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    ACIDIC ZIRCONIUM HYDROXIDE
    64.
    发明申请
    ACIDIC ZIRCONIUM HYDROXIDE 审中-公开
    酸性氢氧化锆

    公开(公告)号：WO2018078313A1

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：PCT/GB2017/050233

    申请日：2017-01-30

    申请人： MAGNESIUM ELEKTRON LIMITED

    发明人： STEPHENSON, Hazel ,  CHEPURNA, Iryna ,  HARRIS, Deborah Jayne ,  SCAPENS, David

    IPC分类号： C01G25/00 ,  B01J21/06 ,  C01G25/02 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01G39/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G25/06 ,  C01G39/02 ,  C01B33/12 ,  B01J21/08 ,  B01J23/14 ,  B01J23/16

    CPC分类号： C01G25/02 ,  B01J21/066 ,  B01J23/30 ,  B01J35/002 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G25/00 ,  C01G25/06 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01G39/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/13 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16

    摘要： This invention relates to azirconium hydroxideor zirconium oxide comprising, on an oxide basis, up to 30wt% of a dopant comprising one or more of silicon, sulphate, phosphate, tungsten, niobium, aluminium, molybdenum, titanium or tin, and having acid sites, wherein the majority of the acid sites are Lewis acid sites. In addition, the invention relates to a catalyst, catalyst support or precursor, binder, functional binder, coating or sorbent comprising the zirconium hydroxide or zirconium oxide. The invention also relates to a process for preparing zirconium hydroxide, the process comprising the steps of:(a) dissolving a zirconium salt in an aqueous acid, (b) addingone or more complexing agents to the resulting solution or sol, the one or more complexing agents being an organic compound comprising at least one of the following functional groups: an amine, an organosulphate, a sulphonate, a hydroxyl, an ether or a carboxylic acid group,(c)heating the solution or sol formed in step (b), (d) adding a sulphating agent, and(e) adding a base to form a zirconium hydroxide, and(f) optionally adding a dopant.

    摘要翻译： 本发明涉及氢氧化锆或氧化锆，其以氧化物为基础包含至多30重量％的包含硅，硫酸盐，磷酸盐，钨，铌，铝，钼，钛中的一种或多种的掺杂剂 或锡，并且具有酸性位点，其中大部分酸性位点是路易斯酸性位点。 此外，本发明涉及包含氢氧化锆或氧化锆的催化剂，催化剂载体或前体，粘合剂，功能性粘合剂，涂层或吸附剂。 本发明还涉及制备氢氧化锆的方法，该方法包括以下步骤：（a）将锆盐溶解在含水酸中，（b）将一种或多种络合剂加入到所得溶液或溶胶中，一种或多种 （c）将步骤（b）中形成的所述溶液或溶胶加热至所述溶液或溶胶，所述溶液或溶胶包含至少一种以下官能团：胺，有机硫酸酯，磺酸酯，羟基，醚或羧酸基团， ，（d）加入硫酸化剂，和（e）加入碱形成氢氧化锆，和（f）任选加入掺杂剂。

    酸化物半導体
    65.
    发明申请
    酸化物半導体 审中-公开
    氧化物半导体

    公开(公告)号：WO2017204202A1

    公开(公告)日：2017-11-30

    申请号：PCT/JP2017/019148

    申请日：2017-05-23

    申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

    发明人： 菊地　直人 ,  相浦　義弘 ,  川中　浩史 ,  王　瑞平 ,  高島　浩 ,  三溝　朱音 ,  池田　紳太郎 ,  外岡　和彦

    IPC分类号： C01G35/00

    CPC分类号： C01G35/00

    摘要： 酸化物半導体においてｐ型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性の優れた酸化物半導体を提供する。Ｓｎ及びＴａを含むパイロクロア構造を有し、組成比Ｓｎ／Ｔａが０．６０≦Ｓｎ／Ｔａ＜１．０である酸化物複合体により、酸化物半導体を実現した。該酸化物半導体は、およそ３．０ｅＶというワイドギャップを有するため可視光領域で透明性を有し、かつ高移動度のｐ型半導体である。Ｓｎが組成式Ｓｎ ２ Ｔａ ２ Ｏ ７ の量論組成に対して少ないとき、即ちＳｎ／Ｔａ＜１のときに、構造欠陥Ｖ'' Ｓｎ の生成により、ｐ型を実現でき、組成比Ｓｎ／Ｔａが０．６０以上のとき、少なくともパイロクロア構造を有する。

    摘要翻译： 提供一种氧化物半导体，其能够实现氧化物半导体中的p型半导体并且具有优异的透明度，迁移率和耐候性。 氧化物半导体由含有Sn和Ta的烧绿石结构的氧化物复合体实现，其组成比Sn / Ta为0.60≤Sn/ Ta <1.0。 由于氧化物半导体具有大约3.0eV的宽的间隙，所以它在可见光区域是透明的并且是具有高迁移率的p型半导体。 当Sn的是相对于组合物通式的化学计量组成的Sn <子> 2 TA <子> 2 0 <子> 7 ，即更小的时的Sn / TA <1 通过形成结构缺陷的V“” <子>的Sn ，它可以实现p型，当组成比的Sn / Ta为0.60或更多，至少烧绿石结构。

    インターカレーション物質の製造方法および製造装置ならびにイオン置換物質の製造方法および製造装置
    66.
    发明申请
    インターカレーション物質の製造方法および製造装置ならびにイオン置換物質の製造方法および製造装置 审中-公开
    用于生产相互扩散材料的方法和设备

    公开(公告)号：WO2017188204A1

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：PCT/JP2017/016263

    申请日：2017-04-25

    申请人： 国立大学法人北海道大学

    发明人： 藤岡　正弥 ,  西井　準治 ,  海住　英生

    IPC分类号： C01G1/00 ,  C01G31/00 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  H01M4/58

    CPC分类号： C01G1/00 ,  C01G31/00 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  H01M4/58

    摘要： インターカレーション物質の製造方法では、構造の骨格を形成していない第１のイオンを含む第１のイオン源２０とホストとなる第１の被処理体１０とを互いに積層または対向させる。第１の被処理体１０と反対側から第１のイオン源２０に第１のイオンと同符号の第２のイオンを注入することにより、第１のイオン源２０に含まれる第１のイオンをゲストとして第１の被処理体１０に移動させてインターカレーションを行う。例えば、第１の被処理体１０はＴａＳ 2 、第１のイオン源２０はガラス基板、第１のイオンはＬｉ + 等のアルカリ金属イオン、第２のイオンはプロトンである。

    摘要翻译： 在制造插入物质的方法中，包含不具有结构框架的第一离子和第一待处理对象10的第一离子源20 彼此堆叠或相对。 通过将与第一离子具有相同符号的第二离子从与第一对象10相反的一侧注入到第一离子源20中，第一离子源20中包含的第一离子 并作为插入的客户移动到第一个要处理的对象10。 例如，第一物体10是TaS 2，第一离子源20是玻璃衬底，第一离子是碱金属离子，例如Li + 第二个离子是质子。

    タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれの接合基板とこの製造法及びこの基板を用いた弾性表面波デバイス
    68.
    发明申请
    タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれの接合基板とこの製造法及びこの基板を用いた弾性表面波デバイス 审中-公开
    钛酸锂单晶基板及其接合基板，其制造方法和使用接合基板的弹性表面波装置

    公开(公告)号：WO2016167165A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/JP2016/061226

    申请日：2016-04-06

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 丹野　雅行 ,  阿部　淳 ,  加藤　公二 ,  桑原　由則

    IPC分类号： C30B29/30 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C30B31/02 ,  C30B33/06 ,  H03H9/25

    CPC分类号： C30B29/30 ,  C01D15/02 ,  C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  C01P2002/90 ,  C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C30B29/605 ,  C30B31/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H03H9/02559

    摘要： 【課題】　本発明の目的は、反りが小さく、ワレやキズのない、しかも、温度特性が従来の回転YカットLiTaO 3 基板よりも良好であり、電気機械結合係数が大きく、さらに、デバイスのQ値が高いタンタル酸リチウム単結晶基板を提供することである。 【解決手段】　本発明のタンタル酸リチウム単結晶基板は、結晶方位が回転36°Y～49°Yカットである回転YカットLiTaO 3 基板の表面から内部へLiを拡散させて、基板表面と基板内部とのLi濃度が異なる濃度プロファイルを有するLiTaO 3 単結晶基板であって、このLiTaO 3 単結晶基板は、単一分極処理が施されており、基板表面からLiTaO 3 基板表面を伝搬する弾性表面波または漏洩弾性表面波の波長の5～15倍の深さまで、概略一様なLi濃度を有することを特徴とするものである。

    摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种具有最小翘曲，无裂纹或缺陷，比常规旋转的Y切割LiTaO 3基板更好的温度特性的钽酸锂单晶基板，大的机电耦合系数，以及 设备中的高Q值。 [解决方案]这种钽酸锂单晶衬底是LiTaO3单晶衬底，其中Li从旋转的Y切割LiTaO 3衬底的表面向内部扩散，该晶片的旋转晶体为36°-49°Y切割 并且具有其中衬底表面和衬底内部的Li浓度不同的浓度分布，并且LiTaO 3单晶衬底的特征在于被处理为单极化，并且通过具有基本均匀的Li浓度 从衬底表面到达通过LiTaO3衬底表面传播的弹性表面波或泄漏弹性表面波的5-15倍的深度。