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94 条记录 (耗时 0.032 秒)

    Data storage system and device with randomizer/de-randomizer
    4.
    发明授权
    Data storage system and device with randomizer/de-randomizer 有权
    数据存储系统和具有随机化/去随机化器的设备

    公开(公告)号：US08352808B2

    公开(公告)日：2013-01-08

    申请号：US12573246

    申请日：2009-10-05

    申请人： Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

    发明人： Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

    IPC分类号： G06F11/00 ,  G06F12/00

    CPC分类号： G06F11/1008

    摘要： A data storage device receives write data and includes a controller configured to determine a characteristic of the write data and provide a first control signal in response to the determined characteristic, a randomizer configured to selectively randomize or not randomize the write data in response to the first control signal to thereby generate randomized write data, and a data storage unit configured to store the randomized write data.

    摘要翻译： 数据存储装置接收写入数据，并且包括控制器，被配置为确定写入数据的特性并响应于所确定的特性提供第一控制信号;随机化器，被配置为响应于第一个数据，选择性地随机化或不使写入数据随机化 从而生成随机写入数据，以及数据存储单元，被配置为存储随机写入数据。

    Memory device and method of programming thereof
    5.
    发明申请
    Memory device and method of programming thereof 有权
    存储器件及其编程方法

    公开(公告)号：US20100020620A1

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：US12453964

    申请日：2009-05-28

    申请人： Yong June Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

    发明人： Yong June Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

    IPC分类号： G11C16/04 ,  G06F12/00

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C7/1006

    摘要： Example embodiments may provide a memory device and memory data programming method. The memory device according to example embodiments may encode a first data page to generate at least one first codeword and encode a second data page to generate a second codeword. The memory device may generate the first codeword with at least one of a maximum value of a number of successive ones and a second maximum value of a number of successive zeros. The memory device may program the at least one first codeword and the at least one second codeword to a plurality of multi-bit cells.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供存储器设备和存储器数据编程方法。 根据示例性实施例的存储器件可编码第一数据页以产生至少一个第一码字，并对第二数据页进行编码以产生第二码字。 存储器装置可以利用连续零个数的最大值和连续零数的第二最大值中的至少一个来生成第一码字。 存储器件可以将至少一个第一代码字和至少一个第二代码字编程到多个多位单元。

    Memory device and method of managing memory data error
    7.
    发明申请
    Memory device and method of managing memory data error 有权
    内存设备和管理内存数据错误的方法

    公开(公告)号：US20090287975A1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：US12453163

    申请日：2009-04-30

    申请人： Yong June Kim ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Kyoung Lae Cho

    发明人： Yong June Kim ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Kyoung Lae Cho

    IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  H03M13/03

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3454 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

    摘要： Memory devices and/or methods of managing memory data errors are provided. A memory device detects and corrects an error bit of data read from a plurality of memory cells, and identifies a memory cell storing the detected error bit. The memory device assigns a verification voltage to each of the plurality of first memory cells, the assigned verification voltage corresponding to the corrected bit for the identified memory cell, the assigned verification voltage corresponding to the read data for the remaining memory cells. The memory device readjusts the data stored in the plurality of memory cells using the assigned verification voltage. Through this, it is possible to increase a retention period of the data of the memory device.

    摘要翻译： 提供了存储器件和/或管理存储器数据错误的方法。 存储器件检测并校正从多个存储器单元读取的数据的错误位，并且识别存储检测到的错误位的存储单元。 存储装置向多个第一存储器单元中的每一个分配验证电压，对应于所识别的存储单元的校正位的分配的验证电压，对应于剩余存储单元的读取数据的分配验证电压。 存储装置使用分配的验证电压重新调整存储在多个存储单元中的数据。 由此，可以增加存储装置的数据的保持期。

    Memory device and method of programming thereof
    9.
    发明授权
    Memory device and method of programming thereof 有权
    存储器件及其编程方法

    公开(公告)号：US08004891B2

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：US12453964

    申请日：2009-05-28

    申请人： Yong June Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

    发明人： Yong June Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jae Hong Kim ,  Jun Jin Kong ,  Hong Rak Son

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C7/1006

    摘要： Example embodiments may provide a memory device and memory data programming method. The memory device according to example embodiments may encode a first data page to generate at least one first codeword and encode a second data page to generate a second codeword. The memory device may generate the first codeword with at least one of a maximum value of a number of successive ones and a second maximum value of a number of successive zeros. The memory device may program the at least one first codeword and the at least one second codeword to a plurality of multi-bit cells.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供存储器设备和存储器数据编程方法。 根据示例性实施例的存储器件可编码第一数据页以产生至少一个第一码字，并对第二数据页进行编码以产生第二码字。 存储器装置可以利用连续零个数的最大值和连续零数的第二最大值中的至少一个来生成第一码字。 存储器件可以将至少一个第一代码字和至少一个第二代码字编程到多个多位单元。

    Memory device and wear leveling method
    10.
    发明授权
    Memory device and wear leveling method 有权
    记忆装置和磨损均衡方法

    公开(公告)号：US08473668B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US12379273

    申请日：2009-02-18

    申请人： Yong June Kim ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong

    发明人： Yong June Kim ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong

    IPC分类号： G06F12/00

    CPC分类号： G11C16/349 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5644

    摘要： The memory device selects any one of a first memory cell and a second memory cell based on a number of times that the first memory cell is erased, an elapsed time after the first memory cell is erased, a number of times that the second memory cell is erased, and an elapsed time after the second memory cell is erased, and program data in the selected memory cell. The memory device may improve distribution of threshold voltage of memory cells and endurance of the memory cells.

    摘要翻译： 存储装置基于第一存储单元的擦除次数，第一存储单元被擦除后的经过时间，第二存储单元的次数，选择第一存储单元和第二存储单元中的任一个， 被擦除，并且第二存储单元被擦除之后的经过时间，以及所选存储单元中的程序数据。 存储器件可以改善存储器单元的阈值电压分布和存储单元的耐久性。