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    Magnetic Memory Cell With Multi-Level Cell (MLC) Data Storage Capability
    3.
    发明申请
    Magnetic Memory Cell With Multi-Level Cell (MLC) Data Storage Capability 审中-公开
    具有多级单元（MLC）数据存储能力的磁记忆单元

    公开(公告)号：US20120134200A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US12955612

    申请日：2010-11-29

    申请人： Antoine Khoueir ,  Zheng Gao ,  Song S. Xue

    发明人： Antoine Khoueir ,  Zheng Gao ,  Song S. Xue

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  G11C11/5607 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： Method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. In accordance with various embodiments, a multi-level cell (MLC) magnetic memory cell stack has first and second magnetic memory elements connected to a first control line and a switching device connected to a second control line. The first memory element is connected in parallel with the second memory element, and the first and second memory elements are connected in series with the switching device. The first and second memory elements are further disposed at different non-overlapping elevations within the stack. Programming currents are passed between the first and second control lines to concurrently set the first and second magnetic memory elements to different programmed resistances.

    摘要翻译： 将数据写入诸如自旋转矩传递随机存取存储器（STRAM）存储单元之类的磁存储元件的方法和装置。 根据各种实施例，多级单元（MLC）磁存储单元栈具有连接到第一控制线的第一和第二磁存储元件以及连接到第二控制线的开关器件。 第一存储元件与第二存储元件并联连接，并且第一和第二存储器元件与开关器件串联连接。 第一和第二存储器元件进一步设置在堆叠内的不同的非重叠高度处。 编程电流在第一和第二控制线之间通过，以将第一和第二磁存储元件同时设置为不同的编程电阻。

    Giant magnetoresistive sensor with a CrMnPt pinning layer and a NiFeCr seed layer
    7.
    发明授权
    Giant magnetoresistive sensor with a CrMnPt pinning layer and a NiFeCr seed layer 有权
    具有CrMnPt钉扎层和NiFeCr种子层的巨磁阻传感器

    公开(公告)号：US06498707B1

    公开(公告)日：2002-12-24

    申请号：US09367952

    申请日：1999-08-25

    申请人： Zheng Gao ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

    发明人： Zheng Gao ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

    IPC分类号： G11B539

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

    摘要： A giant magnetoresistive stack (10) for use in a magnetic read head includes a NiFeCr seed layer (12), a ferromagnetic free layer (14), a nonmagnetic spacer layer (16), a ferromagnetic pinned layer (18), and a CrMnPt pinning layer (20). The ferromagnetic free layer (14) has a rotatable magnetic moment and is positioned adjacent to the NiFeCr seed layer (12). The ferromagnetic pinned layer (18) has a fixed magnetic moment and is positioned adjacent to the CrMnPt pinning layer (20). The nonmagnetic spacer layer (16) is positioned between the free layer (14) and the pinned layer (18). The combination of layers with their respective atomic percentage compositions and thicknesses results in a GMR ratio of at least 12%.

    摘要翻译： 用于磁读头的巨磁阻堆叠（10）包括NiFeCr晶种层（12），铁磁自由层（14），非磁性间隔层（16），铁磁性钉扎层（18）和CrMnPt 钉扎层（20）。 铁磁自由层（14）具有可旋转的磁矩并且被定位成与NiFeCr晶种层（12）相邻。 铁磁钉扎层（18）具有固定的磁矩并且邻近CrMnPt钉扎层（20）定位。 非磁性间隔层（16）位于自由层（14）和被钉扎层（18）之间。 层与其各自的原子百分比组成和厚度的组合导致GMR比至少为12％。

    Magnetic sensing device including a sense enhancing layer
    10.
    发明授权
    Magnetic sensing device including a sense enhancing layer 有权
    磁感测装置包括感应增强层

    公开(公告)号：US08091209B1

    公开(公告)日：2012-01-10

    申请号：US11866769

    申请日：2007-10-03

    申请人： Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Song S. Xue

    发明人： Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Song S. Xue

    IPC分类号： G11B5/127 ,  H04R31/00

    CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

    摘要： A magnetic sensor includes a sensor stack having a first magnetic portion, a second magnetic portion, and a barrier layer between the first magnetic portion and the second magnetic portion. The first magnetic portion and/or the second magnetic portion comprises a multilayer structure including a first magnetic layer having a positive magnetostriction adjacent to the barrier layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The magnetic sensor exhibits a magnetoresistive ratio of at least about 62% with a resistance-area (RA) product of about 0.45 Ω·μm2.

    摘要翻译： 磁传感器包括具有在第一磁性部分和第二磁性部分之间的第一磁性部分，第二磁性部分和阻挡层的传感器堆叠。 第一磁性部分和/或第二磁性部分包括多层结构，其包括具有与阻挡层相邻的正磁致伸缩的第一磁性层，第二磁性层以及第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。 磁传感器表现出至少约62％的阻磁比，电阻面积（RA）乘积约0.45＆OHgr·μm2。