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    Carbon implantation process and carbon ion precursor composition
    1.
    发明授权
    Carbon implantation process and carbon ion precursor composition 有权
    碳注入工艺和碳离子前驱体组成

    公开(公告)号：US08524584B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13010397

    申请日：2011-01-20

    申请人： William D. Lee ,  Daniel R. Tieger ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： William D. Lee ,  Daniel R. Tieger ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： H01L21/26

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

    摘要： Methods and carbon ion precursor compositions for implanting carbon ions generally includes vaporizing and ionizing a gas mixture including carbon oxide and methane gases in an ion source to create a plasma and produce carbon ions. The ionized carbon within the plasma is then extracted to form an ion beam. The ion beam is mass analyzed with a mass analyzer magnet to permit the ionized carbon to pass therethrough and implant into a workpiece.

    摘要翻译： 用于注入碳离子的方法和碳离子前体组合物通常包括在离子源中蒸发和电离包括碳氧化物和甲烷气体的气体混合物以产生等离子体并产生碳离子。 然后提取等离子体内的离子化碳以形成离子束。 用质量分析器磁体对离子束进行质量分析，以允许离子化碳通过并且植入工件中。

    Implementation of CO-Gases for Germanium and Boron Ion Implants
    6.
    发明申请
    Implementation of CO-Gases for Germanium and Boron Ion Implants 有权
    锗和硼离子植入物的CO气体的实施

    公开(公告)号：US20120119113A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US12948309

    申请日：2010-11-17

    申请人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： G21G5/00

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

    摘要： An ion implantation system for improving performance and extending lifetime of an ion source is disclosed. A fluorine-containing dopant gas source is introduced into the ion chamber along with one or more co-gases. The one or more co-gases can include hydrogen or krypton. The co-gases mitigate the effects caused by free fluorine ions in the ion source chamber which lead to ion source failure.

    摘要翻译： 公开了一种用于提高离子源的性能和延长寿命的离子注入系统。 含氟掺杂剂气体源与一种或多种共同气体一起引入离子室。 一种或多种共气体可以包括氢或氪。 共气体减轻离子源室中游离氟离子引起离子源失效的影响。

    Hydrogen COGas For Carbon Implant
    7.
    发明申请
    Hydrogen COGas For Carbon Implant 有权
    碳植入物的氢COGas

    公开(公告)号：US20120118232A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US12948369

    申请日：2010-11-17

    申请人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： C23C14/48 ,  H05H15/00

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

    摘要： A system, apparatus and method for increasing ion source lifetime in an ion implanter are provided. Oxidation of the ion source and ion source chamber poisoning resulting from a carbon and oxygen-containing source gas is controlled by utilizing a hydrogen co-gas, which reacts with free oxygen atoms to form hydroxide and water.

    摘要翻译： 提供了一种用于增加离子注入机中离子源寿命的系统，装置和方法。 通过利用与游离氧原子反应形成氢氧化物和水的氢气体来控制由含碳和含氧源气体产生的离子源和离子源室中毒的氧化。