公开(公告)号：WO2015043467A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/CN2014/087272

申请日：2014-09-24

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 林殷茵 ,  傅雅蓉 ,  杨凯 ,  杨伟 ,  王元钢 ,  赵俊峰

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/09 ,  G11B5/02 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

Abstract: 在本发明实施例中提供了一种信息存储装置及方法，该装置包括磁轨道（201），该磁轨道（201）由多个磁畴（202）组成，每个磁畴（202）划分为至少两个磁性区；写入单元（203），设置于磁轨道（201）上，通过写入单元（203）在每个磁畴（202）的至少两个磁性区中写入信息；读取单元（204），设置于磁轨道（201）上，通过读取单元（204）读取在每个磁畴（202）的至少两个磁性区中写入的信息，从而实现了在磁轨道（201）的一个磁畴（202）中写入多个有效信息，增加了磁轨道（201）的存储密度，提升了存储装置的存储容量。

公开(公告)号：WO2014110566A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：PCT/US2014/011466

申请日：2014-01-14

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： SUN, Zhenyu ,  MADALA, Raghu Sagar ,  GOVINDASWAMY, Senthil Kumar ,  YUEN, Kendrick H. ,  WU, Wenqing ,  WANG, Peiyuan

IPC: G11C11/16 ,  G11C14/00 ,  H03K3/037

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C14/0081 ,  H03K3/0375

Abstract: A magnetic tunneling junction non-volatile register with feedback for robust read and write operations. In an embodiment, two MTJ devices (124; 126) are configured to store a logical 0 or a logical 1, and are coupled to drive an output node (132) to a voltage indicative of the stored logical 0 or a logical 1. The output of a D flipflop (104) is fed to the two MTJ devices so that the state of the D flip-flop may be stored in the two MTJ devices during a store operation. During a read operation, the D flip-flop outputs the state of the two MTJ devices. Read disturbances are mitigated with the use of an edge detector (134) coupled to the output node, so that a LOW voltage is provided to the D flip-flop if a rising voltage at the output node is detected.

Abstract translation: 具有反馈的磁性隧道结非易失性寄存器，用于强大的读写操作。 在一个实施例中，两个MTJ设备（124; 126）被配置为存储逻辑0或逻辑1，并被耦合以将输出节点（132）驱动到指示存储的逻辑0或逻辑1的电压。 D触发器（104）的输出被馈送到两个MTJ器件，使得D触发器的状态可以在存储操作期间存储在两个MTJ器件中。 在读操作期间，D触发器输出两个MTJ器件的状态。 通过使用耦合到输出节点的边缘检测器（134）来减轻读取干扰，使得如果检测到输出节点处的上升电压，则向D触发器提供低电压。

公开(公告)号：WO1996041357A1

公开(公告)日：1996-12-19

申请号：PCT/US1996008862

申请日：1996-06-05

Applicant: HOUSTON ADVANCED RESEARCH CENTER

Inventor： HOUSTON ADVANCED RESEARCH CENTER ,  PISSANETZKY, Sergio

IPC: H01F01/00

CPC classification number: G11C11/06014 ,  G01R33/381 ,  G11C11/02 ,  H01F7/0278 ,  H05H7/04

Abstract: An apparatus and method for bending magnetic flux (18) in a magnetic circuit are disclosed. A means for conducting a substantially planar electric current is placed in the path of the flux of a magnetic circuit. Current is then caused to flow in the conducting means, causing the magnetic flux in the magnetic circuit to deviate from its original path. A preferred embodiment of the invention is described wherein a series of coils are used from both the planar conducting means and a partial flux conduit for coupling the flux bending apparatus to the magnetic circuit. Specific applications for the invention are disclosed in relation to magnets for use in magnetic resonance imaging applications, and magnets for use in dual dipole particle accelerator applications. Additional applications of the invention are described in relation to creating modular components for magnetic flux piping systems.

Abstract translation: 公开了一种用于在磁路中弯曲磁通量（18）的装置和方法。 用于进行基本上平面的电流的装置被放置在磁路的通量的路径中。 然后使电流在导电装置中流动，导致磁路中的磁通量偏离其原始路径。 描述了本发明的优选实施例，其中从平面导电装置和用于将焊剂弯曲装置耦合到磁路的部分磁通管道使用一系列线圈。 关于用于磁共振成像应用的磁体和用于双偶极子加速器应用的磁体公开了本发明的具体应用。 关于创建磁通管道系统的模块化部件来描述本发明的附加应用。

公开(公告)号：WO2016182085A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/JP2016/064530

申请日：2016-05-16

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 深見　俊輔 ,  岩渕　透 ,  大野　英男 ,  遠藤　哲郎

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11C7/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 磁気抵抗効果素子（１００）は、強磁性体を含む記録層（１０）と、記録層（１０）の上に積層された障壁層（２０）と、障壁層（２０）の上に積層され、強磁性体を含む参照層（３０）とを有する。参照層（３０）は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する。記録層（１０）は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する第１磁化固定領域（１１）と、第１磁化固定領域（１１）が有する磁化成分と反対の向きに実質固定された磁化成分を有する第２磁化固定領域（１２）と、第１磁化固定領域（１１）と第２磁化固定領域（１２）との間に位置し、略面内方向において反転可能な磁化成分を有する磁化自由領域（１３）とを含む。記録層（１０）を構成する細線の線幅は４０ｎｍ以下であり、記録層（１０）の膜厚は、４０ｎｍ以下であり、線幅の１／２以上、かつ、２倍以下である。

Abstract translation: 磁阻效应元件（100）具有包含铁磁体的记录层（10），层叠在记录层（10）上的阻挡层（20）和层叠在阻挡层（20）上的参考层（30） ，所述参考层（30）包含铁磁体。 参考层（30）具有基本上在面内方向上大致固定的磁化分量。 记录层（10）包括：第一磁化固定区域（11），其具有基本上在面内方向上基本固定的磁化分量; 具有基本上固定在与第一磁化固定区域（11）的磁化分量的方向相反的方向上的磁化分量的第二磁化固定区域（12）。 和位于所述第一磁化固定区域（11）与所述第二磁化固定区域（12）之间的无磁化区域（13），所述无磁化区域（13）具有能够在大致面内方向上反转的磁化分量。 构成记录层（10）的一部分的细线的线宽为40nm以下。 记录层（10）的膜厚为40nm以下，相当于导线宽度的一半〜两倍。

公开(公告)号：WO2016173141A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/CN2015/086326

申请日：2015-08-07

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 陈希

IPC: G11C11/02

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G09G5/003 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  G11C11/02

Abstract: 一种触控显示电路、其驱动方法、触控显示面板及显示装置，在触控阶段，触控触发模块（1）将触发信号端（Input）的信号提供给上拉节点（PU）；第一输出模块（4）将第一时钟信号端（CK）的信号提供给触控信号输出端（Output）；复位模块（3）将第一参考信号端（Vref1）的信号提供给上拉节点（PU），第二输出模块（5）将第二参考信号端（Vref2）的信号提供给触控信号输出端（Output），从而实现触控功能。在显示阶段，显示切换模块（2）将公共电极信号端（Vcom）的信号提供给触控信号输出端（Output），从而实现显示功能。该触控显示电路通过上述各模块的相互配合，在触控信号输出端（Output）实现了触控信号和公共电极信号的分时输出，从而实现了一种结构简单的触控显示电路，进而有利于触控显示面板的窄边框设计。

公开(公告)号：WO2016066053A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/CN2015/092579

申请日：2015-10-22

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 林殷茵 ,  韦竹林 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  傅雅蓉 ,  杨凯

IPC: G11C11/02

CPC classification number: G11C11/02

Abstract: 一种磁性存储器（1000），包括多个存储单元（100）、行、列控制器（200、300），存储单元包括U型磁性轨道（110）、第一及第二开关单元（20、30）、读写装置（80），U型磁性轨道（110）包括第一及第二端口（11、12）、第一及第二存储区域（111、112），第一及第二存储区域（111、112）分别位于第一及第二端口（11、12）与U型磁性轨道（110）底部的第一及第二端（13、14）之间，同一列第一端口（11）接收第一驱动电压；同一列第二端口（12）接收第二驱动电压；行控制器（200）连接同一列的第一及第二开关单元（20、30）以控制其通断；同一列第一及第二开关单元（20、30）还分别连接至U型磁性轨道（110）底部第二端（14）及第一端（13）；同一列第一及第二开关单元（20、30）还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域（111、112）的磁畴移动；读写装置（80）用于对磁畴执行读操作或写操作。能够提高存储密度和降低功耗。

公开(公告)号：WO2015072856A4

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/NL2014050787

申请日：2014-11-14

Applicant: STICHTING KATHOLIEKE UNIV

Inventor： RASING THEODORUS HENRICUS MARICUS MARIA ,  SAVOINI MATTEO

IPC: G11C13/06 ,  G11B11/10 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04 ,  G11C13/06

Abstract: The present invention is in the field of a magneto optical device comprising a magnetic unit and an optical unit, an electronic device comprising the magneto-optic device, a method of energy saving using the magneto- optical device, an array comprising the magneto-optical devices, and a method of changing magnetic orientation.

Abstract translation: 本发明涉及包括磁单元和光学单元的磁光学装置领域，包括磁光装置的电子装置，使用磁光装置的节能方法，包括磁光学的阵列 装置和改变磁方向的方法。

公开(公告)号：WO2013123363A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/US2013/026394

申请日：2013-02-15

Applicant: CROCUS TECHNOLOGY INC.

Inventor： CAMBOU, Bertrand F. ,  LEE, Douglas J. ,  MACKAY, Ken

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14

CPC classification number: H03F15/00 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H03F19/00

Abstract: An apparatus includes a circuit and a field line. The circuit includes a magnetic tunnel junction including a storage layer and a sense layer. The field line is configured to generate a magnetic field based on an input signal, where the magnetic tunnel junction is configured such that a magnetization direction of the sense layer and a resistance of the magnetic tunnel junction vary based on the magnetic field. The circuit is configured to amplify the input signal to generate an output signal that varies in response to the resistance of the magnetic tunnel junction.

Abstract translation: 一种装置包括电路和场线。 该电路包括一个包括存储层和感应层的磁性隧道结。 场线被配置为基于输入信号产生磁场，其中磁性隧道结被配置为使得感测层的磁化方向和磁性隧道结的电阻基于磁场而变化。 电路被配置为放大输入信号以产生响应于磁性隧道结的电阻而变化的输出信号。

公开(公告)号：WO2012173750A3

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/US2012039003

申请日：2012-05-22

Applicant: RAYTHEON BBN TECHNOLOGIES CORP ,  NEW YORK UNIVERISTY ,  OKHI THOMAS AKIRA ,  KENT ANDREW

Inventor： OKHI THOMAS AKIRA ,  KENT ANDREW

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: A magnetic memory system includes a superconductor circuit and one or more magnetic memory elements to store data. To write data, a driver circuit in the superconductor circuit generates a magnetic signal for transmission over a superconductor link extending between the superconductor circuit and the magnetic memory element. To read data, a sensing circuit in the superconductor circuit monitors a superconductor link extending from sensing circuit to the magnetic memory element. The magnetic memory element can be a spin-transfer type magnetic memory element.

Abstract translation: 磁存储器系统包括超导体电路和用于存储数据的一个或多个磁存储元件。 为了写入数据，超导体电路中的驱动电路产生用于在超导体电路和磁存储元件之间延伸的超导体链路传输的磁信号。 为了读取数据，超导体电路中的感测电路监视从感测电路延伸到磁存储元件的超导体连接。 磁存储元件可以是自旋转移型磁存储元件。

公开(公告)号：WO2009142881A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：PCT/US2009/042168

申请日：2009-04-29

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  MOULI, Chandra

Inventor： MOULI, Chandra

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/145 ,  G11C11/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: Some embodiments include memory cells including a memory component having a first conductive material, a second conductive material, and an oxide material between the first conductive material and the second conductive material. A resistance of the memory component is configurable via a current conducted from the first conductive material through the oxide material to the second conductive material. Other embodiments include a diode comprising metal and a dielectric material and a memory component connected in series with the diode. The memory component includes a magnetoresistive material and has a resistance that is changeable via a current conducted through the diode and the magnetoresistive material.

Abstract translation: 一些实施例包括存储单元，其包括在第一导电材料和第二导电材料之间具有第一导电材料，第二导电材料和氧化物材料的存储元件。 存储器组件的电阻可以通过从第一导电材料通过氧化物材料传导到第二导电材料的电流来配置。 其他实施例包括包含金属和介电材料的二极管以及与二极管串联连接的存储器组件。 存储器部件包括磁阻材料，并且具有可以经由二极管和磁阻材料传导的电流而变化的电阻。