公开(公告)号：US20110298099A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US12794713

申请日：2010-06-04

申请人： Yong-Won LEE ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee SHEK ,  Li-Qun XIA ,  Prahallad IYENGAR ,  Sanjeev BALUJA ,  Scott A. HENDRICKSON ,  Juan Carlos ROCHA-ALVAREZ ,  Thomas NOWAK ,  Derek R. WITTY

发明人： Yong-Won LEE ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee SHEK ,  Li-Qun XIA ,  Prahallad IYENGAR ,  Sanjeev BALUJA ,  Scott A. HENDRICKSON ,  Juan Carlos ROCHA-ALVAREZ ,  Thomas NOWAK ,  Derek R. WITTY

IPC分类号： H01L29/06 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

摘要： A silicon dioxide layer is deposited onto a substrate using a process gas comprising BDEAS and an oxygen-containing gas such as ozone. The silicon dioxide layer can be part of an etch-resistant stack that includes a resist layer. In another version, the silicon dioxide layer is deposited into through holes to form an oxide liner for through-silicon vias.

摘要翻译： 使用包含BDEAS和含氧气体如臭氧的工艺气体将二氧化硅层沉积到衬底上。 二氧化硅层可以是包括抗蚀剂层的抗蚀刻堆叠的一部分。 在另一个版本中，二氧化硅层被沉积到通孔中以形成用于通硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：US20130130405A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13659555

申请日：2012-10-24

申请人： Steven VERHAVERBEKE ,  Roman GOUK ,  Li-Qun XIA ,  Mei-yee SHEK ,  Yu JIN

发明人： Steven VERHAVERBEKE ,  Roman GOUK ,  Li-Qun XIA ,  Mei-yee SHEK ,  Yu JIN

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01F41/34 ,  G11B5/743 ,  G11B5/84 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67736

摘要： Embodiments of the present invention provide methods and apparatus for forming a patterned magnetic layer for use in magnetic media. According to embodiments of the present application, a silicon oxide layer formed by low temperature chemical vapor deposition is used to form a pattern in a hard mask layer, and the patterned hard mask is used to form a patterned magnetic layer by plasma ion implantation.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成用于磁性介质的图案化磁性层的方法和装置。 根据本申请的实施例，使用通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层在硬掩模层中形成图案，并且使用图案化的硬掩模通过等离子体离子注入形成图案化的磁性层。

公开(公告)号：US20120164827A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12978129

申请日：2010-12-23

申请人： Nagarajan RAJAGOPALAN ,  Ji Ae PARK ,  Ryan YAMASE ,  Shamik PATEL ,  Thomas NOWAK ,  Li-Qun XIA ,  Bok Hoen KIM ,  Ran DING ,  Jim BALDINO ,  Mehul NAIK ,  Sesh RAMASWAMI

发明人： Nagarajan RAJAGOPALAN ,  Ji Ae PARK ,  Ryan YAMASE ,  Shamik PATEL ,  Thomas NOWAK ,  Li-Qun XIA ,  Bok Hoen KIM ,  Ran DING ,  Jim BALDINO ,  Mehul NAIK ,  Sesh RAMASWAMI

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

摘要： A through-silicon via fabrication method comprises forming a substrate by bonding the front surface of a silicon plate to a carrier using an adhesive layer therebetween to expose the back surface of the silicon plate. A silicon nitride passivation layer is deposited on the exposed back surface of the silicon plate of the substrate. A plurality of through holes are etched in the silicon plate, the through holes comprising sidewalls and bottom walls. A metallic conductor is deposited in the through holes to form a plurality of through-silicon vias.

摘要翻译： 通过硅通孔的制造方法包括通过使用其间的粘合剂层将硅板的前表面粘合到载体上来形成基板，以暴露硅板的背面。 氮化硅钝化层沉积在衬底的硅板的暴露的背面上。 在硅板中蚀刻多个通孔，通孔包括侧壁和底壁。 金属导体沉积在通孔中以形成多个通硅通孔。