在第一方向或与第一方向正交的方向上倾斜。

公开(公告)号：US20060270072A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11439989

申请日：2006-05-25

申请人： Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

发明人： Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A mask forming method includes preparing design data of mask including pattern regions having identical repetition patterns respectively, generating mask pattern data of mask based on the design data, generating inspection control information for controlling inspection of defect on mask based on the mask pattern data, the information including positional information of the pattern regions and inspection sensitivity information of the repetition pattern, providing the inspection control information to mask pattern data, forming mask pattern of mask based on the mask pattern data, and inspecting the mask pattern based on the mask pattern data comprising inspecting portion in the mask pattern different from the pattern regions by Die-to-Database comparison method, the inspecting the portion including selecting portion corresponding to repetition pattern from the mask pattern based on the positional information, and inspecting the selected portion by Die-to-Die comparison method at an inspection sensitivity corresponding to inspection sensitivity information.

摘要翻译： 掩模形成方法包括：分别准备包括具有相同重复图案的图案区域的掩模的设计数据，基于设计数据生成掩模的掩模图案数据，产生用于基于掩模图案数据控制掩模缺陷检查的检查控制信息， 包括图案区域的位置信息和重复图案的检查灵敏度信息的信息，提供检查控制信息以屏蔽图案数据，基于掩模图案数据形成掩模的掩模图案，以及基于掩模图案数据检查掩模图案 包括通过模 - 数据库比较方法在不同于图案区域的掩模图案中的检查部分，基于位置信息检查包括与掩模图案相对应的重复图案的选择部分的部分，并且通过Die- 灵感的对比比较方法 检测灵敏度对应检测灵敏度信息。

公开(公告)号：US20050003280A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10864375

申请日：2004-06-10

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/2061 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31776

摘要： A photo mask includes a mask pattern formed by using a mask exposure pattern to exposure a mask substrate, the mask exposure pattern being formed by adding a proximity effect correction pattern to a design pattern that is a pattern image of design data, the design pattern having a first portion extending in a first direction and a second portion extending in a second direction that is oblique to the first direction, the correction pattern having a first correction portion added to the first portion and a second correction portion added to the second portion, and an edge portion of the second correction portion being shaped to incline to extend in the first direction or a direction orthogonal to the first direction.

摘要翻译： 光掩模包括通过使用掩模曝光图案形成的掩模图案以曝光掩模基板，掩模曝光图案通过将邻近效应校正图案添加到作为设计数据的图案图像的设计图案而形成，该设计图案具有 第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿与第一方向相反的第二方向延伸，校正图案具有添加到第一部分的第一校正部分和添加到第二部分的第二校正部分，以及 第二校正部分的边缘部分成形为在第一方向或与第一方向正交的方向上倾斜。

公开(公告)号：US07735055B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11187003

申请日：2005-07-22

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G03F1/00 ,  G21K5/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method of creating photo mask data includes preparing design data of a photo mask, generating drawing data of the photo mask by using the design data, generating inspection control information configured to control inspection of defect on the photo mask by using the drawing data, and generating drawing and inspection data including the drawing data and the inspection control information by providing the drawing data with the inspection control information.

摘要翻译： 一种创建光掩模数据的方法包括准备光掩模的设计数据，通过使用设计数据产生光掩模的绘图数据，生成检查控制信息，该检查控制信息被配置为通过使用绘图数据控制光掩模上的缺陷检查，以及 通过向绘图数据提供检查控制信息，生成包括绘图数据和检查控制信息的绘图和检查数据。

公开(公告)号：US20060292458A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11187003

申请日：2005-07-22

申请人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

发明人： Tomohiro Tsutsui ,  Osamu Ikenaga

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method of creating photo mask data includes preparing design data of a photo mask, generating drawing data of the photo mask by using the design data, generating inspection control information configured to control inspection of defect on the photo mask by using the drawing data, and generating drawing and inspection data including the drawing data and the inspection control information by providing the drawing data with the inspection control information.

摘要翻译： 一种创建光掩模数据的方法包括准备光掩模的设计数据，通过使用设计数据产生光掩模的绘图数据，生成检查控制信息，该检查控制信息被配置为通过使用绘图数据控制光掩模上的缺陷检查，以及 通过向绘图数据提供检查控制信息，生成包括绘图数据和检查控制信息的绘图和检查数据。

公开(公告)号：US20060206853A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11360688

申请日：2006-02-24

申请人： Takashi Kamo ,  Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

发明人： Takashi Kamo ,  Osamu Ikenaga ,  Tomohiro Tsutsui

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F1/36

摘要： There is disclosed a method of producing mask inspection data, including preparing design data of a semiconductor device preparing a lithography condition relevant to a lithography process for transferring a mask pattern formed on a photo mask onto a wafer, preparing a wafer processing condition relevant to wafer processing using a pattern transferred onto the wafer, preparing a first proximity correction model for correcting proximity effect relevant to the lithography condition and the wafer processing condition, generating mask pattern data based on the design data and the first proximity correction model, and generating mask inspection data corresponding to the mask pattern data.

摘要翻译： 公开了一种制造掩模检查数据的方法，包括准备准备与光刻工艺相关的光刻条件的半导体器件的设计数据，用于将形成在光掩模上的掩模图案转印到晶片上，制备与晶片相关的晶片处理条件 使用转移到晶片上的图案进行处理，准备用于校正与光刻条件和晶片处理条件相关的邻近效应的第一接近校正模型，基于设计数据和第一邻近校正模型生成掩模图案数据，以及生成掩模检查 对应于掩模图案数据的数据。

公开(公告)号：US20100075235A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12562138

申请日：2009-09-18

申请人： Tomohiro Tsutsui

发明人： Tomohiro Tsutsui

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/68

摘要： A writing pattern producing method includes obtaining a width of an overlapping portion of first and second patterns, determining whether the width of the overlapping portion is greater than a predetermined width, producing a writing pattern according to a first method when the width of the overlapping portion is determined to be greater than the predetermined width, producing a writing pattern according to a second method when the width of the overlapping portion is determined to be smaller than the predetermined width, the first method being to produce the writing pattern by dividing a composite pattern of the first and second patterns into a plurality of graphic forms which have widths not smaller than the predetermined width and do not overlap with one another, and the second method being to produce the writing pattern from the first and second patterns so that the overlapping portion is written repeatedly.

摘要翻译： 一种书写图案制作方法，包括获得第一和第二图案的重叠部分的宽度，确定重叠部分的宽度是否大于预定宽度，当重叠部分的宽度 被确定为大于预定宽度，当重叠部分的宽度被确定为小于预定宽度时，根据第二方法产生书写图案，第一种方法是通过将复合图案 的第一图案和第二图案形成具有不小于预定宽度的宽度并且不彼此重叠的多个图形形式，并且第二方法是从第一图案和第二图案产生书写图案，使得重叠部分 反复写