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1.发明申请
公开(公告)号：WO2019077210A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/FR2017/052881
申请日：2017-10-19
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , UNIVERSITE PARIS SUD
Inventor： ELBAZ, Anas , EL KURDI, Moustafa , AASSIME, Abdelhanin , BOUCAUD, Philippe , BOEUF, Frédéric
CPC classification number: H01S5/1075 , H01S5/02461 , H01S5/1042 , H01S5/3027 , H01S5/3218 , H01S5/3403 , H01S2301/176
Abstract: L'invention concerne une structure comprenant, sur un support semiconducteur (5), une portion (3) d'une couche semiconductrice, ou d'un empilement de couches semiconductrices, comprenant du germanium, et une couche de nitrure de silicium (7) entourant et appliquant une contrainte sur la portion (3), dans laquelle le support semiconducteur (5) est séparé de la couche en nitrure de silicium (7) par un pied en métal (22).
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公开(公告)号：WO2016131912A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/053448
申请日：2016-02-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MUELLER, Jens , STEPHAN, Christoph , WALTER, Robert , HARTAUER, Stefan , RUMBOLZ, Christian
CPC classification number: H01S5/2086 , H01S5/0282 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/176
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.
Abstract translation: 一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区（110）和区域邻近于第一区域的第二区域（120），用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层（200）的表面的步骤，用于放置 钝化层（300）在所述牺牲层和所述表面，以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口（410）的第二区域和去除所述牺牲层（200）。 为了这个目的，仍然可以使用光致抗蚀剂层（400）。 掩蔽和牺牲层的蚀刻之后，剩余的光刻胶层（400）和所述钝化层（300）的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。
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公开(公告)号：WO2016131690A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/052817
申请日：2016-02-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBERHARD, Franz
IPC: H01L33/00 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2855 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/76831 , H01L21/76879 , H01L31/022408 , H01L31/022466 , H01L31/0304 , H01L31/1884 , H01L33/005 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S2301/176
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (1) mit zumindest einer mit einer Kontaktschicht (7) versehenen Ausnehmung (10) mit den Schritten: Bereitstellen des Halbleiterkörpers (1), Aufbringen einer ersten Maskenschicht (5) und einer zweiten Maskenschicht (6) auf dem Halbleiterkörper (1), wobei die zweite Maskenschicht (6) unstrukturiert auf dem Halbleiterkörper (1) aufgebracht wird und die erste Maskenschicht (5) strukturiert mit zumindest einer ersten Maskenöffnung (50) auf der zweiten Maskenschicht (6) aufgebracht wird, Ausbilden von zumindest einer zweiten Maskenöffnung (60) in der zweiten Maskenschicht (6) und zumindest einer Ausnehmung (10) im Halbleiterkörper (1) im Bereich der zumindest einen ersten Maskenöffnung (50) der ersten Maskenschicht (5), wobei die Ausnehmung (10) eine Seitenfläche (11) und eine Bodenfläche (12) aufweist und die Ausnehmung (10) mit der zweiten Maskenöffnung (60) von der ersten Maskenöffnung (50) aus gesehen eine Hinterschneidung (13) bildet, Aufbringen einer Kontaktschicht (7) auf die erste Maskenschicht (5) und die Bodenfläche (12) der zumindest einen Ausnehmung (10) mittels eines gerichteten Abscheideverfahrens, Aufbringen einer Passivierungsschicht (8) auf der Seitenfläche (11) der zumindest einen Ausnehmung (10).
Abstract translation: 一种用于制造半导体本体方法（1）具有至少一个与接触层（7）设置凹部（10），其包括以下步骤：提供半导体主体（1），沉积第一掩模层（5）和第二掩模层（6） 所述半导体主体（1）上，其中所述第二掩模层（6）有刷（1）被施加在半导体本体和所述第一掩模层上（5）与（6）被施加第二掩模层上的至少一个第一掩模开口（50）的结构，形成 在第二掩模层，在半导体主体上的至少一个第二掩模开口（60）（6）和至少一个凹部（10）（1）在所述第一掩模层（5）的至少一个第一掩模开口（50）的区域中，其特征在于，所述凹部（10） 的侧表面（11）和底表面（12）和凹部（10）与所述第二掩模开口（60），所述从Hintersc看出第一掩模开口（50） hneidung（13），所述第一掩模层（5）和所述至少一个凹部（10），通过沉积工艺的方法的底表面（12）上施加接触层（7），施加的侧表面（11）上的钝化层（8） 至少一个凹部（10）。
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公开(公告)号：WO2016054981A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/CN2015/090922
申请日：2015-09-28
Applicant: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
Inventor： YAN, Xuejin , GONG, Jianmin , LEI, Hongbing , GAO, Jianhe
CPC classification number: H01S5/0612 , H01S5/024 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/068 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/2222 , H01S5/223 , H01S5/227 , H01S5/323 , H01S2301/176
Abstract: An apparatus comprising a burst-mode laser(610) comprising an active layer(720) and configured to emit an optical signal during a burst period, wherein a temperature change of the burst-mode laser(610) causes the optical signal to shift in wavelength, and a heater(620) thermally coupled to the active layer(720) and configured to reduce a wavelength shift of the optical signal during the burst period by applying heat to the active layer(720) based on timing of the burst period.
Abstract translation: 一种包括突发模式激光器（610）的装置，包括有源层（720）并且被配置为在突发周期期间发射光信号，其中突发模式激光器（610）的温度变化导致光信号在 以及热耦合到有源层（720）的加热器（620），并且被配置为基于突发周期的定时，通过向有源层（720）施加热来减少在脉冲串周期期间光信号的波长偏移。
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公开(公告)号：WO2016054143A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/US2015/053103
申请日：2015-09-30
Applicant: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.
Inventor： ZHENG, Jun , ANSELM, Klaus Alexander , ZHANG, Huanlin , CHANG, Hung-Lun
CPC classification number: H01S5/02453 , G02B6/12 , G02B6/12014 , G02B2006/12164 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0268 , H01S5/0287 , H01S5/0612 , H01S5/22 , H01S5/4087 , H01S2301/176 , H04B10/40 , H04J14/0282
Abstract: A semiconductor laser diode with integrated heating generally includes a lasing region and a heating region integrated into the same semiconductor structure or chip. The lasing region and the heating region include first and second portions, respectively, of the semiconductor layers forming the semiconductor structure and include first and second portions, respectively, of the active regions formed by the semiconductor layers. Separate laser and heater electrodes are electrically connected to the respective lasing and heating regions for driving the respective lasing and heating regions with drive currents. The heating region may thus be driven independently from the lasing region, and heat may be conducted through the semiconductor layers from the heating region to the lasing region allowing the temperature to be controlled more efficiently.
Abstract translation: 具有集成加热的半导体激光二极管通常包括激光区域和集成在同一半导体结构或芯片中的加热区域。 激光区域和加热区域分别包括形成半导体结构的半导体层的第一和第二部分，并且分别包括由半导体层形成的有源区的第一和第二部分。 单独的激光和加热器电极电连接到相应的激光和加热区域，以用驱动电流驱动相应的激光和加热区域。 因此，加热区域可以独立于激光区域被驱动，并且热可以通过半导体层从加热区域传导到激光区域，从而可以更有效地控制温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015111282A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/JP2014/079731
申请日：2014-11-10
Applicant: シャープ株式会社
CPC classification number: G01N21/7746 , G01N21/554 , G01N2021/7773 , G01N2021/7776 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0285 , H01S2301/176
Abstract: センシングシステム（１００）は、２つの反射面と導波路とによって増幅された光が出射される光出射領域の近傍に検出対象が供給される光源（１１）と、導波路のコア部分を検出対象から保護する保護膜（１２）と、検出対象に影響を受けて変化した光の強度を検出する光検出器（１３）とを備える。
Abstract translation: 感测系统（100）具有：被检测物体靠近光输出区域供给的光源（11），通过两个反射面和波导管被放大的光被输出; 保护膜（12），其保护波导芯部分不受物体的影响; 以及检测由于受试者的影响而改变的光强度的光检测器（13）。
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7.发明申请HALBLEITERLASERDIODE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERLASERDIODENANORDNUNG 审中-公开半导体激光二极管，一种用于生产半导体激光二极管和半导体激光二极管安排
公开(公告)号：WO2015091060A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/EP2014/076902
申请日：2014-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： TAEGER, Sebastian , BACHMANN, Alexander
CPC classification number: H01S5/02461 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/0425 , H01S5/2036 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S2301/176
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schicht (11), die im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet wird, und eine Wärmebarrierenschicht (2) und eine metallische Kontaktschicht (5) lateral zueinander benachbart auf einer Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufweist, wobei die Wärmebarrierenschicht (2) durch ein elektrisch isolierendes poröses Material (9) gebildet wird. Dadurch wird die im Betrieb entstehende Wärme über die p-Elektrode (5) zu einer Wärmesenke (20) geleitet und das Ausbilden eines zweidimensionalen Temperaturgradienten wird vermeiden. Einer thermischen Linse im Kantenemitter wird so entgegen gewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung angegeben.
Abstract translation: 提供了一种具有与上下重叠沉积的半导体层包含有源层（11），其通过辐射照射在操作激光辐射，其中所述辐射是由半导体层序列（1）的侧表面上形成的半导体层序列（1）的半导体激光二极管，和一个 热阻挡层（2）和在所述半导体层序列（1），其中，所述热阻挡层由电绝缘性的多孔（9）的材料（2）形成的主表面（12）的金属接触层（5）横向地彼此相邻。 由此，在p电极（5）被传递到散热器（20）和形成的二维温度梯度操作过程中产生的热量被避免。 在棱边发射器的热透镜被浇铸以便包容。 此外，待规定制造半导体激光二极管和半导体激光二极管阵列的方法。
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公开(公告)号：WO2014173823A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057942
申请日：2014-04-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , MUELLER, Jens , BRUEDERL, Georg
CPC classification number: H01S5/02272 , H01S5/0224 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/176
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper (2) und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper (3), wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht (9) aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht (10 an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers (11,12) und/ oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers (1,14) angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht (10) mit einer Wärmesenke (1) in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht (10) und dem Grundkörper (2) und/oder dem Streifenkörper (3) größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht (9) und dem Streifenkörper (3). Die erste Kontaktschicht kann eine Metallelektrode sein und die zweite Kontaktschicht ein Goldlot und durch diese Anordnung wird die Wärmeabfuhr zur Wärmesenke verbessert.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有基体的半导体激光器（2），并且布置在所述基条体（3），其中，所述基体和所述带体是半导体材料形成，所述具有活性区（4）的半导体材料，用于产生电磁辐射，其上 条主体的上表面，第一接触层（9）被施加，其中第二接触层（10至（带材本体的至少一个侧表面11,12）和/或至少一个横向布置在基体的带体上侧（1,14）是相邻的， 其中具有一个散热装置（1）的第二接触层（10）与所述第二接触层（10）和所述基体之间的电接触电阻（2）接触和/或条带主体（3）比之间的电接触电阻大 第一接触层（9）和所述条体。（3）第一Kontaktsch 层可以是金属电极和所述第二接触层和这种布置的金焊料，散热到热沉被改善。
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公开(公告)号：WO2014030361A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/JP2013/051498
申请日：2013-01-24
Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学
CPC classification number: H01S5/1032 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/18319 , H01S5/18341 , H01S5/18355 , H01S5/18363 , H01S5/18386 , H01S5/423 , H01S2301/176
Abstract: 偏光双安定面発光レーザ（３０）において、活性領域の下側の反射鏡としてＳＯＩ基板の表面ＳｉＯ 2 層に形成した２次元格子構造体（３７）を含む偏光無依存ＨＣＧを用い、上側の反射鏡としてエアブリッジ構造の２次元格子構造体３８を含む偏光無依存ＨＣＧを用いる。このＨＣＧは従来のＤＢＲに比べて格段に薄いので、面発光レーザの薄形化が可能である。また、表面ＳｉＯ 2 層には光導波路（２４ｘ、２４ｙ）を形成し、面発光レーザ３０の共振器と光結合することで、共振器に閉じ込めた光をその偏光状態に応じて光導波路（２４ｘ、２４ｙ）の一方に選択的に出力することができる。それによって、隣接する面発光レーザ（３０）への情報の転送も容易になり、面発光レーザ（３０）の上方空間に配置する光学素子を減らしてデバイスとしての薄形化・小形化も図ることができる。
Abstract translation: 在偏振双稳表面发射激光器（30）中，在SOI衬底上的表面SiO 2层中形成的包括二维晶格结构（37）的偏振无关HCG用作有源区以下的反射镜， 使用包括空中桥梁结构的二维格子结构（38）的偏振无关HCG作为该区域上方的反射镜。 由于与常规DBR相比，该HCG显着薄，所以表面发射激光器可以变薄。 此外，光波导（24x，24y）形成在表面SiO 2层中并且与表面发射激光器（30）的谐振器光学耦合，由此可以选择性地将限制在谐振器中的光输出到光波导（24x ，24y），根据限制光的偏振状态。 由此，信息传递到相邻的表面发射激光器（30）变得容易，并且可以减少布置在表面发射激光器（30）上方的空间中的光学元件，从而能够使作为器件的表面发射激光器变薄 更紧凑的尺寸。
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公开(公告)号：WO2014016024A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2013/061396
申请日：2013-06-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , AVRAMESCU, Adrian, Stefan
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der Steglaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) auf. Ein Wellenleiter (3) mit einer bestimmten Breite (B) ist aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt. Auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) ist eine Kontaktmetallisierung (4) aufgebracht. Eine Bestromungsschicht (5) steht in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4). Über die Bestromungsschicht (5) ist die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen. Eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) ist kleiner als die Breite (B) des Wellenleiters (3).
Abstract translation: 在脊激光器（1）的至少一个实施例具有与活性区（20）的半导体层序列（2）。 的波导（3）具有一定的宽度（B）形成为从所述半导体层序列（2）的正视图。 在远离波导的上侧（30）的有源区（20）中的一个（3）是一个接触金属化物（4）被施加。 甲Bestromungsschicht（5）与所述接触金属化（4）直接接触。 在Bestromungsschicht（5）的接触金属化物（4）电连接。 有源区（20）和/或所述波导（3）的甲Bestromungsbreite（C）比波导的宽度（B）的情况下（3）。
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