公开(公告)号：US20110127541A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US13008874

申请日：2011-01-18

申请人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

发明人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2DEG的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触件连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US20100140660A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12332284

申请日：2008-12-10

申请人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

发明人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2DEG的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触件连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US08541818B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13533339

申请日：2012-06-26

申请人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Ilan Ben-Yaacov

发明人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Ilan Ben-Yaacov

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2 DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2 DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2 DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2°的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触器连接到2°，与含有2°的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US08237198B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US13008874

申请日：2011-01-18

申请人： Yifeng Wu ,  Rongming Chu ,  Primit Parikh ,  Umesh Mishra ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

发明人： Yifeng Wu ,  Rongming Chu ,  Primit Parikh ,  Umesh Mishra ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2DEG的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触件连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US20120267640A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13533339

申请日：2012-06-26

申请人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Ilan Ben-Yaacov

发明人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Ilan Ben-Yaacov

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2DEG的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触件连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US07898004B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12332284

申请日：2008-12-10

申请人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

发明人： Yifeng Wu ,  Umesh Mishra ,  Primit Parikh ,  Rongming Chu ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Likun Shen

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.

摘要翻译： 平面肖特基二极管，其半导体材料包括在至少一个半导体层中诱导2DEG的异质结。 金属阳极触点位于上半导体层的顶部，与该层形成肖特基接触。 金属阴极接触件连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：US08519438B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12108449

申请日：2008-04-23

申请人： Umesh Mishra ,  Robert Coffie ,  Likun Shen ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Primit Parikh

发明人： Umesh Mishra ,  Robert Coffie ,  Likun Shen ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Primit Parikh

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

摘要： A III-N semiconductor device that includes a substrate and a nitride channel layer including a region partly beneath a gate region, and two channel access regions on opposite sides of the part beneath the gate. The channel access regions may be in a different layer from the region beneath the gate. The device includes an AlXN layer adjacent the channel layer wherein X is gallium, indium or their combination, and a preferably n-doped GaN layer adjacent the AlXN layer in the areas adjacent to the channel access regions. The concentration of Al in the AlXN layer, the AlXN layer thickness and the n-doping concentration in the n-doped GaN layer are selected to induce a 2DEG charge in channel access regions without inducing any substantial 2DEG charge beneath the gate, so that the channel is not conductive in the absence of a switching voltage applied to the gate.

公开(公告)号：US20090267078A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12108449

申请日：2008-04-23

申请人： Umesh Mishra ,  Robert Coffie ,  Likun Shen ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Primit Parikh

发明人： Umesh Mishra ,  Robert Coffie ,  Likun Shen ,  Ilan Ben-Yaacov ,  Primit Parikh

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

摘要： A III-N semiconductor device that includes a substrate and a nitride channel layer including a region partly beneath a gate region, and two channel access regions on opposite sides of the part beneath the gate. The channel access regions may be in a different layer from the region beneath the gate. The device includes an AlXN layer adjacent the channel layer wherein X is gallium, indium or their combination, and a preferably n-doped GaN layer adjacent the AlXN layer in the areas adjacent to the channel access regions. The concentration of Al in the AlXN layer, the AlXN layer thickness and the n-doping concentration in the n-doped GaN layer are selected to induce a 2DEG charge in channel access regions without inducing any substantial 2DEG charge beneath the gate, so that the channel is not conductive in the absence of a switching voltage applied to the gate.

摘要翻译： 一种III-N半导体器件，其包括衬底和包括部分在栅极区域下方的区域的氮化物沟道层，以及在栅极下方的部分的相对侧上的两个沟道存取区域。 通道接入区域可以在与栅极下方的区域不同的层中。 该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓，铟或它们的组合，以及在与沟道接入区相邻的区域中与AlXN层相邻的优选n掺杂GaN层。 选择AlXN层中的Al的浓度，n掺杂GaN层中的AlXN层厚度和n掺杂浓度，以在沟道接入区域中引起2DEG电荷，而不在栅极下方引起任何实质的2DEG电荷，使得 在没有施加到栅极的开关电压的情况下，通道不导通。

公开(公告)号：US20090065810A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12209581

申请日：2008-09-12

申请人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

发明人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7781

摘要： Bidirectional switches are described. The bidirectional switches include first and a second III-N based high electron mobility transistor. In some embodiments, the source of the first transistor is in electrical contact with a source of the second transistor. In some embodiments, the drain of the first transistor is in electrical contact with a drain of the second transistor. In some embodiments, the two transistors share a drift region and the switch is free of a drain contact between the two transistors. Matrix converters can be formed from the bidirectional switches.

摘要翻译： 描述了双向开关。 双向开关包括第一和第二III-N基高电子迁移率晶体管。 在一些实施例中，第一晶体管的源极与第二晶体管的源电接触。 在一些实施例中，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极电接触。 在一些实施例中，两个晶体管共享漂移区，并且开关在两个晶体管之间没有漏极接触。 矩阵转换器可以由双向开关形成。

公开(公告)号：US07875907B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12209581

申请日：2008-09-12

申请人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

发明人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7781

摘要： Bidirectional switches are described. The bidirectional switches include first and a second III-N based high electron mobility transistor. In some embodiments, the source of the first transistor is in electrical contact with a source of the second transistor. In some embodiments, the drain of the first transistor is in electrical contact with a drain of the second transistor. In some embodiments, the two transistors share a drift region and the switch is free of a drain contact between the two transistors. Matrix converters can be formed from the bidirectional switches.

摘要翻译： 描述了双向开关。 双向开关包括第一和第二III-N基高电子迁移率晶体管。 在一些实施例中，第一晶体管的源极与第二晶体管的源电接触。 在一些实施例中，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极电接触。 在一些实施例中，两个晶体管共享漂移区，并且开关在两个晶体管之间没有漏极接触。 矩阵转换器可以由双向开关形成。