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    Carbon implantation process and carbon ion precursor composition
    3.
    发明授权
    Carbon implantation process and carbon ion precursor composition 有权
    碳注入工艺和碳离子前驱体组成

    公开(公告)号：US08524584B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13010397

    申请日：2011-01-20

    申请人： William D. Lee ,  Daniel R. Tieger ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： William D. Lee ,  Daniel R. Tieger ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： H01L21/26

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

    摘要： Methods and carbon ion precursor compositions for implanting carbon ions generally includes vaporizing and ionizing a gas mixture including carbon oxide and methane gases in an ion source to create a plasma and produce carbon ions. The ionized carbon within the plasma is then extracted to form an ion beam. The ion beam is mass analyzed with a mass analyzer magnet to permit the ionized carbon to pass therethrough and implant into a workpiece.

    摘要翻译： 用于注入碳离子的方法和碳离子前体组合物通常包括在离子源中蒸发和电离包括碳氧化物和甲烷气体的气体混合物以产生等离子体并产生碳离子。 然后提取等离子体内的离子化碳以形成离子束。 用质量分析器磁体对离子束进行质量分析，以允许离子化碳通过并且植入工件中。

    CARBON IMPLANTATION PROCESS AND CARBON ION PRECURSOR COMPOSITION
    4.
    发明申请
    CARBON IMPLANTATION PROCESS AND CARBON ION PRECURSOR COMPOSITION 有权
    碳化硅铸造工艺和碳前驱体组合物

    公开(公告)号：US20120190181A1

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：US13010397

    申请日：2011-01-20

    申请人： WILLIAM D. LEE ,  DANIEL R. TIEGER ,  TSEH-JEN HSIEH

    发明人： WILLIAM D. LEE ,  DANIEL R. TIEGER ,  TSEH-JEN HSIEH

    IPC分类号： H01L21/425 ,  G21K5/00 ,  C09K3/00

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

    摘要： Methods and carbon ion precursor compositions for implanting carbon ions generally includes vaporizing and ionizing a gas mixture including carbon oxide and methane gases in an ion source to create a plasma and produce carbon ions. The ionized carbon within the plasma is then extracted to form an ion beam. The ion beam is mass analyzed with a mass analyzer magnet to permit the ionized carbon to pass therethrough and implant into a workpiece.

    摘要翻译： 用于注入碳离子的方法和碳离子前体组合物通常包括在离子源中蒸发和电离包括碳氧化物和甲烷气体的气体混合物以产生等离子体并产生碳离子。 然后提取等离子体内的离子化碳以形成离子束。 用质量分析器磁体对离子束进行质量分析，以允许离子化碳通过并且植入工件中。

    Implementation of CO-Gases for Germanium and Boron Ion Implants
    7.
    发明申请
    Implementation of CO-Gases for Germanium and Boron Ion Implants 有权
    锗和硼离子植入物的CO气体的实施

    公开(公告)号：US20120119113A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US12948309

    申请日：2010-11-17

    申请人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： G21G5/00

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

    摘要： An ion implantation system for improving performance and extending lifetime of an ion source is disclosed. A fluorine-containing dopant gas source is introduced into the ion chamber along with one or more co-gases. The one or more co-gases can include hydrogen or krypton. The co-gases mitigate the effects caused by free fluorine ions in the ion source chamber which lead to ion source failure.

    摘要翻译： 公开了一种用于提高离子源的性能和延长寿命的离子注入系统。 含氟掺杂剂气体源与一种或多种共同气体一起引入离子室。 一种或多种共气体可以包括氢或氪。 共气体减轻离子源室中游离氟离子引起离子源失效的影响。

    Hydrogen COGas For Carbon Implant
    8.
    发明申请
    Hydrogen COGas For Carbon Implant 有权
    碳植入物的氢COGas

    公开(公告)号：US20120118232A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US12948369

    申请日：2010-11-17

    申请人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    发明人： Neil K. Colvin ,  Tseh-Jen Hsieh

    IPC分类号： C23C14/48 ,  H05H15/00

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

    摘要： A system, apparatus and method for increasing ion source lifetime in an ion implanter are provided. Oxidation of the ion source and ion source chamber poisoning resulting from a carbon and oxygen-containing source gas is controlled by utilizing a hydrogen co-gas, which reacts with free oxygen atoms to form hydroxide and water.

    摘要翻译： 提供了一种用于增加离子注入机中离子源寿命的系统，装置和方法。 通过利用与游离氧原子反应形成氢氧化物和水的氢气体来控制由含碳和含氧源气体产生的离子源和离子源室中毒的氧化。

    Flourine and HF Resistant Seals for an Ion Source
    9.
    发明申请
    Flourine and HF Resistant Seals for an Ion Source 审中-公开
    用于离子源的面粉和HF抗性密封胶

    公开(公告)号：US20140319994A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：US13870425

    申请日：2013-04-25

    申请人： Neil K. Colvin ,  Tseh Jen Hsieh

    发明人： Neil K. Colvin ,  Tseh Jen Hsieh

    IPC分类号： H01J37/317 ,  F16J15/02 ,  H01J37/30

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  F16J15/02 ,  H01J5/26 ,  H01J5/32 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3002

    摘要： An exemplary ion source for creating a stream of ions has a chamber body that at least partially bounds an ionization region of the arc chamber. The arc chamber body is used with a hot filament arc chamber housing that either directly or indirectly heats a cathode to sufficient temperature to cause electrons to stream through the ionization region of the arc chamber. Electrically insulating seal element(s) engaging an outer surface of the arc chamber body are provided for impeding material from exiting the chamber interior openings of the arc chamber body. The seal element(s) have a ceramic body that includes an outer wall that abuts the arc chamber body along a circumferential outer lip. The seal also has one or more radially inner channels bounded by one or more inner walls spaced inwardly from the outer wall. The electrically insulating seal element comprises a Boron Nitride (BN) material.

    摘要翻译： 用于产生离子流的示例性离子源具有至少部分地界定电弧室的电离区域的室主体。 电弧室主体与热丝电弧室壳体一起使用，其直接或间接地将阴极加热至足够的温度，以使电子流过电弧室的电离区域。 设置与电弧室主体的外表面接合的绝缘密封元件用于阻止材料离开电弧室主体的室内部开口。 密封元件具有陶瓷体，该陶瓷体包括沿着圆周外唇缘邻接电弧室主体的外壁。 密封件还具有一个或多个径向内部通道，其由与外壁间隔开的一个或多个内壁限定。 电绝缘密封元件包括氮化硼（BN）材料。