Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Elektronikbaugruppe (10) mit organischen Bauelementen. Die Elektronikbaugruppe weist einen Taktgenerator (2) mit n seriell hintereinander geschalteten organischen Schaltelementen (21) auf, die jeweils aus organischen Bauelementen aufgebaut sind. Der Ausgang des n-ten organischen Schaltelements des Taktgenerators (2) ist mit dem Eingang des ersten organischen Schaltelements des Taktgenerators (2) verbunden. Die Ausgängen von zwei oder mehr organischen Schaltelementen (21) des Taktgenerators sind mit jeweiligen Eingängen einer ersten elektronischen Schaltung (4) der Elektronikbaugruppe (10) zum Abgriff von zwei oder mehr Taktsignalen (31 bis 35) verbunden, so dass an dem Ausgang eines ersten der Schaltelemente (21) ein erstes Taktsignal für die erste elektronische Schaltung (4) abgegriffen wird und am Ausgang eines zweiten, sich von dem ersten Schaltelement unterscheidenden Schaltelements (21) ein zweites, gegenüber dem ersten Taktsignal phasenverschobenes Taktsignal für die erste elektronische Schaltung (4) abgegriffen wird.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen organischen Transistor und ein Verfahren zum Herstellen des organischen Transistors. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen organischen Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode bzw. ein Verfahren zur Herstellung dieses organischen Transistors. Für die Herstellung des erfindungsgemässen organischen Transistors wird ein Substrat bereitgestellt, auf dem eine unstrukturierte Halbleiterschicht aufgebracht ist, auf der wiederum eine Isolatorschicht angeordnet ist. Zumindest die Isolatorschicht wird strukturiert, so dass anschliessend zumindest Source- und Drain-Elektroden-Schichten gebildet werden können. Die Bildung der Source- und Drain-Elektroden-Schichten nach der Strukturierung von zumindest der Isolatorschicht gewährleistet, dass eine Überlappung von sowohl einer Gate-Elektroden-Schicht als auch der Source- und Drain-Elektroden-Schichten im Wesentlichen vermieden wird.
Abstract:
The invention relates to an organic logic gate comprising at least one charging field effect transistor (charging FET) and at least one switching field effect transistor (switching FET), said charging FET comprising at least one gate electrode, a source electrode and a drain electrode, the gate electrode of the charging FET being potential-free.
Abstract:
The invention relates to an electronic component that is made of primarily organic materials with high resolution structuring, especially an organic field effect transistor (OFET) having a small source-drain distance, and a method for the production thereof. The organic electronic component is provided with recesses and/or modified areas in which the strip conductors/electrodes can be arranged and which are created by means of a laser during the production. The strip conductors/electrodes can be metallic, for example.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Strukturierung organischer Schichten. Gemäss einem ersten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Strukturieren einer unstrukturierten organischen Schicht bereitgestellt. Vorteilhafterweise eignet sich das Verfahren für eine Strukturierung von einer Isolatorschicht von organischen Schaltungen. Strukturierungsmittel, die eine vorbestimmte Temperatur aufweisen, werden unter einem vorbestimmten Druck (einen Pressdruck) in die organische Schicht eingepresst. Der Einpressvorgang ist geeignet, die organische Schicht durch die Strukturierungsmittel dauerhaft zu strukturieren.
Abstract:
Die Erfindung betrifft organische Speicherbauelemente und Ansteuerungsschaltungen dazu. Die organischen Speicherbauelemente haben eine Schicht aus bistabil einstellbarem Material oder umfassen eine Schaltung in der zwei OFETs in Reihe geschaltet sind, wobei der eine OFET mit einem Kondensator parallel geschaltet ist und zwar auf der Seite mit niedriger Versorgungsspannung, so dass der Kondensator mit dem Entlade-OFET parallel geschaltet ist und vom zweiten OFET geladen wird.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein organisches elektronisches Bauelement wie einen organischen Feld-Effekt-Transistor und ein Herstellungsverfahren dazu, wobei die halbleitende Schicht des Bauelements strukturiert ist, obwohl das Bauelement im preisgünstigen Druckverfahren herstellbar ist. Um dies zu erreichen wird die untere Funktionsschicht durch eine Behandlung so präpariert, dass sie Teilbereiche hat, auf denen im nachfolgenden Prozessschritt Benetzung stattfindet und Teilbereiche, auf denen keine Benetzung erfolgt.
Abstract:
Um bei einem elektronischen Gerät, insbesondere einem Spielgerät, auf sehr einfache und preiswerte Weise die Ausführung einer Vielzahl von unterschiedlichen Funktionen, insbesondere Spielfunktionen, zu ermöglichen, besteht das Gerät aus einem Hauptmodul (1) und mindestens einem an diesem ansteckbaren Untermodul (2), wobei das Untermodul (2) eine Schaltung (13) enthält, die im Zusammenwirken mit einer weiteren Schaltung (5) in dem Hauptmodul (1) das Gerät zur Ausübung einer für das jeweilige Untermodul (2) spezifischen Funktion ertüchtigt, und wobei die Schaltung (13) in dem mindestens einen Untermodul (2) als organische Schaltung ausgebildet ist. Das Untermodul (2) ist dabei aus einer Vielzahl von unterschiedlichen Typen von Untermodulen mit jeweils unterschiedlichen Schaltungen für unterschiedliche Funktionen auswählbar.
Abstract:
The invention relates to a novel concept for the production of an encapsulated and at least partly organic electronic unit. Said unit embodies a novel concept for the combination of different electronic components to form an electronic unit, such as antennae, diodes (rectifier diodes and/or light-emitting diodes), transistors etc. and a circuit which is optimised therefor. According to the invention, similar components of the unit and/or the circuit are combined to form an arrangement on a substrate (region) and/or in an encapsulation, said arrangements being then electronically interconnected.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen organischen Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung.Der OFET hat eine Zwischenschicht, die eine Raumladungszone zwischen Isolator und Halbleiter ausbildet.