利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

19 条记录 (耗时 0.026 秒)

    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    1.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
    积极的组合和绘图过程

    公开(公告)号：US20100062372A1

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：US12553410

    申请日：2009-09-03

    申请人： Tsunehiro NISHI ,  Takeshi KINSHO ,  Masaki OHASHI ,  Koji HASEGAWA ,  Masashi IIO

    发明人： Tsunehiro NISHI ,  Takeshi KINSHO ,  Masaki OHASHI ,  Koji HASEGAWA ,  Masashi IIO

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

    摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising recurring units containing a non-leaving hydroxyl group represented by at least one of formulae (1-1) to (1-3) wherein R1 is H, methyl or trifluoromethyl, X is a single bond or methylene, Y is hydroxyl or hydroxymethyl, and m is 0, 1 or 2. The composition is improved in resolution when processed by lithography.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含由式（1-1）〜（1-3）中至少一个表示的非离去羟基的重复单元的聚合物，其中R 1是H，甲基或三氟甲基，X是单键 或亚甲基，Y是羟基或羟甲基，m是0,1或2.当通过光刻处理时，组合物的分辨率提高。

    MONOMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    4.
    发明申请
    MONOMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 有权
    单体，耐性组合物和方法

    公开(公告)号：US20090226843A1

    公开(公告)日：2009-09-10

    申请号：US12398483

    申请日：2009-03-05

    申请人： Jun HATAKEYAMA ,  Takeshi KINSHO ,  Masaki OHASHI ,  Kazuhiro KATAYAMA

    发明人： Jun HATAKEYAMA ,  Takeshi KINSHO ,  Masaki OHASHI ,  Kazuhiro KATAYAMA

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  C08F120/10

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

    摘要： A pattern is formed by applying a positive resist composition comprising a polymer comprising hydroxyalkylnaphthalene-bearing recurring units and acid labile group-bearing recurring units onto a substrate to form a resist film, heat treating and exposing the resist film to radiation, heat treating and developing the resist film with a developer to form a first pattern, and causing the resist film to crosslink and cure with the aid of heat or of acid and heat. A second pattern is then formed in the space area of the first pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

    摘要翻译： 通过将包含含有羟烷基萘的重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的聚合物的正性抗蚀剂组合物应用到基材上以形成抗蚀剂膜，将抗蚀剂膜热处理和曝光以进行辐射，热处理和显影而形成图案 所述抗蚀剂膜具有显影剂以形成第一图案，并且使得所述抗蚀剂膜在热或酸和热的帮助下交联和固化。 然后在第一图案的空间区域中形成第二图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

    NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    7.
    发明申请
    NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
    新型磺酸盐，聚合物，聚合物的生产方法，耐腐蚀组合物和方法

    公开(公告)号：US20110189607A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US13013506

    申请日：2011-01-25

    申请人： Masaki OHASHI ,  Satoshi WATANABE ,  Youichi OHSAWA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Takeshi KINSHO

    发明人： Masaki OHASHI ,  Satoshi WATANABE ,  Youichi OHSAWA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Takeshi KINSHO

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07C69/54 ,  C08F220/38

    CPC分类号： C07C69/54 ,  C08F220/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    摘要： There is disclosed a sulfonium salt represented by the following general formula (1). In the formula, X and Y each represents a group having a polymerizable functional group; Z represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 33 carbon atoms optionally containing a hetero atom; R1 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms optionally containing a hetero atom; and R2 and R3 each represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms optionally containing a hetero atom or R2 and R3 may be bonded with each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula. There can be provided a sulfonium salt usable as a resist composition providing high resolution and excellent in LER in photolithography using a high energy beam such as an ArF excimer laser, an EUV light and an electron beam as a light source, a polymer obtained from the sulfonium salt, a resist composition containing the polymer and a patterning process using the resist composition.

    摘要翻译： 公开了由以下通式（1）表示的锍盐。 在该式中，X和Y各自表示具有聚合性官能团的基团， Z表示任选含有杂原子的碳原子数1〜33的二价烃基; R1表示任选含有杂原子的碳原子数1〜36的二价烃基; R 2和R 3各自表示可以含有杂原子的具有1〜30个碳原子的一价烃基，或者，R 2和R 3可以相互结合，与式中的硫原子一起形成环。 可以提供可用作抗蚀剂组合物的锍盐，其使用诸如ArF准分子激光器，EUV光和电子束作为光源的高能束在光刻中提供高分辨率和优异的LER，从 锍盐，含有聚合物的抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的图案化工艺。

    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    10.
    发明申请
    NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 有权
    新型光电发生器，电阻组合和图案处理

    公开(公告)号：US20090061358A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12204685

    申请日：2008-09-04

    申请人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    发明人： Masaki OHASHI ,  Youichi Ohsawa ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07J5/00 ,  C07J43/00

    CPC分类号： C07J31/006 ,  C07J41/0055 ,  C07J43/003 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/114

    摘要： Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+  (1a) R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+  (1c) R1 is a C20-C50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

    摘要翻译： 光生酸发生剂在暴露于高能量辐射时产生式（1a）或（1c）的磺酸。 <？in-line-formula description =“In-line formula”end =“lead”？> R1-COOCH（CF3）CF2SO3 + H +（1a）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？> <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> R1-O-COOCH（CF3）CF2SO3-H +（1c） =“内联式”末端=“尾”→R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。 光致酸产生剂与树脂相容并且可以控制酸扩散，因此适用于化学增幅抗蚀剂组合物。