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    Method of fabricating a dual damascene interconnect structure
    1.
    发明授权
    Method of fabricating a dual damascene interconnect structure 失效
    制造双镶嵌互连结构的方法

    公开(公告)号：US07413990B2

    公开(公告)日：2008-08-19

    申请号：US11423613

    申请日：2006-06-12

    申请人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    发明人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7684

    摘要： A method of fabricating an interconnect structure (e.g., dual damascene interconnect structure, and the like) of an integrated circuit device is disclosed. The interconnect structure is fabricated using a bi-layer mask comprising an imaging film and an organic planarizing film. The bi-layer mask is used to remove lithographic misalignment between a contact hole, a trench, and an underlying conductive line when the interconnect structure is formed. Additionally, a sacrificial layer may be used to protect an inter-metal dielectric (IMD) layer during subsequent planarization of the interconnect structure. The sacrificial layer may be formed of amorphous silicon (Si), titanium nitride (TiN), tungsten (W), and the like. The interconnect structure may be formed of a metal (e.g., copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ti), tungsten (W), titanium (Ti), and the like) or a conductive compound (e.g., tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (WN), and the like).

    摘要翻译： 公开了一种制造集成电路器件的互连结构（例如双镶嵌互连结构等）的方法。 使用包括成像膜和有机平坦化膜的双层掩模制造互连结构。 当形成互连结构时，双层掩模用于去除接触孔，沟槽和下面的导电线之间的光刻未对准。 此外，牺牲层可以用于在互连结构的随后的平坦化期间保护金属间电介质（IMD）层。 牺牲层可以由非晶硅（Si），氮化钛（TiN），钨（W）等形成。 互连结构可以由金属（例如铜（Cu），铝（Al），钽（Ti），钨（W），钛（Ti）等）或导电化合物（例如，氮化钽 （TaN），氮化钛（TiN），氮化钨（WN）等）。

    Method of fabricating a dual damascene interconnect structure
    2.
    发明授权
    Method of fabricating a dual damascene interconnect structure 失效
    制造双镶嵌互连结构的方法

    公开(公告)号：US07115517B2

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US10674700

    申请日：2003-09-29

    申请人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    发明人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7684

    摘要： A method of fabricating an interconnect structure (e.g., dual damascene interconnect structure, and the like) of an integrated circuit device is disclosed. The interconnect structure is fabricated using a bi-layer mask comprising an imaging film and an organic planarizing film. The bi-layer mask is used to remove lithographic misalignment between a contact hole, a trench, and an underlying conductive line when the interconnect structure is formed. Additionally, a sacrificial layer may be used to protect an inter-metal dielectric (IMD) layer during subsequent planarization of the interconnect structure. The sacrificial layer may be formed of amorphous silicon (Si), titanium nitride (TiN), tungsten (W), and the like. The interconnect structure may be formed of a metal (e.g., copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ti), tungsten (W), titanium (Ti), and the like) or a conductive compound (e.g., tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (WN), and the like).

    摘要翻译： 公开了一种制造集成电路器件的互连结构（例如双镶嵌互连结构等）的方法。 使用包括成像膜和有机平坦化膜的双层掩模制造互连结构。 当形成互连结构时，双层掩模用于去除接触孔，沟槽和下面的导电线之间的光刻未对准。 此外，牺牲层可以用于在互连结构的随后的平坦化期间保护金属间电介质（IMD）层。 牺牲层可以由非晶硅（Si），氮化钛（TiN），钨（W）等形成。 互连结构可以由金属（例如铜（Cu），铝（Al），钽（Ti），钨（W），钛（Ti）等）或导电化合物（例如，氮化钽 （TaN），氮化钛（TiN），氮化钨（WN）等）。

    METHOD OF FABRICATING A DUAL DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE
    3.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A DUAL DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE 失效
    双重DAMASCENE互连结构的制作方法

    公开(公告)号：US20060216926A1

    公开(公告)日：2006-09-28

    申请号：US11423613

    申请日：2006-06-12

    申请人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    发明人： Yan Ye ,  Xiaoye Zhao ,  Hong Du

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7684

    摘要： A method of fabricating an interconnect structure (e.g., dual damascene interconnect structure, and the like) of an integrated circuit device is disclosed. The interconnect structure is fabricated using a bi-layer mask comprising an imaging film and an organic planarizing film. The bi-layer mask is used to remove lithographic misalignment between a contact hole, a trench, and an underlying conductive line when the interconnect structure is formed. Additionally, a sacrificial layer may be used to protect an inter-metal dielectric (IMD) layer during subsequent planarization of the interconnect structure. The sacrificial layer may be formed of amorphous silicon (Si), titanium nitride (TiN), tungsten (W), and the like. The interconnect structure may be formed of a metal (e.g., copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ti), tungsten (W), titanium (Ti), and the like) or a conductive compound (e.g., tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (WN), and the like).

    摘要翻译： 公开了一种制造集成电路器件的互连结构（例如双镶嵌互连结构等）的方法。 使用包括成像膜和有机平坦化膜的双层掩模制造互连结构。 当形成互连结构时，双层掩模用于去除接触孔，沟槽和下面的导电线之间的光刻未对准。 此外，牺牲层可以用于在互连结构的随后的平坦化期间保护金属间电介质（IMD）层。 牺牲层可以由非晶硅（Si），氮化钛（TiN），钨（W）等形成。 互连结构可以由金属（例如铜（Cu），铝（Al），钽（Ti），钨（W），钛（Ti）等）或导电化合物（例如，氮化钽 （TaN），氮化钛（TiN），氮化钨（WN）等）。

    HIGH PRIORITY SERVICE SENDING AND RECEIVING METHOD AND DEVICE IN DIRECT MODE
    4.
    发明申请
    HIGH PRIORITY SERVICE SENDING AND RECEIVING METHOD AND DEVICE IN DIRECT MODE 有权
    高优先级服务发送和接收方法和直接模式下的设备

    公开(公告)号：US20140192790A1

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：US14238760

    申请日：2011-08-15

    申请人： Chia Han Siong Samuel ,  Fan Yang ,  Yan Xu ,  Mingjun Chen ,  Jianliang Liu ,  Hong Du

    发明人： Chia Han Siong Samuel ,  Fan Yang ,  Yan Xu ,  Mingjun Chen ,  Jianliang Liu ,  Hong Du

    IPC分类号： H04W72/04 ,  H04J3/16

    CPC分类号： H04W72/0446 ,  H04J3/1694 ,  H04W72/1247 ,  H04W76/14 ,  H04W84/08

    摘要： A high priority service sending method and device in a direct mode, and a high priority service receiving method and device in a direct mode. The receiving method includes: after sending a voice frame in a voice call sending state, a user terminal receiving and detecting a priority frame in another time slot with respect to the time slot occupied by the voice call; and if the priority frame is detected, then stopping the voice call and receiving a high priority service frame in the other time slot. Using the present invention can enable an interphone in a transmitting state in a direct mode to send or receive a high priority service as well.

    摘要翻译： 直接模式的高优先级业务发送方法和装置，以及直接模式的高优先级业务接收方式和装置。 接收方法包括：在语音呼叫发送状态发送语音帧之后，用户终端相对于语音呼叫占用的时隙在另一时隙中接收和检测优先级帧; 如果检测到优先级帧，则在另一时隙中停止语音呼叫并接收高优先级服务帧。 使用本发明可以使处于处于直接模式的发送状态的对讲机也能够发送或接收高优先级服务。

    Advanced phase shift lithography and attenuated phase shift mask for narrow track width d write pole definition
    6.
    发明授权
    Advanced phase shift lithography and attenuated phase shift mask for narrow track width d write pole definition 有权
    高级相移光刻和衰减相移掩模，用于窄轨宽d写磁极定义

    公开(公告)号：US08192900B2

    公开(公告)日：2012-06-05

    申请号：US12714159

    申请日：2010-02-26

    申请人： Hong Du ,  Douglas J. Werner ,  Yi Zheng

    发明人： Hong Du ,  Douglas J. Werner ,  Yi Zheng

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/00 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163

    摘要： A method for patterning a wafer using a phase shifting photolithography that can produce a critical symmetrical 2-dimensional structure such as a magnetic write pole of a magnetic write head. In one aspect of the invention, a photolithographic mask has an opaque portion with narrow, transparent phase shifting regions at either side of the opaque portion. A non-phase shifted region extends beyond the narrow phase shifted portion at either side of the structure. The phase shifted regions are symmetrical about the opaque region so that the image produced on the wafer is completely symmetrical. In another aspect of the invention, a phase shifted region in formed in a transparent medium with non-phase shifted regions at either side of the phase shifted region. The transition between the phase shifted region and non-phase shifted region alone defines a pattern on the wafer, without the need for an opaque structure on the mask.

    摘要翻译： 使用可产生关键对称二维结构（诸如磁写头的磁写磁极）的相移光刻法来构图晶片的方法。 在本发明的一个方面，光刻掩模具有不透明部分，在不透明部分的任一侧具有窄的透明相移区域。 非相移区域在结构的任一侧延伸超过窄相移部分。 相移区域关于不透明区域是对称的，使得在晶片上产生的图像是完全对称的。 在本发明的另一方面中，形成在相移区域的任一侧上的具有非相移区域的透明介质中的相移区域。 相移区域和非相移区域之间的转变仅在晶片上限定了图案，而不需要掩模上的不透明结构。

    ADVANCED PHASE SHIFT LITHOGRAPHY AND ATTENUATED PHASE SHIFT MASK FOR NARROW TRACK WIDTH D WRITE POLE DEFINITION
    10.
    发明申请
    ADVANCED PHASE SHIFT LITHOGRAPHY AND ATTENUATED PHASE SHIFT MASK FOR NARROW TRACK WIDTH D WRITE POLE DEFINITION 有权
    先进的相位移动平移和衰减相位切换掩码用于窄轨道宽度D写入点定义

    公开(公告)号：US20110212388A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：US12714159

    申请日：2010-02-26

    申请人： Hong Du ,  Douglas J. Werner ,  Yi Zheng

    发明人： Hong Du ,  Douglas J. Werner ,  Yi Zheng

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/00 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163

    摘要： A method for patterning a wafer using a phase shifting photolithography that can produce a critical symmetrical 2-dimensional structure such as a magnetic write pole of a magnetic write head. In one aspect of the invention, a photolithographic mask has an opaque portion with narrow, transparent phase shifting regions at either side of the opaque portion. A non-phase shifted region extends beyond the narrow phase shifted portion at either side of the structure. The phase shifted regions are symmetrical about the opaque region so that the image produced on the wafer is completely symmetrical. In another aspect of the invention, a phase shifted region in formed in a transparent medium with non-phase shifted regions at either side of the phase shifted region. The transition between the phase shifted region and non-phase shifted region alone defines a pattern on the wafer, without the need for an opaque structure on the mask.

    摘要翻译： 使用可产生关键对称二维结构（诸如磁写头的磁写磁极）的相移光刻法来构图晶片的方法。 在本发明的一个方面，光刻掩模具有不透明部分，在不透明部分的任一侧具有窄的透明相移区域。 非相移区域在结构的任一侧延伸超过窄相移部分。 相移区域关于不透明区域是对称的，使得在晶片上产生的图像是完全对称的。 在本发明的另一方面中，形成在相移区域的任一侧上的具有非相移区域的透明介质中的相移区域。 相移区域和非相移区域之间的转变仅在晶片上限定了图案，而不需要掩模上的不透明结构。