公开(公告)号：US20120030528A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270788

申请日：2011-10-11

申请人： Toshikatsu HIDA ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu HIDA ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F11/36

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： As a semiconductor storage device that can efficiently perform a refresh operation, provided is a semiconductor storage device comprising a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing, and a controlling unit monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，提供了一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除单元，以及监视数据的错误计数的控制单元 存储在从所述块中选择的监视块和所述监视块中的刷新数据中，其中所述错误计数等于或大于阈值。

公开(公告)号：US20100313084A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12529282

申请日：2008-09-22

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F11/07 ,  G06F11/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： As a semiconductor storage device that can efficiently perform a refresh operation, provided is a semiconductor storage device comprising a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing, and a controlling unit monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，提供了一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除单元，以及监视数据的错误计数的控制单元 存储在从所述块中选择的监视块和所述监视块中的刷新数据中，其中所述错误计数等于或大于阈值。

公开(公告)号：US08583972B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13486718

申请日：2012-06-01

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： A method of controlling a nonvolatile semiconductor memory including a plurality of blocks, each one of the plurality of blocks being a unit of data erasing, includes determining a monitored block as a candidate for refresh operation from among the plurality of blocks based on a predetermined condition. The method includes monitoring an error count of data stored in the monitored block and not monitoring an error count of data stored in blocks excluding the monitored block among the plurality of blocks. The method also includes performing the refresh operation on data stored in the monitored block in which the error count is larger than a first threshold value.

摘要翻译： 一种控制包括多个块的非易失性半导体存储器的方法，所述多个块中的每一个是数据擦除单元，包括：基于预定条件，将所监视的块作为所述多个块中的刷新操作的候补确定 。 该方法包括监视存储在所监视的块中的数据的错误计数，并且不监视存储在多个块中的被监视块之外的块中存储的数据的错误计数。 该方法还包括对存储在监视块中的数据执行刷新操作，其中错误计数大于第一阈值。

公开(公告)号：US08219861B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US13270788

申请日：2011-10-11

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： As a semiconductor storage device that can efficiently perform a refresh operation, provided is a semiconductor storage device comprising a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing, and a controlling unit monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，提供了一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除单元，以及监视数据的错误计数的控制单元 存储在从所述块中选择的监视块和所述监视块中的刷新数据中，其中所述错误计数等于或大于阈值。

公开(公告)号：US08060797B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12529282

申请日：2008-09-22

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： A semiconductor storage device can efficiently perform a refresh operation. A semiconductor storage device is provided which includes a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing. A controlling unit is further included monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and for refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 半导体存储装置可以有效地执行刷新操作。 提供一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除的单位。 还包括控制单元，用于监视存储在从块中选择的监视块中的数据的错误计数，以及用于刷新其中错误计数等于或大于阈值的监视块中的数据。

公开(公告)号：US20100037012A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12552461

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit from the fourth memory area to the second memory area, a fifth processing for copying data to an area of the third unit and allocating the area to the second memory area, and a sixth processing for copying data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第三单元的区域从第四存储区域移动到第二存储区域的第四处理，用于将数据复制到第三单元的区域并将区域分配给第二存储区域的第五处理 以及用于将数据复制到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第六处理。

公开(公告)号：US20120311245A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13571034

申请日：2012-08-09

申请人： Hirokuni YANO ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni YANO ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在易失性半导体存储器中的第一存储区域，配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储区域，以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于通过第一存储区中的第一单元存储多个数据;第二处理，用于存储由第二存储区中的第一管理单元从第一存储区输出的数据;以及第三处理， 通过第二管理单元将从第一存储区域输出的数据存储在第三存储区域中。

公开(公告)号：US07953920B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12552461

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit from the fourth memory area to the second memory area, a fifth processing for copying data to an area of the third unit and allocating the area to the second memory area, and a sixth processing for copying data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第三单元的区域从第四存储区域移动到第二存储区域的第四处理，用于将数据复制到第三单元的区域并将区域分配给第二存储区域的第五处理 以及用于将数据复制到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第六处理。

公开(公告)号：US08065470B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12552330

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在易失性半导体存储器中的第一存储区域，配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储区域，以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于通过第一存储区中的第一单元存储多个数据;第二处理，用于存储由第二存储区中的第一管理单元从第一存储区输出的数据;以及第三处理， 通过第二管理单元将从第一存储区域输出的数据存储在第三存储区域中。

公开(公告)号：US20100037011A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12552442

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third, and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit having the oldest allocation order in the fourth memory area to the second memory area, and a fifth processing for selecting data in the second memory area and copying the selected data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第四存储区域中具有最早分配顺序的第三单元的区域移动到第二存储区域的第四处理，以及用于选择第二存储区域中的数据并复制所选数据的第五处理 到第二存储器区域中的第三单元的空区域。