公开(公告)号：US5763775A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US815529

申请日：1997-03-12

申请人： Yukito Sato ,  Mitsuteru Kimura ,  Hiroyoshi Shoji

发明人： Yukito Sato ,  Mitsuteru Kimura ,  Hiroyoshi Shoji

IPC分类号： G01F1/684 ,  G01F1/692 ,  G01F1/68

CPC分类号： G01F1/6845 ,  G01F1/6842 ,  G01F1/692

摘要： A flow sensor eliminates turbulence of fluid flow due to a structure of the temperature detecting portion so that a temperature of the temperature detecting portions does not fluctuate due to the turbulence of the fluid. The flow sensor is formed on a substrate. Each of a first temperature detecting portion and a second temperature detecting portion has a heating function and a temperature detecting function, and are arranged along a direction of flow of the fluid. A supporting portion is formed on the substrate for supporting the first and second temperature detecting portions thereon. The supporting portion does not have a side surface facing substantially in the direction of flow of the fluid. A side surface of the supporting portion is protected by a guard portion formed along the side surface.

摘要翻译： 流量传感器消除了由于温度检测部分的结构引起的流体流动的紊乱，使得温度检测部分的温度由于流体的紊流而不会波动。 流量传感器形成在基板上。 第一温度检测部和第二温度检测部都具有加热功能和温度检测功能，沿着流体的流动方向配置。 支撑部分形成在基板上，用于支撑第一和第二温度检测部分。 支撑部分不具有基本上在流体流动方向上的侧表面。 支撑部分的侧表面由沿着侧面形成的防护部分保护。

公开(公告)号：US06203673B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09450742

申请日：1999-11-30

申请人： Hiroyoshi Shoji ,  Takayuki Yamaguchi ,  Junichi Azumi ,  Yukito Sato ,  Morimasa Kaminishi

发明人： Hiroyoshi Shoji ,  Takayuki Yamaguchi ,  Junichi Azumi ,  Yukito Sato ,  Morimasa Kaminishi

IPC分类号： C23C1400

CPC分类号： B81B7/0087 ,  G01J5/20 ,  G01K7/186 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： A thin-film microstructure sensor includes a substrate having an insulation layer. A thin-film platinum temperature-sensitive resistor is provided on the insulation layer of the substrate, the thin-film platinum temperature-sensitive resistor comprising a platinum layer, the platinum layer having a maximum crystal grain size above a reference grain size of 800 Å. The thin-film platinum temperature-sensitive resistor is formed by a sputtering process to provide a temperature coefficient of resistance TCR above a reference TCR level of 3200 ppm.

摘要翻译： 薄膜微结构传感器包括具有绝缘层的基板。 在基板的绝缘层上设置薄膜铂温敏电阻器，该薄膜铂温敏电阻器包括铂层，该铂层的最大晶粒尺寸高于参考晶粒尺寸800 。 通过溅射工艺形成薄膜铂温敏电阻器，以提供高于3200ppm的参考TCR水平的电阻TCR的温度系数。

公开(公告)号：US6118166A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US13900

申请日：1998-01-27

申请人： Hiroyoshi Shoji ,  Takayuki Yamaguchi ,  Junichi Azumi ,  Yukito Sato ,  Morimasa Kaminishi

发明人： Hiroyoshi Shoji ,  Takayuki Yamaguchi ,  Junichi Azumi ,  Yukito Sato ,  Morimasa Kaminishi

IPC分类号： G01P5/12 ,  B81B7/00 ,  G01F1/68 ,  G01F1/692 ,  G01J5/20 ,  G01K7/18 ,  G01N27/12 ,  G01W1/11 ,  H01C7/00 ,  H01L27/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/82

CPC分类号： B81B7/0087 ,  G01J5/20 ,  G01K7/186 ,  H01L2224/48091

摘要： A thin-film microstructure sensor includes a substrate having an insulation layer. A thin-film platinum temperature-sensitive resistor is provided on the insulation layer of the substrate, the thin-film platinum temperature-sensitive resistor comprising a platinum layer, the platinum layer having a maximum crystal grain size above a reference grain size of 800 .ANG.. The thin-film platinum temperature-sensitive resistor is formed by a sputtering process to provide a temperature coefficient of resistance TCR above a reference TCR level of 3200 ppm.

摘要翻译： 薄膜微结构传感器包括具有绝缘层的基板。 薄膜铂温敏电阻器设置在基板的绝缘层上，薄膜铂温敏电阻器包括铂层，铂层的最大晶粒尺寸高于参考晶粒尺寸800安培 。 通过溅射工艺形成薄膜铂温敏电阻器，以提供高于3200ppm的参考TCR水平的电阻TCR的温度系数。

公开(公告)号：US5983700A

公开(公告)日：1999-11-16

申请号：US65726

申请日：1998-04-24

申请人： Takayuki Yamaguchi ,  Yukito Sato ,  Hiroyoshi Shoji ,  Junichi Azumi ,  Morimasa Kaminishi

发明人： Takayuki Yamaguchi ,  Yukito Sato ,  Hiroyoshi Shoji ,  Junichi Azumi ,  Morimasa Kaminishi

IPC分类号： G01F1/20 ,  G01F1/00 ,  G01F1/68 ,  G01F7/00 ,  G01F25/00

CPC分类号： G01F7/00 ,  G01F25/0007 ,  G01F25/0053

摘要： A method of calibrating a zero point of a flow sensor includes the steps of detecting a transition of output of the flow sensor caused in response to a shut down of a fluid, and adjusting the zero point of a characteristic curve representing the output of the flow sensor and a flow rate, such that the indicated flow rate is zero immediately after the transition of the flow sensor output.

摘要翻译： 校准流量传感器的零点的方法包括以下步骤：检测响应于流体关闭而引起的流量传感器的输出的转变，以及调整表示流量的输出的特性曲线的零点 传感器和流量，使得在流量传感器输出转换之后，指示的流量为零。

公开(公告)号：US5852239A

公开(公告)日：1998-12-22

申请号：US873455

申请日：1997-06-12

申请人： Yukito Sato ,  Takayuki Yamaguchi ,  Hiroyoshi Shoji ,  Junichi Azumi ,  Morimasa Kaminishi

发明人： Yukito Sato ,  Takayuki Yamaguchi ,  Hiroyoshi Shoji ,  Junichi Azumi ,  Morimasa Kaminishi

IPC分类号： G01F1/684 ,  G01F1/68

CPC分类号： G01F1/6845

摘要： A flow sensor includes a first heating portion, provided at a first position in a flow of a fluid, which heats the fluid and outputs a voltage in response to a temperature of the first position. A second heating portion, provided at a second, downstream position in the flow of the fluid, heats the fluid and outputs a voltage in response to a temperature of the second position, the first position and the second position being spaced from each other in a direction parallel to the flow of the fluid. An intermediate heater, provided between the first heating portion and the second heating portion, heats the fluid at an intermediate position between the first position and the second position.

摘要翻译： 流量传感器包括设置在流体流中的第一位置处的第一加热部分，其加热流体并响应于第一位置的温度输出电压。 设置在流体流中的第二下游位置的第二加热部分加热流体并输出响应于第二位置的温度的电压，第一位置和第二位置彼此间隔开 方向平行于流体的流动。 设置在第一加热部分和第二加热部分之间的中间加热器在第一位置和第二位置之间的中间位置处加热流体。