炭化ケイ素被覆炭素材料の製造方法
    2.
    发明申请
    炭化ケイ素被覆炭素材料の製造方法 审中-公开
    生产用碳化硅涂覆的碳材料的方法

    公开(公告)号:WO2011043428A1

    公开(公告)日:2011-04-14

    申请号:PCT/JP2010/067665

    申请日:2010-10-07

    Inventor: 青木 良隆

    Abstract: 非溶融性固体状シリコーンを加熱することで得られる非晶質無機セラミック物質と炭素基材を非酸化性雰囲気下で加熱して、炭素基材上に炭化ケイ素被膜を形成する炭化ケイ素被覆炭素材料の製造方法を提供する。耐熱性に優れ、均一な炭化ケイ素被覆を有する炭化ケイ素被覆炭素材料が得られる。

    Abstract translation: 公开了一种涂覆有碳化硅的碳材料的制造方法,其中通过加热无定形无机陶瓷材料在碳基上形成碳化硅涂膜,所述无定形无机陶瓷材料是通过加热不熔固体硅氧烷获得的, 非氧化性气氛。 通过该方法可以获得涂覆有碳化硅的碳材料,其具有均匀的碳化硅涂层并且显示出优异的耐热性。

    CRUCIBLE FOR THE CRYSTALLIZATION OF SILICON AND PROCESS FOR MAKING THE SAME
    4.
    发明申请
    CRUCIBLE FOR THE CRYSTALLIZATION OF SILICON AND PROCESS FOR MAKING THE SAME 审中-公开
    可溶于硅的结晶和其制造方法

    公开(公告)号:WO2007039310A1

    公开(公告)日:2007-04-12

    申请号:PCT/EP2006/009671

    申请日:2006-10-06

    Abstract: The invention relates to a crucible for the crystallization of silicon and to the preparation and application of release coatings for crucibles used in the handling of molten materials that are solidified in the crucible and then removed as ingots, and more particularly to release coatings for crucibles used in the solidification of polycrystalline silicon. The objective of the inventor was to provide a crucible comprising a silicon nitride coating which is faster and cheaper to produce and which is stronger with an improved adherence to the walls. It has now been found that these problems can be solved with a crucible for the crystallization of silicon comprising a) a base body comprising a bottom surface and side walls defining an inner volume; b) a protective coating comprises 80 to 95 wt. % of silicon nitride and 5 to 20 wt. of a low temperature mineral binder, the total oxygen content ranging from 5 to 15 % by weight.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于硅结晶的坩埚以及用于处理在坩埚中固化并随后以坩埚去除的熔融材料的坩埚的脱模涂层的制备和应用,更具体地说,涉及用于使用的坩埚的剥离涂层 在多晶硅的凝固中。 发明人的目的是提供一种坩埚,其包括氮化硅涂层,其更快且更便宜地生产,并且其具有更强的粘附性。 现在已经发现,这些问题可以用用于硅的结晶的坩埚来解决,所述坩埚包括:a)包括底表面的基体和限定内部体积的侧壁; b)保护涂层包含80至95重量% %的氮化硅和5〜20wt。 的低温矿物粘合剂,总氧含量为5至15重量%。

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