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    Method of controlling a semiconductor storage device
    3.
    发明授权
    Method of controlling a semiconductor storage device 有权
    控制半导体存储装置的方法

    公开(公告)号：US08583972B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13486718

    申请日：2012-06-01

    申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

    发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

    摘要： A method of controlling a nonvolatile semiconductor memory including a plurality of blocks, each one of the plurality of blocks being a unit of data erasing, includes determining a monitored block as a candidate for refresh operation from among the plurality of blocks based on a predetermined condition. The method includes monitoring an error count of data stored in the monitored block and not monitoring an error count of data stored in blocks excluding the monitored block among the plurality of blocks. The method also includes performing the refresh operation on data stored in the monitored block in which the error count is larger than a first threshold value.

    摘要翻译： 一种控制包括多个块的非易失性半导体存储器的方法，所述多个块中的每一个是数据擦除单元，包括：基于预定条件，将所监视的块作为所述多个块中的刷新操作的候补确定 。 该方法包括监视存储在所监视的块中的数据的错误计数，并且不监视存储在多个块中的被监视块之外的块中存储的数据的错误计数。 该方法还包括对存储在监视块中的数据执行刷新操作，其中错误计数大于第一阈值。

    SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND STORAGE CONTROLLING METHOD 审中-公开
    半导体存储设备和存储控制方法

    公开(公告)号：US20100161885A1

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：US12555274

    申请日：2009-09-08

    申请人： Shinichi KANNO ,  Shigehiro Asano ,  Kazuya Kitsunai ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida

    发明人： Shinichi KANNO ,  Shigehiro Asano ,  Kazuya Kitsunai ,  Hirokuni Yano ,  Toshikatsu Hida

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/105 ,  G11C2216/14

    摘要： A semiconductor storage device includes a first storage unit having a plurality of first blocks as data write regions; an instructing unit that issues a write instruction of writing data into the first blocks; a converting unit that converts an external address of input data to a memory position in the first block with reference to a conversion table in which external addresses of the data are associated with the memory positions of the data in the first blocks; and a judging unit that judges whether any of the first blocks store valid data associated with the external address based on the memory positions of the input data, wherein the instructing unit issues the write instruction of writing the data into the first block in which the valid data is not stored, when any of the first blocks does not store the valid data.

    摘要翻译： 半导体存储装置包括具有作为数据写入区域的多个第一块的第一存储单元; 指示单元，其发出将数据写入到所述第一块中的写入指令; 转换单元，参照其中数据的外部地址与第一块中的数据的存储位置相关联的转换表，将输入数据的外部地址转换为第一块中的存储器位置; 以及判断单元，其基于所述输入数据的存储器位置判断所述第一块是否存储与所述外部地址相关联的有效数据，其中，所述指示单元发出将所述数据写入到所述第一块中的写入指令， 当任何第一个块不存储有效数据时，不存储数据。