公开(公告)号：US20090225588A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12044407

申请日：2008-03-07

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/122 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： A phase-change memory device includes a first insulator having a hole therethrough, a first electrode that conforms at least partially to the hole, a phase-change material in electrical communication with the first electrode, and a second electrode in electrical communication with the phase-change material. When current is passed from the first electrode to the second electrode through the phase-change material, at least one of the first and second electrodes remains unreactive with the phase change material.

摘要翻译： 相变存储器件包括具有穿过其中的孔的第一绝缘体，至少部分地匹配于该孔的第一电极，与第一电极电连通的相变材料以及与该相位电连通的第二电极 交换材料 当电流通过相变材料从第一电极通过第二电极时，第一和第二电极中的至少一个保持与相变材料不反应。

公开(公告)号：US20080273372A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12178148

申请日：2008-07-23

申请人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

发明人： Regino Sandoval ,  Sergey A. Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A method of programming a multi-layer chalcogenide electronic device. The device includes an active region in electrical communication with two terminals, where the active region includes two or more layers. The method includes providing an electrical signal between the two terminals, where the electrical signal alters an electrical characteristic of a layer remote from one of the terminals. In one embodiment, the layer remote from the terminal is a chalcogenide material and the electrical characteristic is resistance. In another embodiment, an electrical characteristic of the layer in contact with the terminal is also altered. The alteration of an electrical characteristic may be caused by a transformation of a chalcogenide material from one structural state to another structural state.

摘要翻译： 一种编程多层硫族化物电子器件的方法。 该器件包括与两个端子电连通的有源区域，其中有源区域包括两层或更多层。 该方法包括在两个终端之间提供电信号，其中电信号改变远离一个终端的层的电特性。 在一个实施例中，远离终端的层是硫族化物材料，并且电特性是电阻。 在另一个实施例中，与终端接触的层的电特性也被改变。 电特性的改变可能是由硫族化物材料从一种结构状态转变为另一种结构状态引起的。

公开(公告)号：US20080042119A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11821246

申请日：2007-06-22

申请人： Regino Sandoval ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey ,  Isamu Asano

发明人： Regino Sandoval ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey ,  Isamu Asano

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/1246 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A multi-layer chalcogenide, memory or switching device. The device includes an active region disposed between a first terminal and a second terminal. The active region includes a first layer and a second layer, where one of the layers is a heterogeneous layer that includes an operational component and a promoter component. The other layer may be a homogeneous or heterogeneous layer. In exemplary embodiments, the operational component is a chalcogenide or phase change material and the promoter component is an insulating or dielectric material. Inclusion of the promoter component provides beneficial performance characteristics such as a reduction in reset current or minimization of formation requirements.

摘要翻译： 多层硫族化物，记忆体或开关装置。 该装置包括设置在第一端子和第二端子之间的有源区域。 有源区包括第一层和第二层，其中一层是包含可操作组分和促进剂组分的异质层。 另一层可以是均质或非均质层。 在示例性实施方案中，操作组分是硫族化物或相变材料，并且促进剂组分是绝缘或介电材料。 包含启动子组分提供了有益的性能特征，例如复位电流的降低或形成要求的最小化。

公开(公告)号：US20080023685A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11743459

申请日：2007-05-02

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey ,  Sergey Kostylev ,  Regino Sandoval

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey ,  Sergey Kostylev ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/148 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

摘要： A memory device includes a phase-change material and a first electrode in electrical communication with the phase-change material. Also included is a second electrode in electrical communication with the phase-change material and a dielectric layer. The dielectric layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The dielectric layer has an opening therethrough. The phase-change material is disposed on both sides of the dielectric layer and within the opening. Electrical communication within the device is by means of virtual contacts.

摘要翻译： 存储器件包括相变材料和与相变材料电连通的第一电极。 还包括与相变材料和介电层电连通的第二电极。 介电层设置在第一电极和第二电极之间。 电介质层具有通过其的开口。 相变材料设置在电介质层的两侧和开口内。 设备内的电气通信是通过虚拟接触。

公开(公告)号：US20100283029A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12454002

申请日：2009-05-11

申请人： Charles Dennison ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Jeff Fournier ,  Tom Latowski ,  James Reed ,  Regino Sandoval

发明人： Charles Dennison ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Jeff Fournier ,  Tom Latowski ,  James Reed ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： A memory includes multiple layers of deposited memory material. An etch is performed on at least one layer of deposited memory material prior to the deposition of a subsequent layer of memory material.

摘要翻译： 存储器包括多层沉积的存储器材料。 在沉积后续存储材料层之前，在至少一层沉积的存储材料上进行蚀刻。

公开(公告)号：US20120329237A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13590085

申请日：2012-08-20

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/122 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： A phase-change memory device includes a first insulator having a hole therethrough, a first electrode that conforms at least partially to the hole, a phase-change material in electrical communication with the first electrode, and a second electrode in electrical communication with the phase-change material. When current is passed from the first electrode to the second electrode through the phase-change material, at least one of the first and second electrodes remains unreactive with the phase change material.

摘要翻译： 相变存储器件包括具有穿过其中的孔的第一绝缘体，至少部分地匹配于该孔的第一电极，与第一电极电连通的相变材料以及与该相位电连通的第二电极 交换材料 当电流通过相变材料从第一电极通过第二电极时，第一和第二电极中的至少一个保持与相变材料不反应。

公开(公告)号：US08269208B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12044407

申请日：2008-03-07

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L45/122 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： A phase-change memory device includes a first insulator having a hole therethrough, a first electrode that conforms at least partially to the hole, a phase-change material in electrical communication with the first electrode, and a second electrode in electrical communication with the phase-change material. When current is passed from the first electrode to the second electrode through the phase-change material, at least one of the first and second electrodes remains unreactive with the phase change material.

摘要翻译： 相变存储器件包括具有穿过其中的孔的第一绝缘体，至少部分地匹配于该孔的第一电极，与第一电极电连通的相变材料以及与该相位电连通的第二电极 交换材料 当电流通过相变材料从第一电极通过第二电极时，第一和第二电极中的至少一个保持与相变材料不反应。

公开(公告)号：US20090298222A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12154952

申请日：2008-05-28

申请人： Tyler Lowrey ,  Jeff Fournier ,  Robert Nuss ,  Carl Schell ,  Guy Wicker ,  Jim Ricker ,  James Reed ,  Ed Spall ,  Sergey Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

发明人： Tyler Lowrey ,  Jeff Fournier ,  Robert Nuss ,  Carl Schell ,  Guy Wicker ,  Jim Ricker ,  James Reed ,  Ed Spall ,  Sergey Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/04 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608

摘要： A method of chalcogenide device formation includes treatment of the surface upon which the chalcogenide material is deposited. The treatment reduces or eliminates native oxides and other contaminants from the surface, thereby increasing the adhesion of the chalcogenide layer to the treated surface, eliminating voids between the chalcogenide layer and deposition surface and reducing the degradation of chalcogenide material due to the migration of contaminants into the chalcogenide.

摘要翻译： 硫族化物器件形成的方法包括处理沉积硫族化物材料的表面。 该处理减少或消除了表面的天然氧化物和其他污染物，从而增加了硫属化物层与处理过的表面的粘附性，消除了硫属化物层与沉积表面之间的空隙，并且由于污染物的迁移而降低了硫族化物材料的降解 硫族化物。

公开(公告)号：US20070034849A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11451913

申请日：2006-06-13

申请人： Regino Sandoval ,  Sergey Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

发明人： Regino Sandoval ,  Sergey Kostylev ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A multi-layer chalcogenide electronic device. The device includes an active region in electrical communication with two terminals, where the active region includes two or more layers. In one embodiment, the pore region includes two or more chalcogenide materials which differ in chemical composition. In another embodiment, the pore region includes one or more chalcogenide materials and a layer of Sb. The devices offer the advantages of minimal conditioning requirements, fast set speeds, high reset resistances and low set resistances.

摘要翻译： 多层硫族化物电子器件。 该器件包括与两个端子电连通的有源区域，其中有源区域包括两层或更多层。 在一个实施方案中，孔区域包括化学组成不同的两种或更多种硫族化物材料。 在另一个实施方案中，孔区包括一种或多种硫族化物材料和一层Sb。 该器件具有最小的调理要求，快速设定速度，高复位电阻和低设定电阻的优点。

公开(公告)号：US08796101B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13590085

申请日：2012-08-20

申请人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

发明人： Wolodymyr Czubatyj ,  Regino Sandoval

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/122 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

摘要： A phase-change memory device includes a first insulator having a hole therethrough, a first electrode that conforms at least partially to the hole, a phase-change material in electrical communication with the first electrode, and a second electrode in electrical communication with the phase-change material. When current is passed from the first electrode to the second electrode through the phase-change material, at least one of the first and second electrodes remains unreactive with the phase change material.

摘要翻译： 相变存储器件包括具有穿过其中的孔的第一绝缘体，至少部分地匹配于该孔的第一电极，与第一电极电连通的相变材料以及与该相位电连通的第二电极 交换材料 当电流通过相变材料从第一电极通过第二电极时，第一和第二电极中的至少一个保持与相变材料不反应。