公开(公告)号：WO2017178276A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：PCT/EP2017/057931

申请日：2017-04-04

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： HSU, Duan-Fu, Stephen ,  LIU, Jingjing

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/16 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441 ,  G06F17/5009

Abstract: Disclosed herein is a method comprising: obtaining at least a clip of a design layout; and determining a representation of the clip on a patterning device, under a condition that a reduction ratio from the representation to the clip is anisotropic. In a further embodiment of the method, the method comprises: obtaining a relationship between a first geometric characteristic in a design layout or an image thereof, and a second geometric characteristic in a representation of the design layout on a patterning device, wherein the relationship is a function involving reduction ratios in two different directions.

Abstract translation: 这里公开了一种方法，包括：获得设计布局的至少一个剪辑; 以及在从所述表示到所述剪辑的缩减率是各向异性的条件下，确定所述剪辑在图案形成装置上的表示。 在该方法的另一实施例中，该方法包括：获得设计布局或其图像中的第一几何特征与图案形成装置上的设计布局的表示中的第二几何特征之间的关系，其中关系为 一个涉及两个不同方向的缩小比率的功能。

公开(公告)号：WO2017144398A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/053749

申请日：2017-02-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： LATTARD, Ludovic ,  QUEMERE, Patrick

IPC: G03F7/20 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01J37/317

CPC classification number: G03F7/70433 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/093 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/2061 ,  H01J37/3174

Abstract: Procédé de lithographie électronique comprenant les étapes suivantes : - implanter dans un substrat (S), ou dans une couche diélectrique (CD) déposée à la surface dudit substrat, des électrons suivant un premier motif; - déposer une résine (R) pour lithographie électronique à la surface dudit substrat ou de ladite couche diélectrique sacrificielle; et - exposer ladite résine au moyen d'un faisceau d'électrons (FL) suivant un second motif, puis la développer; lesdits premier et second motifs étant constitués par des motifs élémentaires, les motifs élémentaires dudit premier motif (MPI) entourant au moins partiellement les motifs élémentaires dudit second motif (ML).

Abstract translation:

处理程序; 包括以下步骤： - 植入基板（S）中或放置在电介质层（CD）中; 所述衬底的表面，第一图案中的电子; - 为电子平版印刷制作树脂（R）。 所述衬底或所述牺牲介电层的表面; 并通过电子束（FL）以第二图案曝光所述树脂，然后显影; 所述第一和第二图案由基本图案构成，所述第一图案（MPI）的基本图案至少部分地围绕所述第二图案（ML）的基本图案，

公开(公告)号：WO2017034678A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/US2016/040700

申请日：2016-07-01

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： RIVIERE-CAZAUX, Lionel

IPC: G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F2217/06

Abstract: Methods and apparatuses for configuring group constraints of features of cells for a multi-patterning process are provided. The apparatus determines features within a circuit layout, distance constraints for at least one of the features, group constraints for the features based on the distance constraints, the group constraints defining limits on groups assignable to each of the features. In addition, the apparatus receives an integrated circuit layout including a plurality of abutting cells. The apparatus then determines whether group constraints of a second cell conflict with group constraints of a first cell, the second cell abutting with the first cell, and configures a subset of the group constraints of the second cell based on the group constraints of the first cell and based on the group constraints of the second cell that conflict with the group constraints of the first cell.

Abstract translation: 提供了用于配置用于多图案化处理的单元的特征的组约束的方法和装置。 该装置确定电路布局内的特征，至少一个特征的距离约束，基于距离约束的特征的组约束，对可分配给每个特征的组的限制的组约束。 此外，该装置接收包括多个邻接单元的集成电路布局。 然后，该装置确定第二小区的组约束是否与第一小区的组约束冲突，第二小区与第一小区邻接，并且基于第一小区的组约束来配置第二小区的组约束的子集 并且基于与第一小区的组约束冲突的第二小区的组约束。

公开(公告)号：WO2016205409A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/US2016/037684

申请日：2016-06-15

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： CHEN, Xiangdong ,  LIM, Hyeokjin Bruce ,  KWON, Ohsang ,  MALABRY, Mickael ,  ZHANG, Jingwei ,  STEPHANY, Raymond George ,  YANG, Haining ,  RIM, Kern ,  SONG, Stanley Seungchul ,  GUPTA, Mukul ,  VANG, Foua

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5068

Abstract: In an aspect of the disclosure, a method, a computer-readable medium, and an apparatus for assigning feature colors for a multiple patterning process are provided. The apparatus receives integrated circuit layout information including a set of features and an assigned color of a plurality of colors for each feature of a first subset of features of the set of features. In addition, the apparatus performs color decomposition on a second subset of features to assign colors to features in the second subset of features. The second subset of features includes features in the set of features that are not included in the first subset of features with an assigned color.

Abstract translation: 在本公开的一个方面，提供了一种方法，计算机可读介质和用于分配多个图案化处理的特征颜色的装置。 该装置接收集成电路布局信息，该信息包括一组特征的集合，以及针对特征集合的第一特征集的每个特征的多种颜色的分配颜色。 另外，该装置对特征的第二子集执行颜色分解，以将颜色分配给第二特征子集中的特征。 特征的第二子集包括不包括在具有分配颜色的特征的第一子集中的特征集合中的特征。

公开(公告)号：WO2015067443A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/EP2014/072035

申请日：2014-10-14

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： VAN SETTEN, Eelco ,  DAVYDOVA, Natalia, Viktorovna ,  PSARA, Eleni ,  VAN OOSTEN, Anton, Bernhard

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  G03F1/38 ,  G03F1/22 ,  G03F1/70

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70683

Abstract: A method of characterizing a lithographic mask type uses a mask having thereon test pattern units of linear features at different orientations. The mask is exposed, rotated by 90º, exposed again, rotated by a further 90º, exposed, etc. The printed features are measured to determine characteristics of the mask. The invention can be used to model shadowing effects of EUV masks with thick absorbers illuminated at an angle.

Abstract translation: 表征平版印刷掩模类型的方法使用其上具有不同取向的线性特征的测试图案单元的掩模。 面罩暴露，旋转90度，再次暴露，旋转另外90度，暴露等。测量打印的特征以确定面具的特性。 本发明可用于模拟以一角度照射的厚吸收体的EUV掩模的遮蔽效果。

公开(公告)号：WO2014063871A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/EP2013/069547

申请日：2013-09-20

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V. ,  ASML HOLDING N.V.

Inventor： VALENTIN, Christiaan ,  LOOPSTRA, Erik ,  WARD, Christopher ,  BURBANK, Daniel ,  SCHUSTER, Mark ,  GRAFFEO, Peter

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70783 ,  G03F7/70266 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70758 ,  G03F7/70775 ,  G03F7/70825

Abstract: A system (300) for supporting an exchangeable object (302) can include a movable structure (304) and an object holder (306) configured to be movable relative to the movable structure. The object holder can be configured to hold the exchangeable object. The system can also include a first actuator assembly (308) and second actuator assembly (316). The first actuator assembly can be configured to apply a force to the object holder to translate the exchangeable object generally along a plane. The second actuator assembly can be configured to apply a bending moment to the object holder. The exchangeable object can be a patterning device of a lithographic apparatus.

Abstract translation: 用于支撑可更换物体（302）的系统（300）可以包括可移动结构（304）和被配置为相对于可移动结构可移动的物体保持器（306）。 对象保持器可以被配置为保持可更换对象。 系统还可以包括第一致动器组件（308）和第二致动器组件（316）。 第一致动器组件可以被配置成向对象支架施加力，以大致沿着平面平移可交换对象。 第二致动器组件可以被配置为向对象保持器施加弯矩。 可交换对象可以是光刻设备的图案形成装置。

公开(公告)号：WO2014029603A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013/066338

申请日：2013-08-02

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： CHIOU, Tsann-Bim ,  DUSA, Mircea ,  CHEN, Alek

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/68 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5068

Abstract: In a multiple patterning techniques, where two or more exposures are used to form a single layer of a device, the splitting of features in a single layer between the multiple exposures is carried out additionally with reference to features of another associated layer and the splitting of that layer into two or more sets of features for separate exposure. The multiple exposure process can be a process involving repeated litho-etch steps desirably, the alignment scheme utilized during exposure of the split layers is optimized with reference to the splitting approach.

Abstract translation: 在使用两个或多个曝光来形成设备的单层的多重图案化技术中，在多个曝光之间的单个层中的特征的分割是参照另一个相关层的特征进行的，并且分割 该层分为两组或多组功能，用于单独曝光。 多次曝光过程可以是涉及重复光刻蚀步骤的过程，期望地，参考分割方法优化在分离层的曝光期间使用的对准方案。

公开(公告)号：WO2012084457A2

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/EP2011071610

申请日：2011-12-02

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  MULCKHUYSE WOUTER ,  DE JAGER PIETER ,  VAN ZWET ERWIN

Inventor： MULCKHUYSE WOUTER ,  DE JAGER PIETER ,  VAN ZWET ERWIN

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70508 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558

Abstract: A system for controlling a patterning device in a lithographic apparatus using a patterning device having individually controllable elements that may only be set to two states. The method includes converting a representation of a pattern to be formed on the substrate into a plurality of area intensity signals, each corresponding to a radiation intensity level required to be set in a respective area of the patterning device in order to provide the desired pattern on the substrate and a separate step of converting each of the area intensity signals into control signals for a plurality of individually controllable elements that each correspond to the area of the patterning device.

Abstract translation: 一种用于使用具有单独可控元件的图案形成装置来控制光刻设备中的图案形成装置的系统，该单独可控元件仅可设置为两种状态。 该方法包括将要形成在衬底上的图案的表示转换成多个区域强度信号，每个区域强度信号对应于需要设置在图案形成装置的相应区域中的辐射强度水平，以便提供期望的图案 基板和单独的步骤，将每个区域强度信号转换成多个独立可控元件的控制信号，每个对应于图案形成装置的区域。

公开(公告)号：WO2011116127A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/US2011/028720

申请日：2011-03-16

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  BAGHERI, Saeed ,  INOUE, Tadanobu ,  MELVILLE, David O. ,  MUTA, Hidemasa ,  ROSENBLUTH, Alan E. ,  SAKAMOTO, Masahura ,  TIAN, Kehan

Inventor： BAGHERI, Saeed ,  INOUE, Tadanobu ,  MELVILLE, David O. ,  MUTA, Hidemasa ,  ROSENBLUTH, Alan E. ,  SAKAMOTO, Masahura ,  TIAN, Kehan

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G03F7/70433 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/705

Abstract: Optical wave data for a semiconductor device design is divided into regions (102). First wavefront engineering is performed on the wave data of each region, accounting for just the wave data of each region. The optical wave date of each region is normalized based on the first wavefront engineering (106). Second wavefront engineering is performed on the wave data of each region, based at least on the wave data of each region as normalized (108). The second wavefront engineering takes into account the wave data of each region and a guard band around each region including the wave data of the neighboring regions of each region. The second wavefront engineering can be sequentially performed in parallel by organizing the regions into groups (110).

Abstract translation: 用于半导体器件设计的光波数据被划分为区域（102）。 对每个区域的波形数据执行第一波前工程，仅考虑每个区域的波形数据。 基于第一波前工程（106）对每个区域的光波日期进行归一化。 至少基于每个区域的波形数据进行归一化，对每个区域的波形数据执行第二波前工程（108）。 第二波前工程考虑了每个区域的波数据和围绕每个区域的保护带，包括每个区域的相邻区域的波数据。 可以通过将区域组织成组（110）来并行地顺序地执行第二波前工程。

公开(公告)号：WO2011087572A3

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/US2010057381

申请日：2010-11-19

Applicant: INTEL CORP ,  VARELA ALEJANDRO ,  HARLING TROY L ,  VANLARE DANIEL E

Inventor： VARELA ALEJANDRO ,  HARLING TROY L ,  VANLARE DANIEL E

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  G03F7/70433 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Techniques are provided for efficient wafer layout, which include the use of an offset grid to optimize use of available wafer space. As such, the number of identical die that can be fabricated on the wafer can be increased, relative to a standard perpendicular grid. By adding additional registration marks, an increase in flexibility of where each row/column of fields can be printed is enabled. This increased level of freedom in-turn allows for the optimization of the number of die that each row/column can contain, and translates directly into an increase in the number of yielding die per wafer. In addition, techniques are provided that allow for the dicing of individual die in a non-Cartesian coordinated manner. However, conventional singulation techniques can be used as well, given attention to the offset grid lines.

Abstract translation: 提供了有效的晶片布局的技术，其包括使用偏移栅格来优化可用晶片空间的使用。 因此，相对于标准垂直网格，可以增加可在晶片上制造的相同模具的数量。 通过添加附加的注册标记，可以增加打印每行/列字段的灵活性。 这种增加的自由度反过来允许优化每行/列可以包含的管芯的数量，并且直接转化为每个晶片的屈服模数的增加。 此外，提供允许以非笛卡尔坐标方式切割各个模具的技术。 然而，也可以使用常规的分割技术，注意偏移网格线。