ENSEMBLE COMPORTANT UN LASER À CASCADE QUANTIQUE, ET UNE EMBASE ASSOCIÉE
    1.
    发明申请
    ENSEMBLE COMPORTANT UN LASER À CASCADE QUANTIQUE, ET UNE EMBASE ASSOCIÉE 审中-公开
    具有量子级联激光器和相关联的组件

    公开(公告)号:WO2017072175A1

    公开(公告)日:2017-05-04

    申请号:PCT/EP2016/075804

    申请日:2016-10-26

    Inventor: GELLIE, Pierre

    Abstract: La présente invention concerne un ensemble comportant un laser à cascade quantique (1), et une embase (2) associée comprenant une matrice (21) thermiquement conductrice et électriquement isolante structurée de manière à épouser la forme du guide d'onde du laser et la forme du substrat isolant (11) pour que : - le contact électrique supérieur (13) du laser soit en contact avec le contact électrique central (23) de l'embase sur la longueur de la matrice, - le contact électrique latéral (14, 15) du laser soit en contact avec le contact électrique latéral (24, 25) de l'embase.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括激光器的组件, 量子级联(1)以及相关联的基座(2),所述基座(2)包括结构上布置的导热且电绝缘的基体(21) 移动激光波导的形状和绝缘衬底(11)的形状,使得: - 激光器的上电触点(13)与中央电触点(23)接触。 )在基体的长度上, - 激光器的横向电触点(14,15)与基座的横向电触点(24,25)接触。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    方法生产电子部件

    公开(公告)号:WO2016131912A1

    公开(公告)日:2016-08-25

    申请号:PCT/EP2016/053448

    申请日:2016-02-18

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.

    Abstract translation: 一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区(110)和区域邻近于第一区域的第二区域(120),用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层(200)的表面的步骤,用于放置 钝化层(300)在所述牺牲层和所述表面,以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口(410)的第二区域和去除所述牺牲层(200)。 为了这个目的,仍然可以使用光致抗蚀剂层(400)。 掩蔽和牺牲层的蚀刻之后,剩余的光刻胶层(400)和所述钝化层(300)的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。

    熱輻射光源、及び該光源に用いる2次元フォトニック結晶
    3.
    发明申请
    熱輻射光源、及び該光源に用いる2次元フォトニック結晶 审中-公开
    热辐射光源和二维光子晶体

    公开(公告)号:WO2015129668A1

    公开(公告)日:2015-09-03

    申请号:PCT/JP2015/055161

    申请日:2015-02-24

    Abstract:  本発明は、光電変換素子と同様に速い応答速度で光の強弱の切り換えを行うことができる熱輻射光源を提供する。熱輻射光源10は、n型半導体から成るn層112、量子井戸構造を有する量子井戸構造層114、及びp型半導体から成るp層111がこの順で積層された板材11内に、量子井戸構造層114における量子井戸内のサブバンド間における遷移エネルギーに対応する特定波長の光に共振するように、n層112、p層111及び量子井戸構造層114とは屈折率が異なる異屈折率領域(空孔121)が周期的に配置された2次元フォトニック結晶12と、p層111側が負、n層112側が正である電圧を板材11に印加するためのp型電極131及びn型電極132とを備える。

    Abstract translation: 本发明提供一种热辐射光源,其允许具有与光电转换元件一致的响应速度的光强度变化。 所述热辐射光源(10)设置有二维光子晶体(12),其中包括n型半导体的n层(112),具有量子阱的量子阱结构层(114) 层状结构和包含p型半导体的ap层(111)以其顺序层叠,形成板(11),在该板(11)内形成折射率(折射率(121))的不同折射率区域 不同于n层(112),p层(111)和量子阱结构层(114)的周期性布置,以便与特定波长对应的光共振 到量子阱结构层(114)中的量子阱中的子带之间的跃迁能量。 该热辐射光源(10)还设置有p型电极(131)和n型电极(132),用于向上述板(11)施加在对应的一侧为负的电压 到p层(111)并且在与n层(112)对应的一侧为正。

    QUANTUM CASCADE SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
    5.
    发明申请
    QUANTUM CASCADE SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
    量子表面发射半导体激光器件及制造半导体激光器件的方法

    公开(公告)号:WO2007132425A1

    公开(公告)日:2007-11-22

    申请号:PCT/IB2007/051825

    申请日:2007-05-14

    Abstract: The invention provides a quantum cascade laser device (100, 101) in a semiconductor substrate (11), which quantum cascade laser device (100, 101) comprises a plurality of semiconductor layers (14) having a side surface (13) that exposes a side of each semiconductor layer. The quantum cascade laser device (100,101) emits a light beam (L) in a direction substantially perpendicular to the side surface (13) of the quantum cascade laser device (100,101), which side surface (13) is essentially parallel to a top surface of the semiconductor substrate (11). The power loss of the quantum cascade laser device (100,101) is reduced considerably, because the light beam (L) is not diffracted or reflected before it is emitted from the quantum cascade laser device (100,101), which improves the power efficiency of the quantum cascade laser device (100,101). The invention further provides a method of manufacturing such a quantum cascade laser device (100,101).

    Abstract translation: 本发明提供了半导体衬底(11)中的量子级联激光器件(100,101),该量子级联激光器件(100,101)包括多个半导体层(14),该半导体层具有暴露一个 侧。 量子级联激光器件(100,101)在与量子级联激光器件(100,101)的侧表面(13)基本垂直的方向上发射光束(L),该侧表面(13)基本上平行于顶表面 的半导体衬底(11)。 量子级联激光器件(100,101)的功率损耗大大降低,因为光束(L)在从量子级联激光器件(100,101)发射之前不被衍射或反射,从而提高了量子级联激光器件的功率效率 级联激光装置(100,101)。 本发明还提供一种制造这种量子级联激光装置(100,101)的方法。

    FLIP-CHIP AUTOMATICALLY ALIGNED OPTICAL DEVICE
    6.
    发明申请
    FLIP-CHIP AUTOMATICALLY ALIGNED OPTICAL DEVICE 审中-公开
    片芯自动对准光学器件

    公开(公告)号:WO2004077628A2

    公开(公告)日:2004-09-10

    申请号:PCT/US2004/005373

    申请日:2004-02-24

    IPC: H01S

    Abstract: A semiconductor laser device with a first side and a second side, comprising (a) an active region, (b) a P layer, wherein the P layer contains a first contact area, (c) an N layer, wherein said N layer contains a second contact area, wherein the contact area of first contact area of the P layer and the second contact layer of the N layer reside on the first side of the laser device.

    Abstract translation: 一种具有第一侧面和第二面的半导体激光器件,包括(a)有源区,(b)P层,其中所述P层包含第一接触区域,(c)N层,其中所述N层包含 第二接触区域,其中P层的第一接触区域和N层的第二接触层的接触面积位于激光器件的第一侧。

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