公开(公告)号：US08334391B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US11399226

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00 ,  C08G65/00

CPC分类号： C07D333/50

摘要： A polymer of the formula/structure wherein R represents alkyl, alkoxy, aryl, or heteroaryl; each R1 and R2 is independently hydrogen (H), a suitable hydrocarbon; a heteroatom containing group or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; x and y represent the number of groups; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR′ wherein R′ is hydrogen, alkyl, or aryl; and n and m represent the number of repeating units.

摘要翻译： 式/结构的聚合物，其中R表示烷基，烷氧基，芳基或杂芳基; 每个R 1和R 2独立地为氢（H），合适的烃; 含杂原子的基团或卤素; R3和R4独立地为合适的烃，含杂原子的基团或卤素; x和y表示组的数量; Z表示硫，氧，硒或NR'，其中R'是氢，烷基或芳基; n和m表示重复单元的数目。

公开(公告)号：US08319206B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US11946953

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and surface-modified carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体和表面改性的碳纳米管的半导体层。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20120178890A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13421993

申请日：2012-03-16

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor comprises a semiconducting layer comprising a semiconducting material selected from Formula (I) or (II): wherein X, R1, R2, R3, R4, R5 a, b, and n are as described herein. Semiconducting compositions of Formula (I) or (II) are also described.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括包含选自式（I）或（II）的半导体材料的半导体层：其中X，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5 a，b和n如本文所述。 还描述了式（I）或（II）的半导体组合物。

公开(公告)号：US07968871B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12101942

申请日：2008-04-11

申请人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3125 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0533

摘要： Organic thin film transistors with improved mobility are disclosed. The semiconducting layer comprises a semiconductor material of Formula (I): wherein R1 and R2 are independently selected from alkyl, substituted alkyl, aryl, and substituted aryl; and R3 and R4 are independently selected from hydrogen, alkyl, substituted alkyl, aryl, and substituted aryl. A silanized interfacial layer is also present which has alkyl sidechains extending from its surface towards the semiconducting layer.

摘要翻译： 公开了具有改进的移动性的有机薄膜晶体管。 半导体层包含式（I）的半导体材料：其中R1和R2独立地选自烷基，取代的烷基，芳基和取代的芳基; 并且R 3和R 4独立地选自氢，烷基，取代的烷基，芳基和取代的芳基。 还存在硅烷化界面层，其具有从其表面朝向半导体层延伸的烷基侧链。

公开(公告)号：US07919573B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US11280119

申请日：2005-11-16

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： C08G75/06 ,  C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A polymer comprising one or more types of repeat units, wherein the polymer includes a substituted thieno[3,2-b]thiophene component A and a different component B in the same type of repeat unit or in different types of repeat units, and wherein the polymer excludes a substituted or unsubstituted thieno[2,3-b]thiophene moiety. The polymer can be used as a semiconductor in electronics such as in organic thin film transistors.

公开(公告)号：US20100123123A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12273585

申请日：2008-11-19

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/05 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  C07D493/04

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor comprises a semiconducting layer comprising a semiconducting material selected from Formula (I) or (II): wherein X, R1, R2, R3, R4, R5 a, b, and n are as described herein. Semiconducting compositions of Formula (I) or (II) are also described.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括包含选自式（I）或（II）的半导体材料的半导体层：其中X，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5 a，b和n如本文所述。 还描述了式（I）或（II）的半导体组合物。

公开(公告)号：US20090256139A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12101945

申请日：2008-04-11

申请人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/258

摘要： A thin film transistor having a semiconducting layer with improved flexibility and/or mobility is disclosed. The semiconducting layer comprises a semiconducting polymer and insulating polymer. Methods for forming and using such thin-film transistors are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种具有提高柔性和/或迁移率的半导体层的薄膜晶体管。 半导电层包括半导体聚合物和绝缘聚合物。 还公开了形成和使用这种薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：US20090114909A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12334858

申请日：2008-12-15

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/05 ,  C08G75/00

CPC分类号： C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： An electronic device comprising a polymer comprising at least one type of repeat unit comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 一种包含聚合物的电子器件，所述聚合物包含至少一种类型的重复单元，所述重复单元包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键。

公开(公告)号：US07372071B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11398981

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L29/08 ,  H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of, for example, of the Formula (I) wherein R represents alkyl, alkoxy, aryl, heteroaryl or a suitable hydrocarbon; each R1 and R2 is independently hydrogen (H), a suitable hydrocarbon; a heteroatom containing group or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; x and y represent the number of groups; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR′ wherein R′ is hydrogen, alkyl, or aryl; and n and m represent the number of repeating units.

摘要翻译： 电子器件，例如含有例如式（I）的半导体的薄膜晶体管，其中R表示烷基，烷氧基，芳基，杂芳基或合适的烃; 每个R 1和R 2独立地是氢（H），合适的烃; 含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，含杂原子的基团或卤素; x和y表示组的数量; Z表示硫，氧，硒或NR'，其中R'是氢，烷基或芳基; n和m表示重复单元的数目。

公开(公告)号：US20070238858A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399065

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G73/00

CPC分类号： C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G73/0694

摘要： A polymer of the following formula wherein Ar is aryl or heteroaryl; X represents CH2, sulfur, oxygen, selenium, NR′, or SiR″2 wherein R′ and R″ are each a suitable hydrocarbon; m represents the number of X substituents; and n represents the number of the repeating units.

摘要翻译： 下式的聚合物，其中Ar是芳基或杂芳基; X表示CH 2，硫，氧，硒，NR'或SiR“2，其中R'和R”各自为合适的烃; m表示X取代基的数目; n表示重复单元的数量。