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    Method of inspecting masks and apparatus thereof
    1.
    发明授权
    Method of inspecting masks and apparatus thereof 失效
    检查掩模的方法及其装置

    公开(公告)号：US4748327A

    公开(公告)日：1988-05-31

    申请号：US871792

    申请日：1986-06-09

    申请人： Toshiaki Shinozaki ,  Sadao Sasaki

    发明人： Toshiaki Shinozaki ,  Sadao Sasaki

    IPC分类号： G01N23/18 ,  G01B15/00 ,  G01N23/227 ,  G03F1/00 ,  G03F1/84 ,  G03F1/86 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/66 ,  G01F23/00 ,  H01J37/30

    CPC分类号： G03F1/86 ,  G01N23/2273

    摘要： A method of inspecting masks which have lithographic patterns thereon, comprises the steps of depositing an electron-emissive layer on the patterned first major surface of the mask, the electron-emissive layer on the clear area of the patterned surface emitting electron beams when irradiated with energy beams, applying energy beams to the patterned surface from behind through the second major surface of the mask, guiding the electron beams emitted from the electron-emissive layer to an electron optical system, thereby forming an electron beam image of the pattern on a detector means, and comparing detection signals corresponding to the pattern and output by the detector means with reference signals representing the design shape and size of the pattern, thereby to inspect the mask.

    摘要翻译： 检查其上具有光刻图案的掩模的方法包括以下步骤：在掩模的图案化的第一主表面上沉积电子发射层，在被图案化表面的透明区域上发射电子束的电子发射层，当被照射时 能量束，从后面通过掩模的第二主表面将能量束施加到图案化表面，将从电子发射层发射的电子束引导到电子光学系统，从而在检测器上形成图案的电子束图像 并且将由检测器装置对应于图案和输出的检测信号与表示图案的设计形状和尺寸的参考信号进行比较，从而检查掩模。

    IN-SITU ATOMIC LAYER DEPOSITION
    2.
    发明申请
    IN-SITU ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
    现场原子层沉积

    公开(公告)号：US20070037412A1

    公开(公告)日：2007-02-15

    申请号：US11462234

    申请日：2006-08-03

    申请人： Anthony Dip ,  Sadao Sasaki ,  Michael Toeller ,  Kimberly Reid

    发明人： Anthony Dip ,  Sadao Sasaki ,  Michael Toeller ,  Kimberly Reid

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

    摘要： An in situ method for forming a HfO2 high-k dielectric layer in a batch wafer processing system. The method comprises first loading a plurality of wafers into a process chamber, and then pre-treating the plurality of wafers in the process chamber with a first oxidizer. After pre-treating the wafers, and without removing the wafers from the process chamber, the method then comprises depositing HfO2 on the plurality of wafers by atomic layer deposition, which comprises a plurality of deposition cycles, each cycle comprising alternating exposure of the plurality of wafers in the process chamber to a second oxidizer and a hafnium precursor. The hafnium precursor is selected from hafnium tert-butoxide (HTB) or hafnium tetra-diethylamide (TDEAH).

    摘要翻译： 在间歇晶片处理系统中形成HfO 2高k电介质层的原位方法。 该方法包括首先将多个晶片加载到处理室中，然后用第一氧化器预处理处理室中的多个晶片。 在预处理晶片之后，并且不从处理室移除晶片，该方法然后包括通过原子层沉积在多个晶片上沉积HfO 2，其包括多个沉积循环，每个沉积循环 循环，包括将处理室中的多个晶片交替暴露于第二氧化剂和铪前体。 铪前体选自叔丁醇铪（HTB）或四乙基铪铪（TDEAH）。