公开(公告)号：WO2011058634A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/JP2009/069288

申请日：2009-11-12

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー ,  水村 通伸

Inventor： 水村　通伸

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/14 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/7035

Abstract: 　本発明は、フォトマスク３は、被露光体の搬送方向Ａに略直交する方向に複数のマスクパターン１３を所定ピッチで並べて形成した複数のマスクパターン列１５と、複数のマスクパターン列１５の各マスクパターン１３に夫々対応して被露光体側に形成され、各マスクパターン１３を被露光体上に縮小投影する複数のマイクロレンズ１４と、を備えて成り、被露光体の搬送方向Ａの先頭側に位置するマスクパターン列１５ａにより形成される複数の露光パターンの間を後続のマスクパターン列１５ｂ～１５ｄにより形成される複数の露光パターンにより補完して露光可能に、上記後続のマスクパターン列１５ｂ～１５ｄ及びそれに対応する各マイクロレンズ１４を複数のマスクパターン１３の上記並び方向に夫々所定寸法だけずらして形成したものである。これにより、微細な露光パターンを被露光体の全面に亘って高分解能で高密度に形成する。

Abstract translation: 公开了一种光掩模（3），其设置有：多个掩模图案行（15），其通过以与传送方向（A）大致正交的方向以预定间距布置多个掩模图案（13）而形成， 一个被暴露的主题; 以及多个微透镜（14），其通过分别对应于掩模图案行（15）的掩模图案（13）而形成在待暴露对象的侧面上，并且减少掩模图案（13）并且突出 要暴露的对象的面具图案。 随后的掩模图案行（15b-15d）和对应于后续掩模图案行的微透镜（14）通过在其中布置掩模图案（13）的方向上移动预定量来形成，使得可以执行曝光 通过在位于被曝光体的头侧的掩模图案行（15a）形成的多个曝光图案之间补充部分，所述头侧处于传送方向（A），具有多个曝光图案 通过随后的掩模图案行（15b-15d）形成。 因此，在要曝光的对象的整个表面上形成高分辨率和高密度的细微曝光图案。

公开(公告)号：WO2011055618A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/JP2010/068005

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー ,  梶山 康一 ,  濱野 邦幸 ,  水村 通伸

Inventor： 梶山　康一 ,  濱野　邦幸 ,  水村　通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 結晶粒の大きさの変動が少なく、均一な結晶粒サイズの低温ポリシリコン膜を得ることができる形成装置及び方法を提供する。マスクは、レーザ光の遮光領域と透過領域とが、これらの遮光領域と透過領域が隣接しないように格子状に配置されたものであり、このマスクを介してマイクロレンズによりレーザ光をチャネル領域形成予定領域に照射する。透過領域を透過したレーザ光が、ａ－Ｓｉ：Ｈ膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。次に、マスクを取り外して、チャネル領域形成予定領域の全体にレーザ光を照射すると、既に多結晶化している領域は融点が上昇していて溶融せず、アモルファスのままの領域が溶融凝固して多結晶化する。得られたポリシリコン膜は、その結晶粒の大きさが、遮光領域及び透過領域に規制されたものとなり、一定の範囲に制御される。

Abstract translation: 公开了一种形成装置和形成方法，其能够生产不经历晶粒尺寸波动且具有均匀晶粒尺寸的低温多晶硅膜。 掩模被形成为使得激光束阻挡区域和激光束透射区域以网状图案布置成不彼此相邻。 通过掩模通过微透镜照射预定的通道区域形成区域。 用透过透射区域的激光束照射a-Si：H膜，引起照射部分的退火，从而导致多晶化。 随后，去除掩模，并用激光束照射预定的通道区域形成区域的整个表面。 在已经发生多晶化的区域中，熔点升高，不会发生熔融。 在仍为无定形的区域中熔化并固化，从而引起多晶化。 在这样制造的多晶硅膜中，根据遮光面积和透光面积来控制晶粒的尺寸并落在特定范围内。

公开(公告)号：WO2010076232A3

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/EP2009067403

申请日：2009-12-17

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  CRAMER HUGO ,  HINNEN PAUL

Inventor： CRAMER HUGO ,  HINNEN PAUL

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70683 ,  G03F1/14 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641 ,  Y10T428/24802

Abstract: In order to determine whether an exposure apparatus is outputting the correct dose of radiation and a projection system of the exposure apparatus is focusing the radiation correctly, a test pattern is used on a mask for printing a specific marker onto a substrate. This marker may be measured by an inspection apparatus, such as, for example, a scatterometer to determine whether errors in focus, dose, and other related properties are present. The test pattern is arranged such that changes in focus and dose may be easily determined by measuring properties of a pattern that is exposed using the mask. The test pattern of the mask is arranged so that it gives rise to a marker pattern on the substrate surface. The marker pattern contains structures that have at least two measurable side wall angles. Asymmetry between side wall angles of a structure is related to focus (or defocus) of the exposure radiation from the exposure apparatus. The extent of defocus may thereby be determined by measuring an asymmetry in side wall angle of the printed marker pattern structures.

Abstract translation: 为了确定曝光设备是否输出正确剂量的辐射并且曝光设备的投影系统正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案以将特定标记印刷到基板上。 该标记可以通过检查装置（例如散射仪）来测量，以确定是否存在焦点，剂量和其他相关特性中的误差。 测试图案被布置为使得通过测量使用掩模曝光的图案的性质可以容易地确定焦点和剂量的变化。 掩模的测试图案被布置为使得其在衬底表面上产生标记图案。 标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。 结构的侧壁角度之间的不对称性与曝光设备的曝光辐射的焦点（或散焦）有关。 因此可以通过测量印刷标记图案结构的侧壁角度的不对称来确定散焦程度。

公开(公告)号：WO2016133837A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/US2016/017936

申请日：2016-02-15

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： SONG, Stanley Seungchul ,  XU, Jeffrey Junhao ,  YANG, Da ,  YEAP, Choh Fei

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F1/14 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/7045 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/31116 ,  H01L23/535

Abstract: Electron-beam (e-beam) based semiconductor device features are disclosed. In a particular aspect, a method includes performing a first lithography process to fabricate a first set of cut pattern features on a semiconductor device. A distance of each feature of the first set of cut pattern features from the feature to an active area is greater than or equal to a threshold distance. The method further includes performing an electron-beam (e-beam) process to fabricate a second cut pattern feature on the semiconductor device. A second distance of the second cut pattern feature from the second cut pattern feature to the active area is less than or equal to the threshold distance.

Abstract translation: 公开了基于电子束（e-beam）的半导体器件特征。 在特定方面，一种方法包括执行第一光刻工艺以在半导体器件上制造第一组切割图案特征。 从特征到有效区域的第一组切割图案特征的每个特征的距离大于或等于阈值距离。 该方法还包括执行电子束（e-beam）工艺以在半导体器件上制造第二切割图案特征。 第二切割图案特征从第二切割图案特征到有效区域的第二距离小于或等于阈值距离。

公开(公告)号：WO2012020382A3

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：PCT/IB2011053565

申请日：2011-08-10

Applicant: DOUBLECHECK SEMICONDUCTORS GMBH ,  BIECK FLORIAN

Inventor： BIECK FLORIAN

IPC: G03F1/38

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60

Abstract: A mask for photolithography of a semiconductor wafer is dis- closed. The mask comprises a protrusion section that pro- trudes from a handling section of the mask. An outer shape of the handling section is provided to enable handling by a mask aligner device. The protrusion has a face surface that is provided at a level which is different from a face surface area of the handling section.

Abstract translation: 封闭半导体晶片的光刻掩模。 掩模包括从掩模的处理部分突出的突出部分。 提供处理部的外形，以使得能够通过掩模对准装置进行处理。 突出部具有设置在与处理部的面部表面不同的水平面上的面部。

公开(公告)号：WO2009067153A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：PCT/US2008/012659

申请日：2008-11-10

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  IRVING, Lyn, Marie ,  LEVY, David, Howard ,  IRVING, Mark, Edward ,  ELLINGER, Carolyn, Rae

Inventor： IRVING, Lyn, Marie ,  LEVY, David, Howard ,  IRVING, Mark, Edward ,  ELLINGER, Carolyn, Rae

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/77

CPC classification number: G03F7/0007 ,  G03F1/14 ,  G03F7/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24802

Abstract: The invention relates to a process for forming a stacked transparent structure comprising providing a support, coating one side of said support with a multicolored mask, coating the other side of the support with a layer curable by visible light, and exposing the light-curable layer through the mask with visible light to cure the layer curable by light in exposed portions to form a cured pattern.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成层叠透明结构的方法，包括提供支撑体，用多色面罩涂覆所述支撑体的一侧，用可见光固化的层涂覆支撑体的另一侧，并将可光固化层 通过具有可见光的掩模来固化由暴露部分中的光可固化的层以形成固化图案。

公开(公告)号：WO2017143662A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/CN2016/081240

申请日：2016-05-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王伟 ,  孙中元

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/60 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L27/3241

Abstract: 一种掩膜版、一种掩膜曝光方法、一种掩膜系统和一种图形控制装置。掩膜版，具有图形控制层（100）和光线转换层（200），该图形控制层（100）包括多个透光单元（110）、与每一个透过单元（110）相连的控制电路；控制电路用于控制每一个透光单元（110）在透光状态和不透光状态之间进行转换，以形成不同的掩膜图案；光线转换层（200）设置在图形控制层（100）的出光方向侧或入光方向侧，用于将入射的光线转换为平行光线后出射。

公开(公告)号：WO2011046169A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：PCT/JP2010/068047

申请日：2010-10-14

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人 香川大学 ,  鈴木 孝明 ,  小寺 秀俊 ,  神野 伊策 ,  平丸 大介

Inventor： 鈴木　孝明 ,  小寺　秀俊 ,  神野　伊策 ,  平丸　大介

IPC: G03F7/20 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/0037 ,  B81C1/00126 ,  B81C99/002 ,  G03F1/14 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201

Abstract: 　複雑な立体形状の微細構造体を少ない工程で形成することができる微細構造体の作製方法を提供する。　未露光の感光性樹脂４２に沿って、透光部と遮光部とを含む第１のマスクパターン２２を配置するとともに、第１のマスクパターン２２に関して感光性樹脂４２とは反対側に、透光部と遮光部とを含む第２のマスクパターン３２を配置する。次いで、感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２を貫通する中心軸Ｚを中心に、感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２を一体回転させながら、第２のマスクパターン３２に関して感光性樹脂４２及び第１のマスクパターン２２とは反対側から、中心軸Ｚの方向に対して斜めに傾いた方向から露光光を照射することにより、第２のマスクパターン３２の透光部と第１のマスクパターン２２の透光部とを透過した露光光の光束を、感光性樹脂４２に露光する。

Abstract translation: 所公开的微结构制造方法可以以几步形成复杂的三维形成的微结构。 沿着未曝光的感光性树脂（42）设置包含透光部和遮光部的第一掩模图案（22），将含有透光部和遮光部的第二掩模图案（32）配置在 第一掩模图案（22）与感光性树脂（42）的反面。 此外，通过使感光性树脂（42）和第一掩模图案（22）围绕通过感光性树脂（42）和第一掩模图案（22）的中心轴（Z）一体旋转，并且在同一 从相对于中心轴线（Z）的方向倾斜地倾斜的方向，从第二掩模图案（32）的背面与感光性树脂（42）和第一掩模图案（22）反射的曝光时间， 通过第二掩模图案（32）的透光部和第一掩模图案（22）的透光部的透光的光束曝光感光性树脂（42）。

公开(公告)号：WO2010061828A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/JP2009/069818

申请日：2009-11-25

Applicant: HOYA株式会社 ,  佐々木 達也 ,  宮崎 貴裕

Inventor： 佐々木　達也 ,  宮崎　貴裕

IPC: G03F1/14 ,  C03C17/36 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/50 ,  B24B1/005 ,  B24B37/042 ,  C03C19/00 ,  G03F1/14 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

Abstract: 　チャック前後の主表面の平坦度変化をより小さくして、フォトマスク起因の位置ずれを非常に少なくすることができ、さらに、フォトマスク毎のチャック前後の基板変形の傾向の相違を非常に少なくすること。　本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と４つの端面を有する基板の主表面に中心点を設定し、該中心点を通りいずれかの端面に平行な第一対称軸と、前記中心点を通り第一対称軸に直交する第二対称軸とをそれぞれ設定し、前記第一対称軸および第二対称軸を基準にグリッド状に測定点を設定して基準面からの前記主表面の高さをそれぞれ測定し、前記第一対称軸を基準に線対称の位置にある測定点同士について高さ測定値の差分を算出し、算出した高さ測定値の差分について、全個数のうち少なくとも９５％にあたる個数の差分が所定値以内であることを特徴とする。

Abstract translation: 提供了能够显着地减少由光掩模引起的位置偏移的掩模基板，并且还可以通过减少夹紧之前和之后的主表面上的平坦度变化来显着降低每个光掩模的夹持之前和之后的基板变形差异的趋势。 在掩模基板具有两个主表面和四个端面的情况下，将中心点设置在主表面上，并且第一和第二对称轴被设定为使得平行于一个端面的第一对称轴线穿过中心点 并且与第一对称轴正交的第二对称轴也通过中心点。 测量点基于第一和第二对称轴设置为网格的形状，在各个测量点处测量来自参考表面的主表面的高度，并且测量点之间的测量高度之间的差 计算出相对于第一对称轴线对称布置。 掩模空白基板的特征在于，对应于测量值总数的至少95％的计算出的高度测量值的差异不超过预定值。

公开(公告)号：WO2010054350A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/US2009/063798

申请日：2009-11-10

Applicant: BRION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： YE, Jun ,  CAO, Yu ,  SHAO, Wenjin ,  FENG, Hanying

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: G06F17/50 ,  G03F1/14 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/705 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5009

Abstract: Methods according to the present invention provide computationally efficient techniques for designing gauge patterns for calibrating a model for use in a simulation process, and which minimize degeneracy between model parameters, and thus maximize pattern coverage for parameter calibration.. More specifically, the present invention relates to methods of designing gauge patterns that achieve complete coverage of parameter variations with minimum number of gauges and corresponding measurements in the calibration of a lithographic process utilized to image a target design having a plurality of features. According to some aspects, a method according to the invention includes transforming the space of model parametric space (based on CD sensitivity or Delta TCCs), then iteratively identifying the direction that is most orthogonal to existing gauges' CD sensitivities in this new space, and determining most sensitive line width/pitch combination with optimal assist feature placement which leads to most sensitive CD changes along that direction in model parametric space.

Abstract translation: 根据本发明的方法提供了用于设计用于校准用于模拟过程中的模型的计量模式并且使模型参数之间的简并性最小化并因此使参数校准的模式覆盖最大化的计算效率技术。更具体地，本发明涉及 设计用于以最小数量的量规完成参数变化的覆盖并且在用于对具有多个特征进行成像的目标设计的光刻处理的校准中的相应测量的设计计量模式的方法。 根据一些方面，根据本发明的方法包括改变模型参数空间的空间（基于CD灵敏度或Delta TCC），然后迭代地识别在该新空间中与现有计量器的CD灵敏度最正交的方向，以及 确定最敏感的线宽/间距组合与最佳辅助功能放置，导致在模型参数空间中沿着该方向的最敏感的CD变化。