公开(公告)号：US3639815A

公开(公告)日：1972-02-01

申请号：US3639815D

申请日：1969-09-30

申请人： WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP

发明人： ERNICK FREDERICK G ,  KISINKO PAUL M ,  MARINO JOSEPH ,  KANNAM PETER J

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L29/00 ,  H01L29/732 ,  H01L11/06

CPC分类号： H01L29/7325 ,  H01L23/3157 ,  H01L29/00 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/026 ,  Y10S148/036 ,  Y10S148/049 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/085 ,  Y10S148/122 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor having an epitaxially grown base region has the good secondary breakdown voltage performance of a single diffused transistor having a base region comprising suitably doped material having a uniform level of impurity concentration as well as all of the desirable frequency response benefits achieved by epitaxially formed transistors.

摘要翻译： 具有外延生长的基极区域的晶体管具有具有包括具有均匀杂质浓度水平的适当掺杂材料的基极区域的单个扩散晶体管的良好二次击穿电压性能以及通过外延形成的晶体管实现的所有所需的频率响应益处 。

公开(公告)号：US3488235A

公开(公告)日：1970-01-06

申请号：US3488235D

申请日：1967-04-25

申请人： WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP

发明人： WALCZAK DONALD A ,  KANNAM PETER J

IPC分类号： H02M7/537 ,  H01L23/31 ,  H01L29/00 ,  H02M7/5383 ,  H02M7/53846 ,  H02M7/53862 ,  H02M7/5387 ,  H01L7/44 ,  H01L7/50 ,  H01L11/02

CPC分类号： H02M7/53832 ,  H01L23/3157 ,  H01L29/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H02M2007/4815 ,  Y02B70/1441 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：US3512056A

公开(公告)日：1970-05-12

申请号：US3512056D

申请日：1967-04-25

申请人： WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP

发明人： CHU TING LI ,  KANNAM PETER J ,  WALCZAK DONALD A

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/00 ,  H01L29/73 ,  H01L7/36 ,  H01L11/00

CPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/73 ,  Y10S148/007 ,  Y10S148/017 ,  Y10S148/051