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    AN OPTICAL COMMUNICATION DEVICE INCLUDING A SEMITRANSPARENT OPTICAL DETECTOR
    41.
    发明申请
    AN OPTICAL COMMUNICATION DEVICE INCLUDING A SEMITRANSPARENT OPTICAL DETECTOR 审中-公开
    包括半透明光学探测器的光学通信设备

    公开(公告)号：WO0173902A9

    公开(公告)日：2002-12-19

    申请号：PCT/US0109013

    申请日：2001-03-20

    Applicant: AEGIS SEMICONDUCTOR ,  WAGNER MATTHIAS

    Inventor： WAGNER MATTHIAS

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H04B10/40 ,  H01S5/0683 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02

    CPC classification number: H01S5/02284 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176 ,  H04B10/40

    Abstract: Materials suitable for fabricating optical monitors include amorphous, polycrystalline and microcrystalline materials. Semitransparent photodetector materials may be based on silicon or silicon and germanium alloys. Conductors for connecting to and contacting the photodetector may be made from various transparent oxides, including zinc oxide, tin oxide and indium tin oxide. Optical monitor structures based on PIN diodes take advantage of the material disclosed. Various contact, lineout, substrate and interconnect structures optimize the monitors for integration with various light sources, including vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Complete integrated structures include a light source, optical monitor and either a package or waveguide into which light is directed.

    Abstract translation: 适用于制造光学监视器的材料包括无定形，多晶和微晶材料。 半透明光电探测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光电检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监测器结构利用了所公开的材料。 各种接触，线路，基板和互连结构优化了监视器，以便与各种光源（包括垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列）集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器以及光线导向的封装或波导。

    VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE
    42.
    发明申请
    VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE 审中-公开
    具有降低PARASIIC电容的垂直孔表面发射激光

    公开(公告)号：WO0237630A2

    公开(公告)日：2002-05-10

    申请号：PCT/IB0102000

    申请日：2001-10-24

    Applicant: U L M PHOTONICS GMBH

    Inventor： EBELING KARL JOACHIM

    IPC: H01S5/062 ,  H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18311 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

    Abstract: An oxide-confined vertical cavity surface emitting laser having reduced parasitic capacitance. The VCSEL includes a substrate having a first mirror stack grown epitaxially thereon. The first mirror stack includes a plurality of semiconductor layers and is doped with a first doping type. An active region is grown epitaxially above the first mirror stack for generating a laser emission. A control layer is grown epitaxially above the first mirror stack, between first mirror stack and the active region or above the active region, and includes a central non-oxidized conducting portion and an outer, laterally oxidized insulating portion. A second mirror stack is grown epitaxially above the active region and the control layer. The second mirror stack includes a second plurality of semiconductor layers doped with a second doping type. The second plurality of semiconductors layers includes pairs of high index and low index materials. The low index material layers are generally equally laterally oxidized and have a non-oxidized central portion. The penetration of the lateral oxidation of the low index material layers is less than the oxidation penetration for the outer laterally oxidized insulating portion of the control layer.

    Abstract translation: 具有降低的寄生电容的氧化物封闭的垂直腔表面发射激光器。 VCSEL包括其上外延生长的第一反射镜叠层的衬底。 第一反射镜堆叠包括多个半导体层，并且掺杂有第一掺杂型。 在第一反射镜叠层上方外延生长有源区域以产生激光发射。 控制层在第一反射镜叠层之上，第一反射镜叠层和有源区之间或有源区上方外延生长，并且包括中心非氧化导电部分和外侧横向氧化的绝缘部分。 在有源区域和控制层上方外延生长第二反射镜堆叠。 第二反射镜堆叠包括掺杂有第二掺杂类型的第二多个半导体层。 第二多个半导体层包括成对的高折射率和低折射率材料。 低折射率材料层通常均等地被氧化并具有未氧化的中心部分。 低折射率材料层的横向氧化的穿透小于对照层的外部横向氧化绝缘部分的氧化渗透。

    A SEMITRANSPARENT OPTICAL DETECTOR ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING
    43.
    发明申请
    A SEMITRANSPARENT OPTICAL DETECTOR ON A FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING 审中-公开
    柔性基板上的半透明光学检测器及其制作方法

    公开(公告)号：WO01073856A2

    公开(公告)日：2001-10-04

    申请号：PCT/US2001/009015

    申请日：2001-03-20

    IPC: H01L31/02 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01L31/00

    CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

    Abstract: Materials suitable for fabricating optical monitors include amorphous, polycrystalline and microcrystalline materials. Semitransparent photodetector materials may be based on silicon or silicon and germanium alloys. Conductors for connecting to and contacting the photodetector may be made from various transparent oxides, including zinc oxide, tin oxide and indium tin oxide. Optical monitor structures based on PIN diodes take advantage of the materials disclosed. Various contact, lineout, substrate and interconnect structures optimize the monitors for integration with various light sources, including vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays. Complete integrated structures include a light source, optical monitor and either a package or waveguide into which light is directed.

    Abstract translation: 适用于制造光学显示器的材料包括无定形，多晶和微晶材料。 半透射光电探测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光电检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监视器结构利用所公开的材料。 各种接触，线路，衬底和互连结构优化了监视器，以与各种光源（包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列）集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器以及光引导的封装或波导。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    44.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2017055490A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：PCT/EP2016/073326

    申请日：2016-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  VIERHEILIG, Clemens ,  LOEFFLER, Andreas

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/2222 ,  H01S2301/176

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur eine Oberseiteund vier Seitenflächen aufweist, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur auf der Oberseiteder Schichtstruktur angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur zwischen der ersten Seitenfläche und der dritten Seitenfläche erstreckt, wobei die erste Seitenfläche eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur in die Oberseiteder Schichtstruktur eine erste Ausnehmung eingebracht ist, wobei eine zweite Ausnehmung in die erste Ausnehmung eingebracht ist, und wobei die zweite Ausnehmung sich bis zu der zweiten Seitenfläche erstreckt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种带有用于产生电磁辐射，其中，所述有源区被布置在平面内的有源区的层结构的光电元件，其中所述层结构包括具有Oberseiteund四个侧面，其中，带状脊结构被布置在层结构的上表面，其中 脊形结构的第一侧表面和所述第三侧表面，其中所述第一侧表面是电磁辐射的发射，其中，第一凹槽的侧除了脊形结构在上表面层结构，其中的第二凹部设置在所述第一凹部由结合之间延伸 并且其中，所述第二凹部延伸到所述第二侧表面延伸。

    HALBLEITERLASER
    45.
    发明申请
    HALBLEITERLASER 审中-公开
    半导体激光器

    公开(公告)号：WO2017055284A1

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：PCT/EP2016/073000

    申请日：2016-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  VIERHEILIG, Clemens ,  LÖFFLER, Andreas ,  EICHLER, Christoph

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/16 ,  H01S5/32 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/168 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/16 ,  H01S5/162 ,  H01S5/166 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    Abstract: Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge(2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegendenaktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht, sodass die Laserstrahlung im Betrieb des Halbleiterlasers (1) bestimmungsgemäß in die p-Kontaktschicht (3) eindringt. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.

    Abstract translation: 半导体激光器（1）包括具有n型的n型区域（21），p型的p型区域（23）和用于产生激光辐射的居间有源区（22）的半导体层序列（2）。 电流注入直接位于所述p-区（23）可透过由透明导电氧化物的激光辐射p接触层（3）。 直接在p型接触层（3）是一种导电性的金属和p接触结构（4）。 p接触层（3）是一包层的一部分，从而使半导体激光器的操作期间所述激光辐射（1），用于渗透到p型接触层（3）。 两个小平面（25）的半导体层序列（2）用于激光辐射形式谐振器端的。 在至少一个电流保护区域（5）直接在刻面中的至少一个（25）抑制了在p区（23）的电流注入。 过电流保护区域具有在沿垂直于相关联的小面（25）具有至少0.5微米的扩展，并且不超过100微米，并且另外至多20用于激光辐射的谐振器的％。

    SEMICONDUCTOR STRIP LASER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
    47.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRIP LASER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    半导体带状激光器和半导体器件

    公开(公告)号：WO2015154975A2

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：PCT/EP2015056083

    申请日：2015-03-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/022

    CPC classification number: H01S5/02476 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    Abstract: The invention relates to a semiconductor strip laser which, in at least one embodiment, comprises a first semiconductor region (11) of a first conductivity type. Furthermore, the semiconductor strip laser includes a second semiconductor region (13) of a second conductivity type. An active zone (12) for generating laser radiation is located between the semiconductor regions (11, 13). A strip waveguide (3) is formed in the second semiconductor region (13). The strip waveguide (3) is set up for one-dimensional wave guidance along a waveguide direction (L). A first electric contact (41) is located on the first semiconductor region (11), and a second electric contact (43) is located on the second semiconductor region (13). Furthermore, the semiconductor strip laser (1) includes a heat spreader (2) which, at least up to a temperature of 220° C, is dimensionally stably connected to the semiconductor regions (11, 13). The heat spreader (2) has an average thermal conductivity of at least 50 W/mK.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，半导体条形激光器包括第一导电类型的第一半导体区域（11）。 此外，半导体条形激光器包括第二导电类型的第二半导体区域（13）。 用于产生激光辐射的有源区（12）位于半导体区（11,13）之间。 在第二半导体区域（13）中形成条形波导（3）。 条形波导（3）被布置成沿波导方向（L）的一维波导。 第一电触点（41）位于第一半导体区域（11）上，第二电触点（43）位于第二半导体区域（13）上。 此外，半导体带状激光器（1）包括散热器（2），该散热器在尺寸上稳定地连接至半导体区域（11,13），至少达到220℃的温度 散热器（2）具有至少50W / mK的平均导热率。

    LIGHT GUIDING FOR VERTICAL EXTERNAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
    49.
    发明申请
    LIGHT GUIDING FOR VERTICAL EXTERNAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
    垂直外腔表面发射激光光指导

    公开(公告)号：WO2014180751A1

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：PCT/EP2014/059022

    申请日：2014-05-04

    Applicant: CAMLIN TECHNOLOGIES (SWITZERLAND) LIMITED

    Inventor： FELDER, Ferdinand ,  FILL, Matthias ,  ZOGG, Hans ,  DEBERNARDI, Pierluigi

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/32 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/42

    CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/18397 ,  H01S5/3222 ,  H01S5/423 ,  H01S5/426 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

    Abstract: The present invention relates to an active gain layer stack (21) for a vertical emitting laser device, the active gain layer stack (21) comprising a semiconductor material, wherein the semiconductor material is structured such that it forms at least one mesa (24) extending in a vertical direction. A transversally neighboring region (25) that at least partly surrounds said mesa (24) has a second refractive index (n 2 ) - At least part of said mesa (24) has a first refractive index (n 1 ) and a part of the neighboring region (25) transversally adjacent to said part of the mesa (24) has second refractive index (n 2) - Said first refractive index (n 1 ) is higher than said second refractive index (n 2 ) and a diameter in transversal direction of said mesa (24) is chosen such that a transversal confinement factor in the active gain layer stack (21) is increased. The present invention also relates to a laser device including such a stack, further to a method of operation of such a stack, and also to a method of manufacturing of such a stack. The VECSEL comprises a IV-VI semiconductor gain material grown on the lower mirror and an external cavity mirror. A plurality of mesa (22) may be grown on a single substrate (23). Anti-guiding is prevented by the lower refractive index of the surrounding material (25) improving the single transversal mode operation.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于垂直发射激光器件的有源增益层堆叠（21），所述有源增益层堆叠（21）包括半导体材料，其中所述半导体材料被构造成使得其形成至少一个台面（24） 在垂直方向上延伸。 至少部分地围绕所述台面（24）的横向相邻区域（25）具有第二折射率（n 2） - 所述台面（24）的至少一部分具有第一折射率（n 1）和所述第一折射率 与台面（24）的所述部分横向相邻的相邻区域（25）具有第二折射率（n 2） - 所述第一折射率（n 1）高于所述第二折射率（n 2），横向的直径 选择所述台面（24），使得有源增益层叠层（21）中的横向约束因子增加。 本发明还涉及一种包括这种堆叠的激光装置，还涉及这种堆叠的操作方法，以及制造这种叠层的方法。 VECSEL包括在下反射镜上生长的IV-VI半导体增益材料和外腔镜。 多个台面（22）可以在单个基板（23）上生长。 通过周围材料（25）的较低折射率来改善单一横向模式操作来防止反引导。

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