公开(公告)号：US20060214304A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11089708

申请日：2005-03-25

申请人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

发明人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present memory device include first and second electrodes, a passive layer between the first and second electrodes, and an active layer between the first and second and into which ions from the passive layer may be provided, and from which the ions may be provided into the passive layer. The active layer is made up of a base material and an impurity therein. The combined the material and impurity have a lower diffusion coefficient than the base material alone.

摘要翻译： 本存储器件包括第一和第二电极，第一和第二电极之间的无源层，以及第一和第二电极之间的有源层，并且可以提供来自钝化层的离子，并且可以从其中提供离子 被动层。 有源层由基材和杂质构成。 材料和杂质的组合具有比单独的基材更低的扩散系数。

公开(公告)号：US07830015B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11089708

申请日：2005-03-25

申请人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

发明人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present memory device include first and second electrodes, a passive layer between the first and second electrodes, and an active layer between the first and second electrodes and into which ions from the passive layer may be provided, and from which the ions may be provided into the passive layer. The active layer is made up of a base material and an impurity therein. The combined the material and impurity have a lower diffusion coefficient than the base material alone.

摘要翻译： 本存储器件包括第一和第二电极，第一和第二电极之间的无源层以及第一和第二电极之间的有源层，并且可以提供来自被动层的离子，并且可以从其提供离子 进入被动层。 有源层由基材和杂质构成。 材料和杂质的组合具有比单独的基材更低的扩散系数。

公开(公告)号：US07968464B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12898551

申请日：2010-10-05

申请人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

发明人： Zhida Lan ,  Sameer Haddad ,  Steven Avanzino

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present memory device include first and second electrodes, a passive layer between the first and second electrodes, and an active layer between the first and second and into which ions from the passive layer may be provided, and from which the ions may be provided into the passive layer. The active layer is made up of a base material and an impurity therein. The combined the material and impurity have a lower diffusion coefficient than the base material alone.

摘要翻译： 本存储器件包括第一和第二电极，第一和第二电极之间的无源层，以及第一和第二电极之间的有源层，并且可以提供来自钝化层的离子，并且可以从其中提供离子 被动层。 有源层由基材和杂质构成。 材料和杂质的组合具有比单独的基材更低的扩散系数。

公开(公告)号：US08093680B1

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US11521219

申请日：2006-09-14

申请人： Manuj Rathor ,  Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Zhida Lan

发明人： Manuj Rathor ,  Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Zhida Lan

IPC分类号： H01L29/68

CPC分类号： H01L45/10 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/146

摘要： The present memory device includes first and second electrodes, first and second insulating layers between the electrodes, the first insulating layer being in contact with the first electrode, the second insulating layer being in contact with the second electrode, and a metal layer between the first and second insulating layers. Further included may be a first oxide layer between and in contact with the first insulating layer and the metal layer, and a second oxide layer between and in contact with the second insulating layer and the metal layer.

摘要翻译： 本存储器件包括第一和第二电极，电极之间的第一和第二绝缘层，第一绝缘层与第一电极接触，第二绝缘层与第二电极接触，第一绝缘层与第一电极之间的金属层 和第二绝缘层。 进一步包括在第一绝缘层和金属层之间并与之接触的第一氧化物层，以及在第二绝缘层和金属层之间并与之接触的第二氧化物层。

公开(公告)号：US08717803B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13316172

申请日：2011-12-09

申请人： Manuj Rathor ,  Suzette K Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Zhida Lan

发明人： Manuj Rathor ,  Suzette K Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Zhida Lan

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/10 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/146

摘要： The present memory device includes first and second electrodes, first and second insulating layers between the electrodes, the first insulating layer being in contact with the first electrode, the second insulating layer being in contact with the second electrode, and a metal layer between the first and second insulating layers. Further included may be a first oxide layer between and in contact with the first insulating layer and the metal layer, and a second oxide layer between and in contact with the second insulating layer and the metal layer.

摘要翻译： 本存储器件包括第一和第二电极，电极之间的第一和第二绝缘层，第一绝缘层与第一电极接触，第二绝缘层与第二电极接触，第一绝缘层与第一电极之间的金属层 和第二绝缘层。 进一步包括在第一绝缘层和金属层之间并与之接触的第一氧化物层，以及在第二绝缘层和金属层之间并与之接触的第二氧化物层。

公开(公告)号：US08089113B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US11633929

申请日：2006-12-05

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666

摘要： The present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening in the dielectric layer, providing a switching body in the opening, and providing a second conductive body in the opening.

摘要翻译： 制造存储器件的本方法包括以下步骤：提供电介质层，在电介质层中提供开口，在电介质层的开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，并提供第二 导电体在开口处。

公开(公告)号：US07706168B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11980116

申请日：2007-10-30

申请人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

摘要： The present method provides annealing of a resistive memory device so as to provide that the device in its erased state has a greatly increased resistance as compared to a prior art approach. The annealing also provides that the device may be erased by application of any of a plurality of electrical potentials within an increased range of electrical potentials as compared to the prior art.

摘要翻译： 本方法提供了电阻式存储器件的退火，从而使得与现有技术方法相比，处于其擦除状态的器件具有大大增加的电阻。 退火还规定，与现有技术相比，可以在增加的电位范围内通过施加多个电位中的任何一个来擦除器件。

公开(公告)号：US20090109727A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11980116

申请日：2007-10-30

申请人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

摘要： The present method provides annealing of a resistive memory device so as to provide that the device in its erased state has a greatly increased resistance as compared to a prior art approach. The annealing also provides that the device may be erased by application of any of a plurality of electrical potentials within an increased range of electrical potentials as compared to the prior art.

摘要翻译： 本方法提供了电阻式存储器件的退火，从而使得与现有技术方法相比，处于其擦除状态的器件具有大大增加的电阻。 退火还规定，与现有技术相比，可以在增加的电位范围内通过施加多个电位中的任何一个来擦除器件。

公开(公告)号：US20090072234A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12313089

申请日：2008-11-17

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.

摘要翻译： 在本发明的电子测试结构中，提供了覆盖基板的导体。 电子器件覆盖导体的一部分，并且包括连接到导体的第一电极，第二电极和在第一和第二电极之间的绝缘层。 导体的一部分被暴露以便进入其中。

公开(公告)号：US20080128691A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11633930

申请日：2006-12-05

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.