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公开(公告)号：WO2017014564A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/KR2016/007923
申请日：2016-07-20
Applicant: 서울반도체 주식회사
CPC classification number: H01L25/167 , G09G3/32 , G09G2300/04 , G09G2300/0452 , G09G2300/08 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1214 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2924/12041 , H01L2933/0066 , H05B33/12 , H05B33/14
Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 규칙적으로 배열된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 제1 기판; 상기 발광 다이오드를 구동시키는 복수의 TFT를 포함하는 TFT 패널부를 포함하는 제2 기판을 포함하고, 상기 제1 기판 및 제2 기판은 서로 일면이 대향되도록 결합되어 상기 각 발광 다이오드와 각 TFT가 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 이용하여 디스플레이 장치를 구성할 수 있어 웨어러블 장치에 적용할 수 있는 고효율 고해상도를 가지며 낮은 소비전력을 가지는 효과가 있다.
Abstract translation: 显示装置及其制造方法技术领域本发明涉及显示装置及其制造方法。 根据本发明的实施例的显示装置包括：第一基板，包括定期排列的多个发光二极管; 以及第二基板，其包括TFT面板单元，所述TFT面板单元包括驱动所述发光二极管的多个TFT，其中所述第一和第二基板被耦合，使得所述第一基板的表面和所述第二基板的表面彼此面对，以及 结果，各个发光二极管和各个TFT可以电连接。 根据本发明，可以使用使用氮化物半导体的微型发光二极管来构造显示装置，并且显示装置有利地具有这样的高效率，高分辨率和低功耗，其可以应用于 可穿戴装置
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公开(公告)号：WO2016208864A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/KR2016/004501
申请日：2016-05-12
Applicant: 서울반도체 주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 일 실시 예에 따르는 노멀리-오프를 구현하는 질화물계 트랜지스터는 m-면 상에서 성장한 n형 도핑된 제1 질화물계 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 절연성 제2 질화물계 제2 반도체층; 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 게이트 전극층을 구비한다. 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 가진다.
Abstract translation: 根据实施例的用于实现常关的氮化物基晶体管包括：在m面上生长的n型掺杂的第一氮化物基第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的绝缘的第二氮化物基第二半导体层; 以及设置在第二半导体层上的栅电极层。 第一半导体层和第二半导体层具有不同的能带隙。
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公开(公告)号：WO2014003349A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/KR2013/005334
申请日：2013-06-18
Applicant: 서울반도체 주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1037 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4232 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66681 , H01L29/66734 , H01L29/7786 , H01L29/7788 , H01L29/7816 , H01L29/7825
Abstract: Ⅲ-Ⅴ계 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 Ⅲ-Ⅴ계 트랜지스터는, 상부면과 하부면을 갖고, Ⅲ-Ⅴ계 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체와, 반도체 적층 구조체의 상부면측에서 하부면측으로 연장하는 적어도 하나의 2DEG 영역을 포함한다. 이러한 2DEG 영역을 채택함으로써, 2DEG를 이용하는 수직형 구조의 GaN계 트랜지스터를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 公开了III-V晶体管及其制造方法。 III-V晶体管包括：具有上表面和下表面并且包括III-V半导体层的层叠半导体结构; 以及从层叠半导体结构的上表面延伸到其下表面的至少一个2DEG区域。 可以采用2DEG区域提供使用2DEG的垂直型GaN基晶体管。
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公开(公告)号：WO2019066491A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/011425
申请日：2018-09-27
Applicant: 서울반도체 주식회사
Abstract: 일 실시예에 따른 발광 소자는, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 제1 발광셀, 제2 발광셀 및 제3 발광셀; 제1 내지 제3 발광셀들을 독립적으로 구동할 수 있도록 제1 내지 제3 발광셀들에 전기적으로 접속된 패드들; 제2 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제2 파장변환기; 및 제3 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제3 파장변환기를 포함하되, 제3 파장변환기는 제2 파장변환기보다 더 장파장으로 광의 파장을 변환하고, 제2 발광셀은 제1 발광셀보다 더 큰 면적을 가지며, 제3 발광셀은 제2 발광셀보다 더 큰 면적을 가진다.
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