公开(公告)号：US20080026494A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11494181

申请日：2006-07-26

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Wei Gao ,  Tingkai Li

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Wei Gao ,  Tingkai Li

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H05B33/10

摘要： A method of fabricating an electroluminescent device includes preparing a wafer and a doped-silicon oxide precursor solution. The doped-silicon oxide precursor solution is spin coated onto the wafer to form a doped-silicon oxide thin film on the wafer, which is baked at progressively increasing temperatures. The wafer is then rapidly thermally annealed, further annealed in a wet oxygen ambient atmosphere. A transparent top electrode is deposited on the doped-silicon oxide thin film, which is patterned, etched, and annealed. The doped-silicon oxide thin film and the wafer undergo a final annealing step to enhance electroluminescent properties.

摘要翻译： 制造电致发光器件的方法包括制备晶片和掺杂的氧化硅前体溶液。 将掺杂的氧化硅前体溶液旋涂在晶片上以在晶片上形成掺杂的氧化硅薄膜，其在逐渐升高的温度下烘烤。 然后将晶片快速热退火，在湿氧环境气氛中进一步退火。 透明的顶部电极沉积在掺杂的氧化硅薄膜上，其被图案化，蚀刻和退火。 掺杂氧化硅薄膜和晶片进行最终退火步骤以增强电致发光性能。

公开(公告)号：US07585788B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11224549

申请日：2005-09-12

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Sheng Teng Hsu ,  Tingkai Li

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Sheng Teng Hsu ,  Tingkai Li

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02156 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316

摘要： A method is provided for forming a rare earth element-doped silicon oxide (SiO2) precursor with nanocrystalline (nc) Si particles. In one aspect the method comprises: mixing Si particles into a first organic solvent, forming a first solution with a first boiling point; filtering the first solution to remove large Si particles; mixing a second organic solvent having a second boiling point, higher than the first boiling point, to the filtered first solution; and, fractionally distilling, forming a second solution of nc Si particles. The Si particles are formed by immersing a Si wafer into a third solution including hydrofluoric (HF) acid and alcohol, applying an electric bias, and forming a porous Si layer overlying the Si wafer. Then, the Si particles are mixed into the organic solvent by depositing the Si wafer into the first organic solvent, and ultrasonically removing the porous Si layer from the Si wafer.

摘要翻译： 提供了一种用于形成具有纳米晶体（nc）Si颗粒的稀土元素掺杂的氧化硅（SiO 2）前体的方法。 一方面，该方法包括：将Si颗粒混合到第一有机溶剂中，形成具有第一沸点的第一溶液; 过滤第一溶液以除去大的Si颗粒; 将具有高于第一沸​​点的第二沸点的第二有机溶剂与过滤的第一溶液混合; 并分馏，形成nc Si颗粒的第二溶液。 通过将Si晶片浸入包括氢氟酸（HF）酸和醇的第三溶液中，施加电偏压并形成覆盖Si晶片的多孔Si层，形成Si颗粒。 然后，通过将Si晶片沉积到第一有机溶剂中，将Si颗粒混入有机溶剂中，并从Si晶片超声波除去多孔Si层。

公开(公告)号：US20070238239A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11224549

申请日：2005-09-12

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Sheng Teng-Hsu ,  Tingkai Li

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Sheng Teng-Hsu ,  Tingkai Li

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02156 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316

摘要： A method is provided for forming a rare earth element-doped silicon oxide (SiO2) precursor with nanocrystalline (nc) Si particles. In one aspect the method comprises: mixing Si particles into a first organic solvent, forming a first solution with a first boiling point; filtering the first solution to remove large Si particles; mixing a second organic solvent having a second boiling point, higher than the first boiling point, to the filtered first solution; and, fractionally distilling, forming a second solution of nc Si particles. The Si particles are formed by immersing a Si wafer into a third solution including hydrofluoric (HF) acid and alcohol, applying an electric bias, and forming a porous Si layer overlying the Si wafer. Then, the Si particles are mixed into the organic solvent by depositing the Si wafer into the first organic solvent, and ultrasonically removing the porous Si layer from the Si wafer.

摘要翻译： 提供了用纳米晶体（nc）Si颗粒形成稀土元素掺杂的氧化硅（SiO 2）前体的方法。 一方面，该方法包括：将Si颗粒混合到第一有机溶剂中，形成具有第一沸点的第一溶液; 过滤第一溶液以除去大的Si颗粒; 将具有高于第一沸​​点的第二沸点的第二有机溶剂与过滤的第一溶液混合; 并分馏，形成nc Si颗粒的第二溶液。 通过将Si晶片浸入包括氢氟酸（HF）酸和醇的第三溶液中，施加电偏压并形成覆盖Si晶片的多孔Si层，形成Si颗粒。 然后，通过将Si晶片沉积到第一有机溶剂中，将Si颗粒混入有机溶剂中，并从Si晶片超声波除去多孔Si层。

公开(公告)号：US07531466B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11494141

申请日：2006-07-26

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Tingkai Li

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Tingkai Li

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C18/1295 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283

摘要： A method of making a doped silicon oxide thin film using a doped silicon oxide precursor solution includes mixing a silicon source in an organic acid and adding 2-methoxyethyl ether to the silicon source and organic acid to from a preliminary precursor solution. The resultant solution is heated, stirred and filtered. A doping impurity is dissolved in 2-methoxyethanol to from a doped source solution, and the resultant solution mixed with the previously described resultant solution to from a doped silicon oxide precursor solution. A doped silicon oxide thin film if formed on a wafer by spin coating. The thin film and the wafer are baked at progressively increasing temperatures and the thin film and the wafer are annealed.

摘要翻译： 使用掺杂的氧化硅前体溶液制造掺杂的氧化硅薄膜的方法包括将有机酸中的硅源混合并向硅源和有机酸中加入2-甲氧基乙醚至初始前体溶液。 将所得溶液加热，搅拌并过滤。 将掺杂杂质从掺杂的源溶液中溶解在2-甲氧基乙醇中，并将所得溶液与先前所述的溶液混合从掺杂的氧化硅前体溶液中。 如果通过旋涂在晶片上形成掺杂的氧化硅薄膜。 在逐渐升高的温度下烘烤薄膜和晶片，并对薄膜和晶片进行退火。

公开(公告)号：US20080026590A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11494141

申请日：2006-07-26

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Tingkai Li

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Tingkai Li

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C18/1295 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283

摘要： A method of making a doped silicon oxide thin film using a doped silicon oxide precursor solution includes mixing a silicon source in an organic acid and adding 2-methoxyethyl ether to the silicon source and organic acid to from a preliminary precursor solution. The resultant solution is heated, stirred and filtered. A doping impurity is dissolved in 2-methoxyethanol to from a doped source solution, and the resultant solution mixed with the previously described resultant solution to from a doped silicon oxide precursor solution. A doped silicon oxide thin film if formed on a wafer by spin coating. The thin film and the wafer are baked at progressively increasing temperatures and the thin film and the wafer are annealed.

摘要翻译： 使用掺杂的氧化硅前体溶液制造掺杂的氧化硅薄膜的方法包括将有机酸中的硅源混合并向硅源和有机酸中加入2-甲氧基乙醚至初始前体溶液。 将所得溶液加热，搅拌并过滤。 将掺杂杂质从掺杂的源溶液中溶解在2-甲氧基乙醇中，并将所得溶液与先前所述的溶液混合从掺杂的氧化硅前体溶液中。 如果通过旋涂在晶片上形成掺杂的氧化硅薄膜。 在逐渐升高的温度下烘烤薄膜和晶片，并对薄膜和晶片进行退火。

公开(公告)号：US20060046204A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10931596

申请日：2004-08-31

申请人： Yoshi Ono ,  Wei-Wei Zhuang ,  Wei Gao ,  Bruce Ulrich

发明人： Yoshi Ono ,  Wei-Wei Zhuang ,  Wei Gao ,  Bruce Ulrich

IPC分类号： G02B3/00

CPC分类号： G02B3/0012

摘要： A method of forming a microlens structure using a patternable lens material is provided. An organic-inorganic hybrid polymer comprising titanium dioxide is exposed to light using a defocused mask image and then developed to produce a lens-shaped region.

摘要翻译： 提供了使用可图案的透镜材料形成微透镜结构的方法。 使用散焦的掩模图像将包含二氧化钛的有机 - 无机杂化聚合物暴露于光，然后显影以产生透镜形区域。

公开(公告)号：US20070054042A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11220885

申请日：2005-09-06

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Wei Gao

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Yoshi Ono ,  Wei Gao

IPC分类号： B05D3/12 ,  B05D3/02

CPC分类号： C01G3/00 ,  C01P2002/72 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628

摘要： A method of SrCu2O2 spin-on precursor synthesis and low temperature p-type thin film deposition, includes preparing a wafer to receive a spin-coating thereon; selecting metalorganic compounds to form a SrCu2O2 precursor, mixing and refluxing the metalorganic compounds to form a precursor mixture; filtering the precursor mixture to produce a spin-coating precursor; applying the spin-coating precursor to the wafer in a two-step spin coating procedure; baking the spin-coated wafer using a hot-plate bake to evaporate substantially all of the solvents; and annealing the spin-coated wafer to form a SrCu2O2 layer thereon in a two-step post-anneal process.

摘要翻译： SrCu 2 O 2 O 2旋转前体合成和低温p型薄膜沉积的方法包括制备晶片以在其上接受旋涂; 选择金属有机化合物以形成SrCu 2 O 2 O 2前体，将金属有机化合物混合并回流以形成前体混合物; 过滤前体混合物以产生旋涂前体; 以两步旋涂方法将旋涂前驱体施加到晶片上; 使用热板烘烤烘烤旋涂的晶片以基本上蒸发所有溶剂; 并在两步后退火工艺中退火旋涂晶片以形成SrCu 2 O 2 O 2层。

公开(公告)号：US07087526B1

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US11261020

申请日：2005-10-27

申请人： Wei-Wei Zhuang ,  Wei Gao ,  Yoshi Ono

发明人： Wei-Wei Zhuang ,  Wei Gao ,  Yoshi Ono

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： C23C26/00

摘要： A method of CaO-doped SrCu2O2 spin-on precursor synthesis and low temperature p-type thin film deposition, includes preparing a wafer to receive a spin-coating thereon; selecting metalorganic compounds to form a SrCu2O2 precursor, mixing and refluxing the metalorganic compounds to form a precursor mixture; filtering the precursor mixture to produce a spin-coating precursor; applying the spin-coating precursor to the wafer in a two-step spin coating procedure; baking the spin-coated wafer using a hot-plate bake to evaporate substantially all of the solvents; and annealing the spin-coated wafer to form a CaO-doped SrCu2O2 layer thereon.

摘要翻译： 掺有CaO的SrCu 2 O 2 O 2旋涂前体合成和低温p型薄膜沉积的方法包括制备晶片以在其上接受旋涂法 ; 选择金属有机化合物以形成SrCu 2 O 2 O 2前体，将金属有机化合物混合并回流以形成前体混合物; 过滤前体混合物以产生旋涂前体; 以两步旋涂方法将旋涂前驱体施加到晶片上; 使用热板烘烤烘烤旋涂的晶片以基本上蒸发所有溶剂; 以及对旋涂的晶片退火以在其上形成掺杂CaO的SrCu 2 O 2 O 2层。

公开(公告)号：US20070259127A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11416986

申请日：2006-05-02

申请人： Yoshi Ono ,  Bruce Ulrich ,  Wei-Wei Zhuang ,  Douglas Tweet

发明人： Yoshi Ono ,  Bruce Ulrich ,  Wei-Wei Zhuang ,  Douglas Tweet

IPC分类号： B05D5/06 ,  B05D3/12 ,  B05D3/02 ,  H05H1/00

CPC分类号： G02B3/0012 ,  H01L27/14627

摘要： A method for densifying sol-gel films to form microlens structures includes preparing a sol-gel precursor, having at least one solvent therein. The sol-gel precursor is spin coated onto a wafer to form a sol-gel film thereon. The wafer and sol-gel film are hot plate baked at a temperature less than 200° C. to remove at least some of the solvent. The baked, wafer and spin-coated sol-gel film are treated with an oxygen plasma treatment to remove any remaining solvent and to densify the sol-gel film. The spin coating, hot plate baking and treating steps may be repeated as required. A microlens is formed from the densified sol-gel film.

摘要翻译： 用于致密化溶胶 - 凝胶膜以形成微透镜结构的方法包括制备其中具有至少一种溶剂的溶胶 - 凝胶前体。 将溶胶 - 凝胶前体旋涂在晶片上以在其上形成溶胶 - 凝胶膜。 将晶片和溶胶 - 凝胶膜在低于200℃的温度下进行热板烘烤以除去至少一些溶剂。 用氧等离子体处理烘烤，晶片和旋涂溶胶 - 凝胶膜以除去任何残留的溶剂并致密化溶胶 - 凝胶膜。 可以根据需要重复旋涂，热板烘烤和处理步骤。 从致密化的溶胶 - 凝胶膜形成微透镜。

公开(公告)号：US06420279B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09894941

申请日：2001-06-28

申请人： Yoshi Ono ,  Wei-Wei Zhuang ,  Rajendra Solanki

发明人： Yoshi Ono ,  Wei-Wei Zhuang ,  Rajendra Solanki

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/405 ,  H01L21/31604

摘要： Methods of forming hafnium oxide, zirconium oxide and nanolaminates of hafnium oxide and zirconium oxide are provided. These methods utilize atomic layer deposition techniques incorporating nitrate-based precursors, such as hafnium nitrate and zirconium nitrate. The use of these nitrate based precursors is well suited to forming high dielectric constant materials on hydrogen passivated silicon surfaces.

摘要翻译： 提供了氧化铪和氧化锆形成氧化铪，氧化锆和Nanolaminates的方法。 这些方法利用纳入硝酸盐的前体，如硝酸铪和硝酸锆的原子层沉积技术。 使用这些基于硝酸盐的前体非常适合于在氢钝化硅表面上形成高介电常数材料。