公开(公告)号：WO2017072175A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/075804

申请日：2016-10-26

Applicant: UNIVERSITE PARIS DIDEROT PARIS 7 ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)

Inventor： GELLIE, Pierre

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/3402 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2302/02

Abstract: La présente invention concerne un ensemble comportant un laser à cascade quantique (1), et une embase (2) associée comprenant une matrice (21) thermiquement conductrice et électriquement isolante structurée de manière à épouser la forme du guide d'onde du laser et la forme du substrat isolant (11) pour que : - le contact électrique supérieur (13) du laser soit en contact avec le contact électrique central (23) de l'embase sur la longueur de la matrice, - le contact électrique latéral (14, 15) du laser soit en contact avec le contact électrique latéral (24, 25) de l'embase.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括激光器的组件， 量子级联（1）以及相关联的基座（2），所述基座（2）包括结构上布置的导热且电绝缘的基体（21） 移动激光波导的形状和绝缘衬底（11）的形状，使得： - 激光器的上电触点（13）与中央电触点（23）接触。 ）在基体的长度上， - 激光器的横向电触点（14,15）与基座的横向电触点（24,25）接触。

公开(公告)号：WO2016131912A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053448

申请日：2016-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER, Jens ,  STEPHAN, Christoph ,  WALTER, Robert ,  HARTAUER, Stefan ,  RUMBOLZ, Christian

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2086 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.

Abstract translation: 一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区（110）和区域邻近于第一区域的第二区域（120），用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层（200）的表面的步骤，用于放置 钝化层（300）在所述牺牲层和所述表面，以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口（410）的第二区域和去除所述牺牲层（200）。 为了这个目的，仍然可以使用光致抗蚀剂层（400）。 掩蔽和牺牲层的蚀刻之后，剩余的光刻胶层（400）和所述钝化层（300）的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。

公开(公告)号：WO2015129668A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/055161

申请日：2015-02-24

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 野田　進 ,  井上　卓也 ,  浅野　卓 ,  デ　ゾイサ　メーナカ

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/12 ,  H01S5/18 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/18319 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/3419 ,  H01S2302/02

Abstract: 　本発明は、光電変換素子と同様に速い応答速度で光の強弱の切り換えを行うことができる熱輻射光源を提供する。熱輻射光源１０は、n型半導体から成るn層１１２、量子井戸構造を有する量子井戸構造層１１４、及びp型半導体から成るp層１１１がこの順で積層された板材１１内に、量子井戸構造層１１４における量子井戸内のサブバンド間における遷移エネルギーに対応する特定波長の光に共振するように、n層１１２、p層１１１及び量子井戸構造層１１４とは屈折率が異なる異屈折率領域（空孔１２１）が周期的に配置された２次元フォトニック結晶１２と、p層１１１側が負、n層１１２側が正である電圧を板材１１に印加するためのp型電極１３１及びn型電極１３２とを備える。

Abstract translation: 本发明提供一种热辐射光源，其允许具有与光电转换元件一致的响应速度的光强度变化。 所述热辐射光源（10）设置有二维光子晶体（12），其中包括n型半导体的n层（112），具有量子阱的量子阱结构层（114） 层状结构和包含p型半导体的ap层（111）以其顺序层叠，形成板（11），在该板（11）内形成折射率（折射率（121））的不同折射率区域 不同于n层（112），p层（111）和量子阱结构层（114）的周期性布置，以便与特定波长对应的光共振 到量子阱结构层（114）中的量子阱中的子带之间的跃迁能量。 该热辐射光源（10）还设置有p型电极（131）和n型电极（132），用于向上述板（11）施加在对应的一侧为负的电压 到p层（111）并且在与n层（112）对应的一侧为正。

公开(公告)号：WO2012078849A3

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：PCT/US2011063915

申请日：2011-12-08

Applicant: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY INC ,  SHATALOV MAXIM S ,  DOBRINSKY ALEXANDER ,  SHUR MICHAEL ,  GASKA REMIGIJUS

Inventor： SHATALOV MAXIM S ,  DOBRINSKY ALEXANDER ,  SHUR MICHAEL ,  GASKA REMIGIJUS

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/34333

Abstract: An emitting device including an active region having quantum wells alternating with barriers of varying compositions is provided. The barriers can be composed of a group Ill-nitride based material, in which a molar fraction of one or more of the group III elements in two barriers adjacent to a single quantum well differ by at least one percent. Two barriers adjacent to a single quantum well can have barrier heights differing by at least one percent.

Abstract translation: 提供了一种包括具有量子阱的有源区域与不同成分的屏障交替的发光器件。 该阻挡层可以由基于III族氮化物的材料组成，其中与单个量子阱相邻的两个阻挡层中的III族元素中的一个或多个的摩尔分数相差至少1％。 与单个量子阱相邻的两个屏障可以具有至少百分之一的屏障高度。

公开(公告)号：WO2007132425A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：PCT/IB2007/051825

申请日：2007-05-14

Applicant: NXP B.V. ,  KOOPS, Gerhard ,  VAN DALEN, Rob ,  MEUNIER-BEILLARD, Philippe

Inventor： KOOPS, Gerhard ,  VAN DALEN, Rob ,  MEUNIER-BEILLARD, Philippe

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3427 ,  H01S5/42 ,  H01S2304/00

Abstract: The invention provides a quantum cascade laser device (100, 101) in a semiconductor substrate (11), which quantum cascade laser device (100, 101) comprises a plurality of semiconductor layers (14) having a side surface (13) that exposes a side of each semiconductor layer. The quantum cascade laser device (100,101) emits a light beam (L) in a direction substantially perpendicular to the side surface (13) of the quantum cascade laser device (100,101), which side surface (13) is essentially parallel to a top surface of the semiconductor substrate (11). The power loss of the quantum cascade laser device (100,101) is reduced considerably, because the light beam (L) is not diffracted or reflected before it is emitted from the quantum cascade laser device (100,101), which improves the power efficiency of the quantum cascade laser device (100,101). The invention further provides a method of manufacturing such a quantum cascade laser device (100,101).

Abstract translation: 本发明提供了半导体衬底（11）中的量子级联激光器件（100,101），该量子级联激光器件（100,101）包括多个半导体层（14），该半导体层具有暴露一个 侧。 量子级联激光器件（100,101）在与量子级联激光器件（100,101）的侧表面（13）基本垂直的方向上发射光束（L），该侧表面（13）基本上平行于顶表面 的半导体衬底（11）。 量子级联激光器件（100,101）的功率损耗大大降低，因为光束（L）在从量子级联激光器件（100,101）发射之前不被衍射或反射，从而提高了量子级联激光器件的功率效率 级联激光装置（100,101）。 本发明还提供一种制造这种量子级联激光装置（100,101）的方法。

公开(公告)号：WO2004077628A2

公开(公告)日：2004-09-10

申请号：PCT/US2004/005373

申请日：2004-02-24

Applicant: TYCO ELECTRONICS CORPORATION ,  VARGHESE, Tansen ,  RING, William

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  RING, William

IPC: H01S

CPC classification number: H01S5/0422 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/227

Abstract: A semiconductor laser device with a first side and a second side, comprising (a) an active region, (b) a P layer, wherein the P layer contains a first contact area, (c) an N layer, wherein said N layer contains a second contact area, wherein the contact area of first contact area of the P layer and the second contact layer of the N layer reside on the first side of the laser device.

Abstract translation: 一种具有第一侧面和第二面的半导体激光器件，包括（a）有源区，（b）P层，其中所述P层包含第一接触区域，（c）N层，其中所述N层包含 第二接触区域，其中P层的第一接触区域和N层的第二接触层的接触面积位于激光器件的第一侧。

公开(公告)号：WO2003026082A2

公开(公告)日：2003-03-27

申请号：PCT/US2002/022091

申请日：2002-06-28

Applicant: XANOPTIX, INC. ,  TREZZA, John

Inventor： TREZZA, John

IPC: H01S

CPC classification number: H01S5/18305 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  H01L27/14625 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423

Abstract: A pump laser capable of delivering at least a specified amount of output power is described. The pump laser has an array of N semiconductor lasers each having a first wavelength and an individual available output power (P) such that the product of N times p is equal to or greater than the specified amount of output power. The pump laser also has a coupler configured to couple light emitted by the individual lasers in the array to an individual optical fiber.

Abstract translation: 描述了能够输送至少特定量的输出功率的泵浦激光器。 泵浦激光器具有N个半导体激光器阵列，每个半导体激光器具有第一波长和单独的可用输出功率（P），使得N倍ρ的乘积等于或大于指定量的输出功率。 泵浦激光器还具有耦合器，该耦合器被配置为将阵列中的各个激光器发射的光耦合到单个光纤。

公开(公告)号：WO01069683A1

公开(公告)日：2001-09-20

申请号：PCT/US2001/005060

申请日：2001-02-16

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L29/06 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/025 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/06

Abstract: A p-i-n structure for use in photo laser diodes is disclosed, being formed of an Ga>x 1-x

Abstract translation: 公开了一种用于光激光二极管的p-i-n结构，由Ga> x <1> x

公开(公告)号：WO98047170A1

公开(公告)日：1998-10-22

申请号：PCT/JP1998/001640

申请日：1998-04-09

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/02 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/042 ,  C23C16/303 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: A method of growing a nitride semiconductor crystal having very few crystal defects and capable of being used as a substrate, comprising the step of forming a first selective growth mask equipped with a plurality of first windows for selectively exposing the surface of a support on the support having a main plane and including different kinds of substrates made of materials different from those of a nitride semiconductor, and the step of growing the nitride semiconductor, by using a gaseous Group III element source and a gaseous nitrogen source, until portions of the nitride semiconductor crystal growing in adjacent windows from the surface of the support exposed from the window join with one another on the upper surface of the selective growth mask.

Abstract translation: 一种生长具有非常少的晶体缺陷且能够用作衬底的氮化物半导体晶体的方法，包括形成配备有多个第一窗口的第一选择性生长掩模的步骤，用于选择性地将载体的表面暴露在载体上 具有主平面并且包括由与氮化物半导体的材料不同的材料制成的不同种类的基板，以及通过使用气态III族元素源和气态氮源生长氮化物半导体的步骤，直到氮化物半导体的部分 在从窗户露出的支撑体表面的相邻窗口中生长的晶体在选择性生长掩模的上表面上彼此连接。

公开(公告)号：WO1993020604A1

公开(公告)日：1993-10-14

申请号：PCT/JP1993000405

申请日：1993-03-31

Applicant: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. ,  FUKUSHIMA, Toru

Inventor： THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.

IPC: H01S03/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434

Abstract: A semiconductor laser device, a lower light-confining layer (31), an active layer (3), and an upper light-confining layer (34) are provided on a semiconductor substrate (1) in this order. Formed are an electron injecting path for injecting electrons into the active layer (3) via the upper light-confining layer (n-type electrode (10) ← upper light-confining layer (34) ← active layer (3)), and a hole injecting path for injecting holes into the active layer (3) via no light-confining layer (p-type electrode (6) ← p-type InP layer (5) ← active layer (3)). Therefore, the modulation and response characteristics of the device are improved in high-speed operation.