公开(公告)号：US07191428B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US11142789

申请日：2005-05-31

申请人： ZongWu Tang ,  Juhwan Kim ,  Daniel Zhang ,  Haiqing Wei ,  Gang Huang

发明人： ZongWu Tang ,  Juhwan Kim ,  Daniel Zhang ,  Haiqing Wei ,  Gang Huang

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method for performing layout verification involves identifying feature centerlines in a mask layout, and then performing lithography simulation along the centerlines to generate a set of intensity distributions. At each local maxima or minima in the intensity distributions, further lithography simulation can be performed to determine an exposure pattern width at those local maxima/minima (check positions). The exposure pattern widths can then be evaluated to determine whether an actual pinch or bridge defect will be generated at those locations. If defect generation is likely (based on the lithographical simulation) at a particular location, the corresponding portion of the mask layout can be redesigned to avoid defect generation during actual production. In this method, accurate layout verification can be performed with a minimum of time-consuming lithography modeling.

摘要翻译： 用于执行布局验证的方法涉及识别掩模布局中的特征中心线，然后沿着中心线执行光刻模拟以生成一组强度分布。 在强度分布的每个局部最大值或最小值处，可以进行进一步的光刻模拟，以确定那些局部最大值/最小值（检查位置）处的曝光图案宽度。 然后可以评估曝光图案宽度，以确定在这些位置是否将产生实际的夹点或桥接缺陷。 如果在特定位置可能存在缺陷产生（基于光刻模拟），则可以重新设计掩模布局的相应部分，以避免在实际生产期间产生缺陷。 在这种方法中，可以用最少的耗时的光刻建模来执行精确的布局验证。

公开(公告)号：US20060271906A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11142789

申请日：2005-05-31

申请人： ZongWu Tang ,  Juhwan Kim ,  Daniel Zhang ,  Haiqing Wei ,  Gang Huang

发明人： ZongWu Tang ,  Juhwan Kim ,  Daniel Zhang ,  Haiqing Wei ,  Gang Huang

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method for performing layout verification involves identifying feature centerlines in a mask layout, and then performing lithography simulation along the centerlines to generate a set of intensity distributions. At each local maxima or minima in the intensity distributions, further lithography simulation can be performed to determine an exposure pattern width at those local maxima/minima (check positions). The exposure pattern widths can then be evaluated to determine whether an actual pinch or bridge defect will be generated at those locations. If defect generation is likely (based on the lithographical simulation) at a particular location, the corresponding portion of the mask layout can be redesigned to avoid defect generation during actual production. In this method, accurate layout verification can be performed with a minimum of time-consuming lithography modeling.

摘要翻译： 用于执行布局验证的方法涉及识别掩模布局中的特征中心线，然后沿着中心线执行光刻模拟以生成一组强度分布。 在强度分布的每个局部最大值或最小值处，可以进行进一步的光刻模拟，以确定那些局部最大值/最小值（检查位置）处的曝光图案宽度。 然后可以评估曝光图案宽度，以确定在这些位置是否将产生实际的夹点或桥接缺陷。 如果在特定位置可能存在缺陷产生（基于光刻模拟），则可以重新设计掩模布局的相应部分，以避免在实际生产期间产生缺陷。 在这种方法中，可以用最少的耗时的光刻建模来执行精确的布局验证。

公开(公告)号：US07584450B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11637424

申请日：2006-12-12

申请人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

发明人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G05B2219/45031 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： One embodiment provides a system for using a database to quickly identify a manufacturing problem area in a layout. During operation, the system receives a first check-figure which identifies a first area in a first layout, wherein the first area is associated with a first feature. Next, the system determines a first sample using the first check-figure, wherein the first sample represents the first layout's geometry within a first ambit of the first check-figure, wherein the first sample's geometry is expected to affect the shape of the first feature. The system then performs a model-based simulation using the first sample to obtain a first simulation-result which indicates whether the first feature is expected to have manufacturing problems. Next, the system stores the first simulation-result in a database which is used to quickly determine whether a second feature is expected to have manufacturing problems.

摘要翻译： 一个实施例提供了一种使用数据库来快速识别布局中的制造问题区域的系统。 在操作期间，系统接收第一检查图，其识别第一布局中的第一区域，其中第一区域与第一特征相关联。 接下来，系统使用第一检查图确定第一样本，其中第一样本表示第一检查图的第一范围内的第一布局的几何形状，其中预期第一样本的几何形状影响第一特征的形状 。 然后，系统使用第一样本执行基于模型的模拟，以获得第一模拟结果，其指示第一特征是否预期具有制造问题。 接下来，系统将第一模拟结果存储在用于快速确定第二特征是否期望具有制造问题的数据库中。

公开(公告)号：US20050163305A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US10766737

申请日：2004-01-28

申请人： Arthur Jerijian ,  Juhwan Kim

发明人： Arthur Jerijian ,  Juhwan Kim

IPC分类号： H04M3/00 ,  H04M3/22 ,  H04M3/51 ,  H04M5/00

CPC分类号： H04M3/2281 ,  H04M3/5183

摘要： A method for recording and/or simultaneously monitoring voice and screen activities of a computer work station screen from another computer and reducing the processing load on the computers. Further it provides a method to score and rate an agent using the computer work station while simultaneously monitoring the voice and screen activities of the agent on his computer work station. In another embodiment it provides a method for only updating the portions of the agent's computer work station screen which are changed on the other computer being used to moniter without updating the areas not changed.

摘要翻译： 一种用于记录和/或同时监视来自另一计算机的计算机工作站屏幕的语音和屏幕活动并减少计算机上的处理负荷的方法。 此外，它提供了一种使用计算机工作站对代理进行评分和评分的方法，同时监视其计算机工作站上的代理的语音和屏幕活动。 在另一个实施例中，它提供了一种方法，用于仅更新代理的计算机工作站屏幕的在不更新未改变的区域的情况下在另一台计算机上改变的部分用于监视。

公开(公告)号：US07934174B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US12509854

申请日：2009-07-27

申请人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

发明人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G05B2219/45031 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： One embodiment provides a system for using a database to quickly identify a manufacturing problem area in a layout. During operation, the system receives a first check-figure which identifies a first area in a first layout, wherein the first area is associated with a first feature. Next, the system determines a first sample using the first check-figure, wherein the first sample represents the first layout's geometry within a first ambit of the first check-figure, wherein the first sample's geometry is expected to affect the shape of the first feature. The system then performs a model-based simulation using the first sample to obtain a first simulation-result which indicates whether the first feature is expected to have manufacturing problems. Next, the system stores the first simulation-result in a database which is used to quickly determine whether a second feature is expected to have manufacturing problems.

摘要翻译： 一个实施例提供了一种使用数据库来快速识别布局中的制造问题区域的系统。 在操作期间，系统接收第一检查图，其识别第一布局中的第一区域，其中第一区域与第一特征相关联。 接下来，系统使用第一检查图确定第一样本，其中第一样本表示第一检查图的第一范围内的第一布局的几何形状，其中预期第一样本的几何形状影响第一特征的形状 。 然后，系统使用第一样本执行基于模型的模拟，以获得第一模拟结果，其指示第一特征是否预期具有制造问题。 接下来，系统将第一模拟结果存储在用于快速确定第二特征是否期望具有制造问题的数据库中。

公开(公告)号：US06927003B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10364260

申请日：2003-02-11

申请人： Juhwan Kim ,  Keun-Young Kim

发明人： Juhwan Kim ,  Keun-Young Kim

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/32 ,  G01F9/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/72 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50 ,  G06K9/00

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/32

摘要： Mask shops typically use carbon to repair any clear defects identified on a mask, irrespective of the type of mask. However, carbon can have different characteristics than the original patterning material on the mask. Therefore, a mask that is repaired using carbon may not optically perform as if it were defect-free. An automated method of repairing a clear defect on an attenuated phase shifting mask (PSM) provides an optimized plug size/shape. In this method, a repair solution to the clear defect can be simulated, thereby allowing the repair decision for an attenuated PSM to be advantageously made at the same time that inspection is done and before actual repair. Simulation can include performing model-based OPC on the repair solution.

摘要翻译： 掩模商店通常使用碳来修复掩模上识别的任何明显的缺陷，而不管掩模的类型。 然而，碳可以具有与掩模上的原始图案形成材料不同的特性。 因此，使用碳修复的面膜可能不像光学性能那样无缺陷。 在衰减的相移掩模（PSM）上修复清晰缺陷的自动化方法提供了优化的插头尺寸/形状。 在该方法中，可以模拟清除缺陷的修复解决方案，从而允许在进行检查并在实际修复之前进行衰减PSM的修复决定。 模拟可以包括在修复解决方案上执行基于模型的OPC。

公开(公告)号：US20110284082A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12965068

申请日：2010-12-10

申请人： Dong-Yu Kim ,  Juhwan Kim ,  Bogyu Lim ,  Kang-Jan Baeg ,  Byung-Kwan Yu

发明人： Dong-Yu Kim ,  Juhwan Kim ,  Bogyu Lim ,  Kang-Jan Baeg ,  Byung-Kwan Yu

IPC分类号： H01L51/46 ,  C08G75/06 ,  H01L51/30 ,  C08F128/06

CPC分类号： C08F128/06 ,  B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided are a polymer containing a thiophene unit and a thienylenevinylene unit, and an organic field effect transistor and an organic solar cell containing the polymer. The film may be formed by coating a substrate with a polymer containing a thiophene unit and a thienylenevinylene unit using a solution process. Therefore, the production cost may be reduced and a large-scale device may be suitably manufactured since there is no need for an expensive vacuum system to form films. Also, the polymer according to one embodiment of the present invention containing a thiophene unit and a thienylenevinylene unit has very excellent flatness since the thiophene unit is continuously coupled with a vinyl group having excellent flatness. Therefore, the polymer may be useful in further improving the charge mobility since it has high crystallinity caused by the improved ordering property between molecules. Such crystallinity may be further improved by the heat treatment. In addition, the organic compound according to one embodiment of the present invention containing a thienylenevinylene unit may have high oxidative stability because of its high ionization energy.

摘要翻译： 提供含有噻吩单元和亚噻吩乙烯单元的聚合物，以及含有聚合物的有机场效应晶体管和有机太阳能电池。 可以通过使用溶液法用含有噻吩单元和噻吩乙炔单元的聚合物涂布基材来形成膜。 因此，由于不需要昂贵的真空系统来形成膜，所以可以降低生产成本并且可以适当地制造大型装置。 此外，根据本发明的一个实施方案，含有噻吩单元和亚噻吩基亚乙烯基单元的聚合物具有非常优异的平坦度，因为噻吩单元与具有优异平坦度的乙烯基连续地连接。 因此，由于分子之间的排序性能的改善，聚合物具有高的结晶度，所以可以进一步提高电荷迁移率。 通过热处理可以进一步提高这种结晶度。 此外，含有亚噻吩基亚乙烯基单元的本发明一个实施方案的有机化合物由于其高电离能而具有高的氧化稳定性。

公开(公告)号：US20090288047A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12509854

申请日：2009-07-27

申请人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

发明人： Zong Wu Tang ,  Daniel N. Zhang ,  Juhwan Kim ,  Hua Song ,  Weiping Fang ,  Lawrence S. Melvin, III

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G05B2219/45031 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： One embodiment provides a system for using a database to quickly identify a manufacturing problem area in a layout. During operation, the system receives a first check-figure which identifies a first area in a first layout, wherein the first area is associated with a first feature. Next, the system determines a first sample using the first check-figure, wherein the first sample represents the first layout's geometry within a first ambit of the first check-figure, wherein the first sample's geometry is expected to affect the shape of the first feature. The system then performs a model-based simulation using the first sample to obtain a first simulation-result which indicates whether the first feature is expected to have manufacturing problems. Next, the system stores the first simulation-result in a database which is used to quickly determine whether a second feature is expected to have manufacturing problems.

摘要翻译： 一个实施例提供了一种使用数据库来快速识别布局中的制造问题区域的系统。 在操作期间，系统接收第一检查图，其识别第一布局中的第一区域，其中第一区域与第一特征相关联。 接下来，系统使用第一检查图确定第一样本，其中第一样本表示第一检查图的第一范围内的第一布局的几何形状，其中预期第一样本的几何形状影响第一特征的形状 。 然后，系统使用第一样本执行基于模型的模拟，以获得第一模拟结果，其指示第一特征是否预期具有制造问题。 接下来，系统将第一模拟结果存储在用于快速确定第二特征是否期望具有制造问题的数据库中。

公开(公告)号：US07415402B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11121498

申请日：2005-05-03

申请人： Juhwan Kim ,  Keun-Young Kim

发明人： Juhwan Kim ,  Keun-Young Kim

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/32

摘要： Mask shops typically use carbon to repair any clear defects identified on a mask, irrespective of the type of mask. However, carbon can have different characteristics than the original patterning material on the mask. Therefore, a mask that is repaired using carbon may not optically perform as if it were defect-free. An automated method of repairing a clear defect on an attenuated phase shifting mask (PSM) provides an optimized plug size/shape. In this method, a repair solution to the clear defect can be simulated, thereby allowing the repair decision for an attenuated PSM to be advantageously made at the same time that inspection is done and before actual repair. Simulation can include performing model-based OPC on the repair solution.

摘要翻译： 掩模商店通常使用碳来修复掩模上识别的任何明显的缺陷，而不管掩模的类型。 然而，碳可以具有与掩模上的原始图案形成材料不同的特性。 因此，使用碳修复的面膜可能不像光学性能那样无缺陷。 在衰减的相移掩模（PSM）上修复清晰缺陷的自动化方法提供了优化的插头尺寸/形状。 在该方法中，可以模拟清除缺陷的修复解决方案，从而允许在进行检查并在实际修复之前进行衰减PSM的修复决定。 模拟可以包括在修复解决方案上执行基于模型的OPC。

公开(公告)号：US07079642B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10766737

申请日：2004-01-28

申请人： Arthur Jerijian ,  Juhwan Kim

发明人： Arthur Jerijian ,  Juhwan Kim

IPC分类号： H04M3/00

CPC分类号： H04M3/2281 ,  H04M3/5183

摘要： A method for recording and/or simultaneously monitoring voice and screen activities of a computer work station screen from another computer and reducing the processing load on the computers. Further it provides a method to score and rate an agent using the computer work station while simultaneously monitoring the voice and screen activities of the agent on his computer work station. In another embodiment it provides a method for only updating the portions of the agent's computer work station screen which are changed on the other computer being used to moniter without updating the areas not changed.

摘要翻译： 一种用于记录和/或同时监视来自另一计算机的计算机工作站屏幕的语音和屏幕活动并减少计算机上的处理负荷的方法。 此外，它提供了一种使用计算机工作站对代理进行评分和评分的方法，同时监视其计算机工作站上的代理的语音和屏幕活动。 在另一个实施例中，它提供了一种方法，用于仅更新代理的计算机工作站屏幕的在不更新未改变的区域的情况下在另一台计算机上改变的部分用于监视。