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    CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE LEVEL FOR A MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT
    1.
    发明申请
    CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE LEVEL FOR A MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT 有权
    用于产生磁性随机存取元件的参考电平的电路和方法

    公开(公告)号：US20130121066A1

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：US13293565

    申请日：2011-11-10

    申请人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Wenqing Wu ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Wenqing Wu ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C5/147 ,  G11C11/1673

    摘要： A method of establishing a reference level includes providing first and second non-overlapping paths from a first node to a second node, providing first and second reference magnetic random access memory (MRAM) elements in the first path, providing third and fourth reference MRAM elements in the second path, measuring a first value indicative of a resistance between the first node and the second node, and setting the reference level based at least in part on the measured value. Also an associated reference circuit.

    摘要翻译： 建立参考水平的方法包括提供从第一节点到第二节点的第一和第二非重叠路径，在第一路径中提供第一和第二参考磁随机存取存储器（MRAM）元件，提供第三和第四参考MRAM元件 在所述第二路径中，测量表示所述第一节点和所述第二节点之间的电阻的第一值，并且至少部分地基于所述测量值来设置所述参考电平。 还有一个相关的参考电路。

    Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element
    3.
    发明授权
    Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element 有权
    用于产生用于磁随机存取存储器元件的参考电平的电路和方法

    公开(公告)号：US08576617B2

    公开(公告)日：2013-11-05

    申请号：US13293565

    申请日：2011-11-10

    申请人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Wenqing Wu ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    发明人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Wenqing Wu ,  Jung Pill Kim ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C5/147 ,  G11C11/1673

    摘要： A method of establishing a reference level includes providing first and second non-overlapping paths from a first node to a second node, providing first and second reference magnetic random access memory (MRAM) elements in the first path, providing third and fourth reference MRAM elements in the second path, measuring a first value indicative of a resistance between the first node and the second node, and setting the reference level based at least in part on the measured value. Also an associated reference circuit.

    摘要翻译： 建立参考水平的方法包括提供从第一节点到第二节点的第一和第二非重叠路径，在第一路径中提供第一和第二参考磁随机存取存储器（MRAM）元件，提供第三和第四参考MRAM元件 在所述第二路径中，测量表示所述第一节点和所述第二节点之间的电阻的第一值，并且至少部分地基于所述测量值来设置所述参考电平。 还有一个相关的参考电路。

    Programmable logic sensing in magnetic random access memory
    5.
    发明授权
    Programmable logic sensing in magnetic random access memory 有权
    磁性随机存取存储器中的可编程逻辑检测

    公开(公告)号：US08593173B2

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US13244962

    申请日：2011-09-26

    申请人： Jung Pill Kim ,  Tae Hyun Kim ,  Wenqing Wu ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

    发明人： Jung Pill Kim ,  Tae Hyun Kim ,  Wenqing Wu ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： H03K19/177

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0069 ,  H03K19/02 ,  H03K19/20

    摘要： A Magnetic Random Access Memory (MRAM) logic circuit includes read sensing circuitry having a first level corresponding to a first category of logic circuitry and a second logic level corresponding to a second category of logic circuitry. The logic circuitry may be switchable between circuitry having the first logic level and circuitry having the second logic level according to the category of the logic circuit being implemented.

    摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）逻辑电路包括具有对应于第一类逻辑电路的第一电平的读取感测电路和对应于第二类逻辑电路的第二逻辑电平。 逻辑电路可以在具有第一逻辑电平的电路和具有第二逻辑电平的电路之间根据所实现的逻辑电路的类别来切换。

    Programmable Logic Sensing in Magnetic Random Access Memory
    6.
    发明申请
    Programmable Logic Sensing in Magnetic Random Access Memory 有权
    磁性随机存取存储器中的可编程逻辑检测

    公开(公告)号：US20130076390A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13244962

    申请日：2011-09-26

    申请人： Jung Pill Kim ,  Tae Hyun Kim ,  Wenqing Wu ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

    发明人： Jung Pill Kim ,  Tae Hyun Kim ,  Wenqing Wu ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： H03K19/177 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0069 ,  H03K19/02 ,  H03K19/20

    摘要： A Magnetic Random Access Memory (MRAM) logic circuit includes read sensing circuitry having a first level corresponding to a first category of logic circuitry and a second logic level corresponding to a second category of logic circuitry. The logic circuitry may be switchable between circuitry having the first logic level and circuitry having the second logic level according to the category of the logic circuit being implemented.

    摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）逻辑电路包括具有对应于第一类逻辑电路的第一电平的读取感测电路和对应于第二类逻辑电路的第二逻辑电平。 逻辑电路可以在具有第一逻辑电平的电路和具有第二逻辑电平的电路之间根据所实现的逻辑电路的类别来切换。

    Entropy source with magneto-resistive element for random number generator
    7.
    发明授权
    Entropy source with magneto-resistive element for random number generator 有权
    熵源与随机数发生器的磁阻元件

    公开(公告)号：US09189201B2

    公开(公告)日：2015-11-17

    申请号：US13367322

    申请日：2012-02-06

    申请人： David M. Jacobson ,  Xiaochun Zhu ,  Wenqing Wu ,  Kendrick Hoy Leong Yuen ,  Seung H. Kang

    发明人： David M. Jacobson ,  Xiaochun Zhu ,  Wenqing Wu ,  Kendrick Hoy Leong Yuen ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G06F7/58

    CPC分类号： G06F7/588 ,  G06F5/01 ,  G06F2205/00 ,  G06F2207/581 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1695 ,  G11C11/1697 ,  H03M7/30

    摘要： An entropy source and a random number (RN) generator are disclosed. In one aspect, a low-energy entropy source includes a magneto-resistive (MR) element and a sensing circuit. The MR element is applied a static current and has a variable resistance determined based on magnetization of the MR element. The sensing circuit senses the resistance of the MR element and provides random values based on the sensed resistance of the MR element. In another aspect, a RN generator includes an entropy source and a post-processing module. The entropy source includes at least one MR element and provides first random values based on the at least one MR element. The post-processing module receives and processes the first random values (e.g., based on a cryptographic hash function, an error detection code, a stream cipher algorithm, etc.) and provides second random values having improved randomness characteristics.

    摘要翻译： 公开了熵源和随机数（RN）生成器。 一方面，低能量熵源包括磁阻（MR）元件和感测电路。 MR元件施加静态电流，并具有基于MR元件的磁化确定的可变电阻。 感测电路感测MR元件的电阻，并根据检测到的MR元件的电阻提供随机值。 另一方面，RN发生器包括熵源和后处理模块。 熵源包括至少一个MR元素，并且基于至少一个MR元素提供第一随机值。 后处理模块接收并处理第一随机值（例如，基于加密散列函数，错误检测码，流密码算法等）并提供具有改进的随机特性的第二随机值。

    Magnetic tunnel junction based random number generator
    10.
    发明授权
    Magnetic tunnel junction based random number generator 有权
    基于磁隧道结的随机数发生器

    公开(公告)号：US09110746B2

    公开(公告)日：2015-08-18

    申请号：US13602776

    申请日：2012-09-04

    申请人： Xiaochun Zhu ,  Wenqing Wu ,  David M. Jacobson ,  Seung H. Kang ,  Kendrick H. Yuen

    发明人： Xiaochun Zhu ,  Wenqing Wu ,  David M. Jacobson ,  Seung H. Kang ,  Kendrick H. Yuen

    IPC分类号： G06F7/58

    CPC分类号： G06F7/582 ,  G06F7/588

    摘要： Embodiments of the disclosure are directed to generating a random number. An embodiment of the disclosure passes a current from a read operation through a magnetic tunnel junction (MTJ) to cause a first magnetization orientation of a free layer to switch to a second magnetization orientation, the switch in magnetization orientation causing a change in a resistance of the MTJ, and periodically samples the resistance of the MTJ to generate a bit value for the random number.

    摘要翻译： 本公开的实施例涉及生成随机数。 本公开的实施例将来自读取操作的电流通过磁性隧道结（MTJ），以使自由层的第一磁化取向切换到第二磁化取向，磁化方向上的开关导致电阻的变化 MTJ周期性地对MTJ的电阻进行采样，以生成随机数的位值。