公开(公告)号：US20100260992A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12820157

申请日：2010-06-22

申请人： Wei-Chih Chen ,  An-Chi Liu

发明人： Wei-Chih Chen ,  An-Chi Liu

IPC分类号： B32B7/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： A multi-layer structure for forming damascene interconnects includes a substrate having at least a conductive layer and a base layer a dielectric layer formed on the substrate and covering the conductive layer and the base layer, a protecting layer covering the dielectric layer and a tensile stress layer covering the protecting layer.

摘要翻译： 用于形成镶嵌互连的多层结构包括至少具有导电层和基底层的衬底，该衬底形成在衬底上并覆盖导电层和基底层，覆盖电介质层的保护层和拉伸应力 覆盖保护层的层。

公开(公告)号：US20130277686A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13454036

申请日：2012-04-23

申请人： An-Chi Liu ,  Chun-Hsien Lin

发明人： An-Chi Liu ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A metal gate process comprises the steps of providing a substrate, forming a dummy gate on said substrate, forming dummy spacers on at least one of the surrounding sidewalls of said dummy gate, forming a source and a drain respectively in said substrate at both sides of said dummy gate, performing a replacement metal gate process to replace said dummy gate with a metal gate, removing said dummy spacers, and forming low-K spacers to replace said dummy spacers.

摘要翻译： 金属浇口工艺包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成虚拟栅极，在所述伪栅极的至少一个周围侧壁上形成虚设间隔物，分别在所述衬底的两侧形成源极和漏极 所述虚拟栅极，执行替换金属栅极工艺以用金属栅极替换所述伪栅极，去除所述虚设间隔物，以及形成低K间隔物以代替所述虚拟间隔物。

公开(公告)号：US20130200470A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13367382

申请日：2012-02-07

申请人： An-Chi Liu ,  Chun-Hsien Lin ,  Yu-Cheng Tung ,  Chien-Ting Lin ,  Wen-Tai Chiang ,  Shih-Hung Tsai ,  Ssu-I Fu ,  Ying-Tsung Chen ,  Chih-Wei Chen

发明人： An-Chi Liu ,  Chun-Hsien Lin ,  Yu-Cheng Tung ,  Chien-Ting Lin ,  Wen-Tai Chiang ,  Shih-Hung Tsai ,  Ssu-I Fu ,  Ying-Tsung Chen ,  Chih-Wei Chen

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor structure and a method of fabricating the same comprising the steps of providing a substrate, forming at least one fin structure on said substrate, forming a gate covering said fin structure, forming a plurality of epitaxial structures covering said fin structures, performing a gate pullback process to reduce the critical dimension (CD) of said gate and separate said gate and said epitaxial structures, forming lightly doped drains (LDD) in said fin structures, and forming a spacer on said gate and said fin structures.

摘要翻译： 一种半导体结构及其制造方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成至少一个鳍结构，形成覆盖所述鳍结构的栅极，形成覆盖所述鳍结构的多个外延结构， 拉回过程以减小所述栅极的临界尺寸（CD）并分离所述栅极和所述外延结构，在所述鳍结构中形成轻掺杂的漏极（LDD），以及在所述栅极和所述鳍结构上形成间隔物。

公开(公告)号：US08114773B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12830566

申请日：2010-07-06

申请人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

发明人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning solution is provided. The cleaning solution includes (a) 0.01-0.1 wt % of hydrofluoric acid (HF); (b) 1-5 wt % of a strong acid, wherein the strong acid is an inorganic acid; (c) 0.05-0.5 wt % of ammonium fluoride (NH4F); (d) a chelating agent containing a carboxylic group; (e) triethanolamine (TEA); (f) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA); and (g) water for balance.

摘要翻译： 提供清洁液。 清洗溶液包括（a）0.01-0.1重量％的氢氟酸（HF）; （b）1-5重量％的强酸，其中强酸是无机酸; （c）0.05-0.5重量％的氟化铵（NH4F）; （d）含有羧基的螯合剂; （e）三乙醇胺（TEA）; （f）乙二胺四乙酸（EDTA）; 和（g）平衡水。

公开(公告)号：US20120009788A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12830566

申请日：2010-07-06

申请人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

发明人： An-Chi Liu ,  Tien-Cheng Lan

IPC分类号： H01L21/768 ,  C11D3/02 ,  B08B3/08

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning solution is provided. The cleaning solution includes (a) 0.01-0.1 wt % of hydrofluoric acid (HF); (b) 1-5 wt % of a strong acid, wherein the strong acid is an inorganic acid; (c) 0.05-0.5 wt % of ammonium fluoride (NH4F); (d) a chelating agent containing a carboxylic group; (e) triethanolamine (TEA); (f) ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA); and (g) water for balance.

摘要翻译： 提供清洁液。 清洗溶液包括（a）0.01-0.1重量％的氢氟酸（HF）; （b）1-5重量％的强酸，其中强酸是无机酸; （c）0.05-0.5重量％的氟化铵（NH4F）; （d）含有羧基的螯合剂; （e）三乙醇胺（TEA）; （f）乙二胺四乙酸（EDTA）; 和（g）平衡水。

公开(公告)号：US08062972B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12547780

申请日：2009-08-26

申请人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

发明人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816

摘要： A semiconductor manufacturing process is provided. First, a substrate is provided, wherein a patterned conductive layer, a dielectric layer and a patterned metal hard mask layer are sequentially formed thereon. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form a damascene opening exposing the patterned conductive layer. Afterwards, the dielectric layer is heated to above 200° C. Thereafter, a plasma treatment process is performed on the damascene opening, wherein the gases used to generate the plasma include hydrogen gas and inert gas. Afterwards, a conductive layer is formed in the damascene opening to fill therein.

摘要翻译： 提供半导体制造工艺。 首先，提供衬底，其上依次形成图案化导电层，电介质层和图案化金属硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成暴露图案化导电层的镶嵌开口。 之后，将电介质层加热至200℃以上。此后，对镶嵌开口进行等离子体处理，其中用于产生等离子体的气体包括氢气和惰性气体。 之后，在镶嵌开口中形成导电层以填充其中。

公开(公告)号：US20110195571A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12703518

申请日：2010-02-10

申请人： An-Chi Liu

发明人： An-Chi Liu

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76861

摘要： A semiconductor process is described. A substrate with at least one conductive region is provided, on which a dielectric layer is formed. An opening is formed in the dielectric layer, such that the conductive region is exposed. A first conductive layer is conformally formed on the surface of the opening. A first cleaning step is conducted using a first cleaning solution. A baking step is conducted after the first cleaning step. Afterwards, the opening is filled with a second conductive layer.

摘要翻译： 描述半导体工艺。 提供具有至少一个导电区域的衬底，其上形成介电层。 在电介质层中形成开口，使得导电区域露出。 第一导电层共形地形成在开口的表面上。 使用第一清洁溶液进行第一清洁步骤。 在第一清洗步骤之后进行烘烤步骤。 之后，开口部填充有第二导电层。

公开(公告)号：US08350334B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US13158541

申请日：2011-06-13

申请人： Chun-Min Wang ,  An-Chi Liu ,  Hsin-Hsing Chen ,  Chih-Chun Wang

发明人： Chun-Min Wang ,  An-Chi Liu ,  Hsin-Hsing Chen ,  Chih-Chun Wang

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823864

摘要： A stress film forming method is used in a fabrication process of a semiconductor device. Firstly, a substrate is provided, wherein a first-polarity-channel MOSFET and a second-polarity-channel MOSFET are formed on the substrate. Then, at least one deposition-curing cycle process is performed to form a cured stress film over the first-polarity-channel MOSFET and the second-polarity-channel MOSFET. Afterwards, an additional deposition process is performed form a non-cured stress film on the cured stress film, wherein the cured stress film and the non-cured stress film are collectively formed as a seamless stress film.

摘要翻译： 在半导体器件的制造工艺中使用应力膜形成方法。 首先，提供衬底，其中在衬底上形成第一极性沟道MOSFET和第二极性沟道MOSFET。 然后，进行至少一次沉积 - 固化循环过程，以在第一极 - 沟道MOSFET和第二极 - 沟道MOSFET上形成固化的应力膜。 此后，在固化的应力膜上进行非固化应力膜的附加沉积工艺，其中固化的应力膜和未固化的应力膜共同形成为无缝应力膜。

公开(公告)号：US20110053371A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12547780

申请日：2009-08-26

申请人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

发明人： An-Chi Liu ,  Chih-Chien Huang ,  Tien-Cheng Lan

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816

摘要： A semiconductor manufacturing process is provided. First, a substrate is provided, wherein a patterned conductive layer, a dielectric layer and a patterned metal hard mask layer are sequentially formed thereon. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form a damascene opening exposing the patterned conductive layer. Afterwards, the dielectric layer is heated to above 200° C. Thereafter, a plasma treatment process is performed on the damascene opening, wherein the gases used to generate the plasma include hydrogen gas and inert gas. Afterwards, a conductive layer is formed in the damascene opening to fill therein.

摘要翻译： 提供半导体制造工艺。 首先，提供衬底，其上依次形成图案化导电层，电介质层和图案化的金属硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成暴露图案化导电层的镶嵌开口。 之后，将电介质层加热至200℃以上。此后，对镶嵌开口进行等离子体处理，其中用于产生等离子体的气体包括氢气和惰性气体。 之后，在镶嵌开口中形成导电层以填充其中。

公开(公告)号：US07670438B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11866746

申请日：2007-10-03

申请人： Yi-Wei Chen ,  Bao-Tzeng Huang ,  An-Chi Liu ,  Chao-Ching Hsieh ,  Nien-Ting Ho ,  Kuo-Chih Lai

发明人： Yi-Wei Chen ,  Bao-Tzeng Huang ,  An-Chi Liu ,  Chao-Ching Hsieh ,  Nien-Ting Ho ,  Kuo-Chih Lai

IPC分类号： B08B3/04

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67051

摘要： A method of removing particles from a wafer is provided. The method is adopted after a process for removing unreactive metal of a salicide process or after a salicide process and having oxide residue remaining on a wafer or after a chemical vapor deposition (CVD) process that resulted with particles on a wafer. The method includes performing at least two cycles (stages) of intermediate rinse process. Each cycle of the intermediate rinse process includes conducting a procedure of rotating the wafer at a high speed first, and then conducting a procedure of rotating the wafer at a low speed.

摘要翻译： 提供了从晶片去除颗粒的方法。 在除去自对准硅化物工艺的非反应性金属或自对准硅化物工艺之后并且在晶片上残留氧化物残余物或在晶片上产生颗粒的化学气相沉积（CVD）工艺之后，采用该方法。 该方法包括进行中间漂洗过程的至少两个循环（阶段）。 中间漂洗过程的每个循环包括首先进行高速旋转晶片的步骤，然后进行以低速旋转晶片的步骤。