公开(公告)号：WO2021009459A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：PCT/FR2020/051260

申请日：2020-07-13

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： LARREY, Vincent ,  RIEUTORD, François ,  HARTMANN, Jean-Michel ,  FOURNEL, Frank ,  LANDRU, Didier ,  KONONCHUCK, Oleg ,  ECARNOT, Ludovic

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de collage hydrophile d'un premier substrat (S1) sur un second substrat (S2), comprenant : - la mise en contact du premier substrat (S1) et du second substrat (S2), de sorte à former une interface (I) de collage entre une surface principale du premier substrat et une surface principale du second substrat, - l'application d'un traitement thermique adapté pour fermer ladite interface de collage, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de mise en contact, le dépôt, sur la surface principale du premier et/ou du second substrat, d'une couche (12) de collage en un matériau non métallique perméable au dihydrogène et présentant, à la température du traitement thermique, une limite élastique inférieure à celle d'au moins un des matériaux du premier substrat (S1) et du second substrat (S2) situés à l'interface de collage, ladite couche présentant une épaisseur comprise entre 1 et 6 nm, et en ce que le traitement thermique est mis en œuvre à une température inférieure ou égale à 900°C, de préférence inférieure ou égale à 600°C.

公开(公告)号：WO2020188169A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/FR2020/050369

申请日：2020-02-26

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  BEN MOHAMED, Nadia

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche utile sur un substrat support, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un substrat donneur comportant un plan fragile enterré, la couche utile étant délimitée par une face avant du substrat donneur et le plan fragile enterré; b) la fourniture d'un substrat support; c) l'assemblage, selon une interface de collage, du substrat donneur, au niveau de sa face avant, et du substrat support, pour former une structure collée; d) le recuit de la structure collée pour lui appliquer un budget thermique de fragilisation et amener le plan fragile enterré jusqu'à un niveau de fragilisation défini, ledit recuit atteignant une température de palier maximale; e) l'initiation d'une onde de fracture dans le plan fragile enterré, par application d'une contrainte à la structure collée, l'onde de fracture se propageant de manière auto- entretenue le long du plan fragile enterré pour mener au transfert de la couche utile sur le substrat support. L'initiation de l'étape e) est opérée lorsque la structure collée subit un gradient thermique définissant une région chaude et une région froide de ladite structure collée, la contrainte étant localement exercée dans la région froide, et la région chaude subissant une température inférieure à la température de palier maximale.

公开(公告)号：WO2019002080A1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：PCT/EP2018/066552

申请日：2018-06-21

Applicant: SOITEC

Inventor： HUYET, Isabelle ,  CHARLES-ALFRED, Cédric ,  LANDRU, Didier ,  DROUIN, Alexis

IPC: H01L21/762

Abstract: Procédé de transfert d'une couche mince (3) constituée d'un premier matériau sur un substrat support (7) constitué d'un deuxième matériau, le premier et le deuxième matériau présentant des coefficients de dilatation thermique différents. Le procédé de transfert de la couche mince (3) comporte la fourniture d'un substrat donneur (1) composé de l'assemblage d'une couche épaisse formé du premier matériau (la) et d'un substrat manipulateur (lb), le coefficient de dilatation thermique du substrat manipulateur (lb) étant similaire à celui du substrat support (7) et le substrat donneur (1) présentant une face principale (4) du côté de la couche épaisse (la); l'introduction d'espèces légères dans la couche épaisse (la) pour y générer un plan de fragilisation (2) et définir la couche mince (3) entre le plan de fragilisation (2) et la face principale (4) du substrat donneur (1); l'assemblage de la face principale (4) du substrat donneur avec une face (6) du substrat support (7); le détachement de la couche mince (3) au niveau du plan de fragilisation (2), le détachement comprenant l'application d'un traitement thermique.

公开(公告)号：WO2014155166A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/IB2014/000250

申请日：2014-03-03

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624

Abstract: Procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium La présente invention concerne un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium (90) dans une structure (50), comprenant de sa face arrière (60) vers sa face avant (70) un substrat support, la couche de dioxyde de silicium (90) et une couche de semi-conducteur (100), le procédé de dissolution étant mis en œuvre dans un four dans lequel des structures (50) sont maintenues sur un support, le procédé de dissolution entraînant la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium (90) au travers de la couche de semi-conducteur (100) et générant des produits volatiles, le four comprennant des pièges (110) adaptés pour réagir avec les produits volatiles, de sorte à réduire le gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant (70) d'au moins une structure (50).

Abstract translation: 本发明涉及一种将二氧化硅层（90）溶解在结构（50）中的方法，包括从其后表面（60）到其前表面（70）的支撑衬底，二氧化硅层 （90）和半导体层（100），所述溶解方法在其中结构（50）负载在载体上的炉中实施，所述溶解方法导致包含在二氧化硅层中的氧原子的扩散（ 90）通过半导体层（100）并产生挥发性产物，并且炉子包括适于与挥发性产物反应的捕集阱（110），以便降低与前表面（70）平行的挥发性产物的浓度梯度 ）至少一个结构（50）。

公开(公告)号：WO2022117930A2

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/FR2021/052047

申请日：2021-11-19

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SOITEC

Inventor： LARREY, Vincent ,  REBOH, Shay ,  LE VAN-JODIN, Lucie ,  MILESI, Frédéric ,  ECARNOT, Ludovic ,  GAUDIN, Gweltaz ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: L'invention concerne un substrat donneur (100) pour le transfert d'une couche mince monocristalline (1) en un premier matériau, sur un substrat receveur (2), le substrat donneur (100) présentant une face avant (100a) et une face arrière (100b), et comprenant : - un plan fragile enterré (30) qui délimite une portion supérieure (101) et une portion inférieure (102) du substrat donneur (100), - dans la portion supérieure (101), une première couche (10) du côté de la face avant (100a), une deuxième couche (20) adjacente au plan fragile enterré (30), et une couche d'arrêt (15) intercalée entre la première couche (10) et la deuxième couche (20), la première couche (10) étant composée du premier matériau, la couche d'arrêt (15) étant formée en un deuxième matériau apte à procurer une gravure sélective par rapport au premier matériau, - une sous-portion amorphisée (101',101'',101'''), rendue amorphe par implantation ionique, présentant une épaisseur strictement inférieure à celle de la portion supérieure (101), et incluant au moins la première couche (10); la deuxième couche (20) comprenant au moins une sous-couche (22) monocristalline, adjacente au plan fragile enterré (30). L'invention concerne également deux modes de mise en œuvre d'un procédé de transfert d'une couche mince monocristalline (1) à partir du substrat donneur (100).

公开(公告)号：WO2022008809A1

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：PCT/FR2021/051023

申请日：2021-06-08

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALLIBERT, Frédéric ,  LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  GAUDIN, Gweltaz ,  WIDIEZ, Julie ,  FOURNEL, Franck

IPC: H01L21/18

Abstract: L'invention concerne une structure semi-conductrice (100) comprenant une couche utile (10) en matériau semi-conducteur monocristallin, s'étendant selon un plan principal (x,y), un substrat support (30) en matériau semi-conducteur, et une zone d'interface (20) entre la couche utile (10) et le substrat support (30), s'étendant parallèlement au plan principal (x,y), la structure (100) étant remarquable en ce que la zone d'interface (20) comporte des nodules (21) : - conducteurs électriques, comprenant un matériau métallique formant un contact ohmique avec la couche utile (10) et avec le substrat support (30), - présentant une épaisseur, selon un axe (z) normal au plan principal (x,y), inférieure ou égale à 30nm, - disjoints ou accolés, les nodules (21) disjoints étant séparés les uns des autres par des régions de contact direct (22) entre la couche utile (10) et le substrat support (30). L'invention concerne également un procédé de fabrication de ladite structure (100).

公开(公告)号：WO2018177601A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/EP2018/000146

申请日：2018-03-29

Applicant: SOITEC

Inventor： HENAULT, Arnaud ,  COCCHI, Anne-Sophie ,  PAILLAS, Julien ,  BOTTIERO, Joel ,  LANDRU, Didier ,  KOKONGCHUCK, Oleg

IPC: F27B17/00 ,  F27D99/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27D99/0033 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: The invention relates to a semiconductor wafer oxidation furnace comprising a torch (12) connected to a furnace tube (11) by a fluidic connection (14) and a means for adjusting a gas flow downstream of the torch (12) in the direction of the furnace tube (11).

公开(公告)号：WO2017068269A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/FR2016/052674

申请日：2016-10-17

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier

IPC: H01L41/313 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/313 ,  H03H9/02574

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure hybride (60) comportant une couche utile (20) de matériau piézoélectrique présentant une épaisseur utile disposée sur un substrat support (1) présentant une épaisseur support et un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (20), le procédé comprenant : a) Une étape de fourniture d'une structure collée comportant un substrat donneur de matériau piézoélectrique et le substrat support (1), la structure collée présentant une interface de collage (5) entre ces deux substrats; b) Une première étape d'amincissement du substrat donneur pour former une couche amincie, présentant une épaisseur intermédiaire, disposée sur le substrat support (1); l'ensemble formant une structure amincie; c) Une étape de traitement thermique de la structure amincie à une température de recuit; d) Une seconde étape d'amincissement, après l'étape c), de la couche amincie pour former la couche utile (20); le procédé étant remarquable en ce qu' il comprend, préalablement à l'étape b), une étape a') de détermination d'une fourchette d'épaisseurs intermédiaires évitant une dégradation de la structure amincie (6') lors de l'étape c), la fourchette étant définie par une épaisseur seuil et une épaisseur plafond, et l'épaisseur intermédiaire de la couche amincie étant choisie dans cette fourchette.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 制造包括垫é廖内PIéZOé电动的有用层（20）PRé感觉的DE设置é有用厚度，在支撑基板上（1）PRé感觉的DE的混合结构（60）的方法 厚度支撑和热膨胀系数较低和较高; （20）的过程 包括：a）提供包括压电材料供体基板和支撑基板（1）的接合结构的步骤，所述胶体结构具有接合界面 （5）在这两个基板之间; b）供体衬底的第一变薄步骤，以形成布置在支撑衬底（1）上的具有中间厚度的薄层; 该组件形成薄的结构; c）薄化结构的热处理步骤＆gt; 退火温度; d）在步骤c）之后，对变薄层进行第二变薄步骤以形成有用层（20）; 程序d＆oacute; 显着的，因为它理解，在一个预先存在的 在步骤b）中，步骤a）确定用于衰减所述变薄结构（6'）的中间厚度的范围， 步骤c），该范围由阈值厚度和天花板厚度以及在该范围内选择的减薄层的中间厚度来限定。

公开(公告)号：WO2016087728A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/FR2015/052494

申请日：2015-09-17

Applicant: SOITEC

Inventor： KONONCHUK, Oleg ,  LANDRU, Didier ,  FIGUET, Christophe

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H04B1/03 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76297 ,  H01L41/0477 ,  H01M4/663

Abstract: Structure (1) pour des applications radiofréquences comprenant : • un substrat support (2) semi-conducteur; • une couche de piégeage (3) disposée sur le substrat support (2); la couche de piégeage (3) étant caractérisée en ce qu'elle comprend une densité de défauts supérieure à une densité de défauts prédéterminée; la densité de défauts prédéterminée est la densité de défauts au-delà de laquelle la résistivité électrique de la couche de piégeage (3) est supérieure ou égale à 10kohm.cm sur une gamme de température [- 20°C; +120°C].

Abstract translation: 本发明涉及一种用于射频应用的结构（1），其包括：半导体支撑衬底（2）; 布置在所述支撑基板（2）上的捕获层（3）; 捕获层（3）的特征在于它包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度; 预定的缺陷密度是缺陷密度，在[-20℃的温度范围内，捕获层（3）的电阻率不低于10Kohhm·cm; +120℃]。

公开(公告)号：WO2014037791A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/IB2013/001921

申请日：2013-09-03

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier

IPC: H01L21/67

CPC classification number: B26D3/28 ,  B26D7/0006 ,  B26D7/08 ,  B26D7/088 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1967

Abstract: L'invention concerne un dispositif de séparation d'une structure formée de deux substrats, au niveau d'une interface de séparation, ce dispositif comprenant : - un support (1 ), - un organe de retenue (2) de ladite structure, monte sur ledit support (1 ), - un outil de séparation (3) desdits deux substrats, également monte sur ledit support (1 ), - des moyens de déplacement (4) dudit outil de séparation (3) et/ou des moyens de déplacement (5) dudit organe de retenue (2), par rapport audit support (1), de faςοn à les rapprocher ou a les écarter I'un de I'autre, de préférence sur une course limitée. Ce dispositif est remarquable en ce que ledit outil de séparation (3) comprend un bord d'attaque (30) qui présente, en section transversale, successivement depuis son sommet ou son arête avant (323) jusque vers I'arrière, une partie effilée (32) qui se prolonge par une partie (33) évasée. Application aux substrats utilisés dans I'électronique, I'optique, I'optoélectronique et/ou le photovoltaïque.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在分离界面处分离由两个基板形成的结构的装置，所述装置包括：支撑件（1）; 安装在所述支撑件（1）上的结构保持构件（2）; 用于分离也安装在支撑件（1）上的两个基板的工具（3）; 用于移动分离工具（3）的装置（4）和/或用于相对于支撑件（1）移动保持构件（2）的装置（5），使得它们彼此移动或移开，优选地在 有限的旅行 该装置的特征在于，分离工具（3）包括前缘（30），前缘（30）具有从顶部或前边缘（323）向后延伸的锥形部分（32），该锥形部分延伸到扩口部分 33）。 本发明适用于电子，光学，光电子学和/或光伏电池中使用的基片。