公开(公告)号：US20120145080A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13323214

申请日：2011-12-12

申请人： YOUNGKYOU PARK ,  Jeongsoo Suh ,  Wangoo Hwang ,  Hoonsang Choi ,  Jongrok Park

发明人： YOUNGKYOU PARK ,  Jeongsoo Suh ,  Wangoo Hwang ,  Hoonsang Choi ,  Jongrok Park

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  B23Q1/64 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4584 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46

摘要： A substrate support unit includes a support member configured to accommodate a plurality of substrate holders and a driving member configured to rotate the substrate holders and the support member on their respective axes.

摘要翻译： 衬底支撑单元包括构造成容纳多个衬底保持器的支撑构件和被构造成使衬底保持器和支撑构件在它们各自的轴上旋转的驱动构件。

公开(公告)号：US20090039415A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12153952

申请日：2008-05-28

申请人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

发明人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

IPC分类号： H01L21/28 ,  H05K3/00 ,  H01L29/792 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In one embodiment, the method of forming a dielectric layer includes supplying a first precursor at a temperature less than 400 degrees Celsius to a chamber including a substrate. The first precursor includes dysprosium. A first reaction gas is supplied to the chamber to react with the first precursor. A second precursor is supplied at a temperature less than 400 degrees Celsius to the chamber, and the second precursor includes scandium. A second reaction gas is supplied to the chamber to react with the second precursor.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成电介质层的方法包括在小于400摄氏度的温度下向包括衬底的腔室供应第一前体。 第一个前体包括镝。 将第一反应气体供应到室以与第一前体反应。 在小于400摄氏度的温度下将第二前体供应到室，并且第二前体包括钪。 将第二反应气体供应到室以与第二前体反应。

公开(公告)号：US08105930B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12153952

申请日：2008-05-28

申请人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

发明人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In one embodiment, the method of forming a dielectric layer includes supplying a first precursor at a temperature less than 400 degrees Celsius to a chamber including a substrate. The first precursor includes dysprosium. A first reaction gas is supplied to the chamber to react with the first precursor. A second precursor is supplied at a temperature less than 400 degrees Celsius to the chamber, and the second precursor includes scandium. A second reaction gas is supplied to the chamber to react with the second precursor.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成电介质层的方法包括在小于400摄氏度的温度下向包括衬底的腔室供应第一前体。 第一个前体包括镝。 将第一反应气体供应到室以与第一前体反应。 在小于400摄氏度的温度下将第二前体供应到室，并且第二前体包括钪。 将第二反应气体供应到室以与第二前体反应。