公开(公告)号：US20080054456A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11828409

申请日：2007-07-26

申请人： Un-byoung KANG ,  Yong-hwan KWON ,  Chung-sun LEE ,  Woon-seong KWON ,  Hyung-sun JANG

发明人： Un-byoung KANG ,  Yong-hwan KWON ,  Chung-sun LEE ,  Woon-seong KWON ,  Hyung-sun JANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor package includes a semiconductor chip operatively attached to a conductive lead of a film circuit substrate by an indium-containing solder material and a silver-containing bump electrode, where the solder material is interposed between the conductive lead and the bump electrode.

摘要翻译： 半导体封装包括通过含铟焊料材料和含银凸点电极可操作地附接到膜电路基板的导电引线的半导体芯片，其中焊料材料插入在导电引线和凸块电极之间。

公开(公告)号：US20080284041A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12045840

申请日：2008-03-11

申请人： Hyung-sun JANG ,  Un-byoung KANG ,  Woon-seong KWON ,  Young-chai KWON ,  Chung-sun LEE ,  Dong-ho LEE

发明人： Hyung-sun JANG ,  Un-byoung KANG ,  Woon-seong KWON ,  Young-chai KWON ,  Chung-sun LEE ,  Dong-ho LEE

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/14

摘要： In a semiconductor package, an electrode has a first part extending through a semiconductor substrate and a second part extending from the first part through a compositional layer to reach a conductive pad.

摘要翻译： 在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸通过组合层到达导电焊盘的第二部分。

公开(公告)号：US20080083983A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11850184

申请日：2007-09-05

申请人： Hyang-sun JANG ,  Yong-hwan KWON ,  Un-byoung KANG ,  Chung-sun Lee ,  Woon-seong KWON

发明人： Hyang-sun JANG ,  Yong-hwan KWON ,  Un-byoung KANG ,  Chung-sun Lee ,  Woon-seong KWON

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： In one aspect, a bump electrode of a semiconductor device is formed by providing a substrate including a pad electrode, forming a seed layer over the pad electrode, and forming a mask layer over the seed layer which includes an opening aligned over the pad electrode. A barrier plating layer is electroplated within the opening over the seed layer, and a bump plating layer is electroplated over the barrier plating layer. The mask layer is removed, and the seed layer is etched using the bump plating layer as a mask.

摘要翻译： 一方面，通过提供包括焊盘电极的基板，在焊盘电极上形成种子层，以及在种子层上形成掩模层，形成半导体器件的突起电极，该掩模层包括在焊盘电极上对准的开口。 在种子层的开口内电镀阻挡层，在阻挡镀层上电镀凸点镀层。 去除掩模层，并使用凸块镀层作为掩模蚀刻种子层。