公开(公告)号：US07122490B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10785774

申请日：2004-02-24

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naomi Teratani ,  Jun Yoshikawa ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naomi Teratani ,  Jun Yoshikawa ,  Naohito Yamada

IPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/482

CPC分类号： C01B21/0602 ,  C01B21/072 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/581

摘要： A novel aluminum nitride material having a low room temperature volume resistivity is provided. The aluminum nitride material has an aluminum nitride main component and includes at least 0.03 mol % of europium oxide. The aluminum nitride material has an aluminum nitride phase and an europium-aluminum composite oxide phase. An aluminum nitride material also provided having an aluminum nitride main component, wherein a total content of europium oxide and samarium oxide is at least 0.09 mol %. The aluminum nitride material has an aluminum nitride phase and a composite oxide phase containing at least europium and aluminum.

摘要翻译： 提供具有低室温体积电阻率的新型氮化铝材料。 氮化铝材料具有氮化铝主要成分，并且包含至少0.03mol％的氧化铕。 氮化铝材料具有氮化铝相和铕 - 铝复合氧化物相。 还提供了具有氮化铝主要成分的氮化铝材料，其中氧化铕和氧化钐的总含量为至少0.09mol％。 氮化铝材料具有至少含有铕和铝的氮化铝相和复合氧化物相。

公开(公告)号：US07605102B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11677171

申请日：2007-02-21

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9692 ,  Y10T428/2975 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5029 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/455 ,  C04B41/53

摘要： An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.

摘要翻译： 包括氮化铝颗粒和晶界相的氮化铝陶瓷包括在氮化铝陶瓷的表面层中包含比在氮化铝陶瓷的内部包含更多量的晶界相的晶界相富集层。 晶界相富层中的晶界相包括稀土元素和碱土元素中的至少一种。

公开(公告)号：US07211216B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US11153921

申请日：2005-06-15

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

IPC分类号： C04B35/581 ,  B05D3/02 ,  B05D1/00

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9692 ,  Y10T428/2975 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5029 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/455 ,  C04B41/53

摘要： An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.

摘要翻译： 包括氮化铝颗粒和晶界相的氮化铝陶瓷包括在氮化铝陶瓷的表面层中包含比在氮化铝陶瓷的内部包含更多量的晶界相的晶界相富集层。 晶界相富层中的晶界相包括稀土元素和碱土元素中的至少一种。

公开(公告)号：US20050013761A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10871351

申请日：2004-06-18

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： C04B35/581 ,  C01B21/072 ,  C04B35/645

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  Y10T279/23

摘要： An aluminum nitride sintered body includes a polycrystalline structure in which grain boundary fracture toughness KICgb is 1.6 MPa·m1/2 or more. The grain boundary fracture toughness KICgb can be determined by the following equation: KICgb=KCIC·cos2(π·PIF/200) where KIC is fracture toughness (MPa·m1/2), and PIF is a percentage of the intergranular fracture (%).

摘要翻译： 氮化铝烧结体包括晶界断裂韧性KIC 为1.6MPa.m 1/2以上的多晶结构体。 晶界断裂韧性KIC 可以通过以下公式确定：KIC = KCIC.cos2（pi.PIF / 200）其中KIC为断裂韧性（MPa.m 1/2） ，PIF是晶间骨折的百分比（％）。

公开(公告)号：US20060216533A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11384153

申请日：2006-03-17

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B9/00 ,  B28B3/00 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831

摘要： A ceramic member comprises a ceramic sintered body and a metallic member, which includes a metal element and is formed to be in contact with the ceramic sintered body. An affected layer around the metallic member of the ceramic sintered body has a thickness of 300 μm or less.

摘要翻译： 陶瓷构件包括陶瓷烧结体和金属构件，金属构件包括金属元件并且与陶瓷烧结体接触形成。 陶瓷烧结体的金属构件周围的受影响层的厚度为300μm以下。

公开(公告)号：US07332027B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11172108

申请日：2005-06-30

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： C30B25/12

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B23/002

摘要： A method for manufacturing an aluminum nitride single crystal is provided, including the steps of preparing a raw material composition containing aluminum oxide and/or an aluminum oxide precursor which is converted into aluminum oxide by heating, and aluminum nitride and/or an aluminum nitride precursor which is converted into aluminum nitride by heating, heating the raw material composition at 1600 to 2400° C. to synthesize aluminum nitride, and causing crystal growth of the aluminum nitride to obtain an aluminum nitride single crystal.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化铝单晶的方法，包括以下步骤：制备含有氧化铝和/或氧化铝前体的原料组合物，其通过加热转化为氧化铝，以及氮化铝和/或氮化铝前体 通过加热转化成氮化铝，在1600〜2400℃加热原料组合物，合成氮化铝，使氮化铝晶体生长，得到氮化铝单晶。

公开(公告)号：US20060019817A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US11153921

申请日：2005-06-15

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Naohito Yamada ,  Toru Hayase

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9692 ,  Y10T428/2975 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5029 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/455 ,  C04B41/53

摘要： An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.

摘要翻译： 包括氮化铝颗粒和晶界相的氮化铝陶瓷包括在氮化铝陶瓷的表面层中包含比在氮化铝陶瓷的内部包含更多量的晶界相的晶界相富集层。 晶界相富层中的晶界相包括稀土元素和碱土元素中的至少一种。

公开(公告)号：US20090283933A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12511339

申请日：2009-07-29

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： B29B13/02

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831

摘要： A ceramic member is provided, including a ceramic sintered body and a metallic member, which includes a metal element, formed to be in contact with the ceramic sintered body. An affected layer around the metallic member of the ceramic sintered body has a thickness of 300 μm or less.

摘要翻译： 提供一种陶瓷构件，其包括陶瓷烧结体和金属构件，其包括形成为与陶瓷烧结体接触的金属元件。 陶瓷烧结体的金属构件周围的受影响层的厚度为300μm以下。

公开(公告)号：US07288496B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10871351

申请日：2004-06-18

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  Y10T279/23

摘要： An aluminum nitride sintered body is provided, including a polycrystalline structure in which grain boundary fracture toughness KICgb is 1.6 MPa·m1/2 or more. The grain boundary fracture toughness KICgb is determined by the equation KICgb=KIC·cos2(π·PIF/200), wherein KIC is fracture toughness (MPa·m1/2), and PIF is a percentage of the intergranular fracture (%).

摘要翻译： 提供了一种氮化铝烧结体，其包括其晶界断裂韧性K > >为1.6MPa.m 1/2的多晶结构， 或者更多。 晶界断裂韧性K IC b b>>>> IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC IC （pi.PIF / 200），其中K是断裂韧性（MPa.m <0.01） ，PIF是晶间骨折的百分比（％）。

公开(公告)号：US20060006395A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11172108

申请日：2005-06-30

申请人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa Kobayashi ,  Toru Hayase ,  Naohito Yamada

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0312

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B23/002

摘要： There is provided a method for manufacturing an aluminum nitride single crystal, the method including the steps of: preparing a raw material composition containing: aluminum oxide and/or an aluminum oxide precursor which is converted into aluminum oxide by heating, and aluminum nitride and/or an aluminum nitride precursor which is converted into aluminum nitride by heating; heating the raw material composition at 1600 to 2400° C. to synthesize aluminum nitride; and causing crystal growth of the aluminum nitride to obtain an aluminum nitride single crystal. The method is capable of obtaining an aluminum nitride single crystal which is sufficiently large for practical use at low cost in a short time and has high productivity and wide usability.

摘要翻译： 提供一种制造氮化铝单晶的方法，该方法包括以下步骤：制备含有氧化铝和/或通过加热转化为氧化铝的氧化铝前体的原料组合物，以及氮化铝和/ 或通过加热转化成氮化铝的氮化铝前体; 在1600〜2400℃下加热原料组成，合成氮化铝; 并引起氮化铝的晶体生长，得到氮化铝单晶。 该方法能够在短时间内以低成本获得足够大的实际使用的氮化铝单晶，并且具有高生产率和广泛的可用性。